Geri Dön

Yeni tranzistor teknolojileri kullanılarak mikrodalga devre tasarımı

RF circuit design using novel transistor technologies

PDF İndir

  1. Tez No: 198545
  2. Yazar: İBRAHİM ONUR ESAME
  3. Danışmanlar: PROF. DR. AYTEN KUNTMAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2005
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: İstanbul Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 84

Özet

Bu tezde IEEE 802.11a standardı ile tamamiyle uyumlu, entegre, yüksek performanslı,düşük maliyetli, tek kırmık bir LC Gerilim Kontrollü Osilatör (VCO) devresitasarlanmıştır. Bu bağlamda, CMOS teknolojisinin limitleri göz önünde bulundurularak,bu teknolojinin yerini almaya aday çeşitli malzeme sistemleri (SiGe, GaAs, InP veWBG malzemeler) ve olası RF transistör tipleri (BJT, HBT, HEMT, MOSFET,MESFET) incelenmiştir.Bunun yanısıra, hedeflenen uygulama için doğru teknoloji seçimi amacıyla bu transistörçeşitleri ve malzeme sistemleri Agilent's Advanced Design Systems (ADS) ortamındaortak performans parametreleri altında karşılaştırılmıştır.Yapılan literatür araştırması ve simulasyon sonuçlarına dayanarak 5-6 GHz frekansbandındaki ugulamalar için 0.35µm SiGe BiCMOS teknolojisinin uygun olabileceğiöngörülmüş ve CADENCE tasarım ortamında bu teknoloji kullanılarak 4.4-5.9 GHzbandında çalışan, 1.5 GHz akort aralıklı, -114 dBc/Hz faz gürültülü (1 MHz ofsetfrekansında) bir VCO devresi tasarlanmıştır. Devrenin güç tüketimi ise 49.5 mWkadardır.

Özet (Çeviri)

Since the idea of integration, the minimum dimensions of transistors have dropped from25µm (1960) to 90nm (2003) resulting in a tremendous improvement in the speed ofintegrated circuits. As the technology scaled down, integration of discrete RFcomponents of a transceiver into a single chip has become possible, leading to cost andarea effective solutions for the Wireless Local-Area Network (WLAN) market which isdriven by the increasing demand for high-speed wireless connectivity and increasingavailability of cost-effective standard-based interoperable products.The goal of this thesis is to design and design a fully integrated, high-performance, low-cost, Voltage Controlled Oscillator (VCO) compatible with IEEE 802.11a standard. Toaccomplish this, it is necessary to evaluate the potentials and limitations of RF materialsystems and devices and combine them with IC design methodologies.Through this pespective, a variety of material systems (Si, SiGe, GaAs, InP and WideBand-gap materials) as well as possible RF device types (BJTs, HBTs,HEMT,MOSFETs, MESFETs) that are the promising technologies to push the limits ofCMOS is analysed. These material systems and device types are compared undercommon Figure of Merit (FOM) definitions to accomplish the true technology choicefor the targeted application. The technology survey and simulation results shows thatSiGe BiCMOS technology would be a suitable candidate for the 5-6 GHz applications.After literature survey and technology choice, a 4.4-5.9 GHz differential LC VCO isdesigned using 0.35 µm SiGe BiCMOS process. The VCO has a tuning range of 1.5GHz, phase noise of -114 dBc/Hz at 1MHz offset and a power consumption of 49.5mW.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    517451

    Kablosuz haberleşme uygulamaları için j sınıfı güç kuvvetlendiricisi tasarımı

    Design of j class power amplifier for wireless communication applications

    ENGİN ÇAĞDAŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. METİN YAZGI

    DOÇ. DR. OĞUZHAN KIZILBEY

  2. Tez No

    439672

    High performance tunable active inductors for microwave circuits

    Mikrodalga devreleri için yüksek başarımlı ayarlanabilir aktif endüktörler

    HADI GHASEMZADEH MOMEN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2016

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. METİN YAZGI

    YRD. DOÇ. DR. RAMAZAN KÖPRÜ

  3. Tez No

    332414

    Doppler radar sistemleri için darbe üreten pın diyot alıcı-verici anahtar devresi tasarımı, üretimi ve analizi

    The design, manufacture and analysis of pin diode t/r switch as a pulse generator for doppler radar systems

    AHMET YAMAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiHava Harp Okulu Komutanlığı

    Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ERSİN GÖSE

    YRD. DOÇ. DR. AHMET ÖNCÜ

  4. Tez No

    809122

    A compact two stage GaN power amplifier design for sub-6GHz 5G base stations

    6GHz altı 5G baz istasyonuları için kompakt iki katlı GaN güç yükselteç tasarımı

    BURAK BERK TÜRK

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SERKAN ŞİMŞEK

    DR. ÖĞR. ÜYESİ HÜSEYİN ŞERİF SAVCI

  5. Tez No

    770384

    Yüksek güç elektroniği uygulamaları için GaN tabanlı FinFET yapısının optimizasyonu

    Optimization of GaN-based FinFET structure for high power electronics applications

    DOĞAN YILMAZ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Bilim ve TeknolojiGazi Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL

Geri Dön