Geri Dön

Fotovoltaik uygulamalar için sıçratma yöntemi ile üretilen ZnO ince filmlerde katkı elementlerinin etkisi

Etching of the thin films produced with sputtering method effects of the doping elements and photovoltaic applications

  1. Tez No: 488140
  2. Yazar: ÜMMÜ MUSTAFAOĞLU
  3. Danışmanlar: PROF. DR. AHMET KARAASLAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Enerji, Metalurji Mühendisliği, Energy, Metallurgical Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2017
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Yıldız Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Malzeme Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 125

Özet

Saydam iletken oksit filmler (SİO), yüksek elektriksel iletkenlik ve optik özelliklere sahip fotovoltaik malzemelerdir. Güneş pili, düz panel, dokunmatik ekran, kontrol paneli ve mimari uygulamarda kullanılmaktadırlar. Yüksek optik geçirgenlik ve elektriksel iletkenliklerinden dolayı fotovoltaik uygulamalarda güneş pillerinin ön ve arka yüzey elektrodu olarak tercih edilmektedirler. Saydam iletken oksitler arasından ZnO yüksek elektriksel ve optik özelliklerinin yanında, geniş bant aralığı, kolay bulunabilirlik, zehirli olmama gibi özellikleri sayesinde günümüzde SİO malzemesi olarak fazlasıyla tercih edilmektedir. ZnO kaplamalardan beklenen özelliklerin uzun vadede ve daha yüksek performanslarla sağlanabilmesi için katkı elementleri ilavesi yapılmaktadır. Çünkü kullanım alanı gün geçtikçe genişleyen ince filmlerden elde edilen performans oldukça önemli bir parametredir ve bu performans film üretim tekniği ve film büyütme sonrasında uygulanan işlemler ile doğrudan ilişkilidir. Bu nedenle ZnO filmlere Al ve Ga gibi element ilaveleri yapılmaktadır. ZnO filmleri birçok biriktirme tekniğiyle elde etmek mümkündür. Bu tekniklerden birisi olan manyetik alanda sıçratma; işlem kolaylığı, enerji tasarrufu ve elde edilen sonuçlar bakımından oldukça avantajlı bir yöntemdir. Fotovoltaik uygulamalarda kullanılacak olan ZnO, ZnO:Al ve ZnO:Ga ince filmlerin optik geçirgenlik, ışık tuzaklama kabiliyeti ve ışık saçılımı gibi özellikleri ne kadar yüksek olursa kullanıldıkları fotovoltaik sistemlerin verimi de o kadar artmaktadır. Ancak sıçratma sonrasında meydana gelen filmlerin yüzey yapıları pürüzsüz olduğu için ışık tuzaklama kabiliyetleri düşüktür. Bu nedenle, fotovoltaik sistemlerde verim sağlanması için film büyütme sonrasında yüzey pürüzlendirme işlemlerine ihtiyaç duyulmaktadır.. Yüzey pürüzlendirme sonucunda daha kaba yüzeyler elde edilmektedir ve kabalaşmış film yüzeyindeki kırılma indisi farkı sayesinde ışık tuzaklama kabiliyeti artmaktadır. Bu çalışmada, a-Si: H, a-Si: H katlı, a-Si: H/μc-Si: H gibi ince film kullanılan güneş pillerinde ihtiyaç duyulan uygun pürüzlülük, düşük özdirenç ve yüksek optik geçirgenlik gibi özelliklerin; film büyütme sonrasında uygulanan kimyasal yüzey pürüzlendirme işlemi ile karşılanabilmesi amaçlanmıştır. Büyütülen ve pürüzlendirilen ZnO:Al ve ZnO:Ga filmlerin özelleiklerinin tayini için çeşitli karakterizasyon yöntemleri kullanılmıştır. Filmlerin özdirenç ölçümleri için dört uçlu prob kullanılmıştır. Yüzey pürüzlülükleri atomic kuvvet mikroskobu (AFM) ile elde edilirken, kalınlık değerleri taramalı electron mikroskobu (SEM) yardımıyla ölçülmüştür. Optik geçirgenlik tayini için spektrofotometre (UV-VIS) kullanılmıştır. Pürüzlendirme sonucunda elde edilen filmlerin verimlilikleri, optik geçirim değerinin özdirence oranı ile elde edilen başarım ölçütü değeriyle hesaplanmıştır. Yüzey pürüzlendirme deneyleri sonucunda ZnO:Al ve ZnO:Ga filmlerin özdirenç değerleri x10-3 Ω.cm mertebesinde ölçülmüştür. NH4Cl ile pürüzlendirilen ZnO:Al filmlerin optik geçirim değerleri ortalama %83 ve yüzey pürüzlüğü ortalama (RMS) 18 nm'dir. HCl ile pürüzlendirilen ZnO:Al filmlerin ise geçirgenlik ve pürüzlülük değerleri ortalama %84 ve 9 nm'dir. ZnO:Ga filmlerin HCl ile pürüzlendirilmesi sonucunda filmlerin RMS değerleri ortalaması 24 nm ve optik geçirim değerleri ortalaması %84 olarak hesaplanmıştır. HF ile pürüzlendirme sonucunda ise ortalama RMS değeri 10,68 nm ve ortalama optik geçirgenlik değeri artışı %24 olarak ölçülmüştür. ZnO:Ga filmlerde pürüzlendirme etkisini arttırmak amacıyla %0,1'lik HCl çözeltisine HCl/HNO3 oranı 5:1, 4:1, 3:1 ve 2:1 olacak şekilde HNO3 ilavesi yapılmış ve filmler 15 saniye boyunca aşındırılmıştır. Elde edilen sonuçlar doğrultusunda HCl/HNO3 oranı 5:1, 4:1, 3:1 ve 2:1 olan çözeltilerde özdirenç değerleri sırasıyla 26,96 ×10-4 Ω.cm, 24,50 ×10-4 Ω.cm, 24,72 ×10-4 Ω.cm, 15,56×10-4 Ω.cm ve ortalama pürüzlülük değerleri 7,6 nm, 32,16 nm, 17,92nm ve 23,56 nm olarak ölçülmüştür. En yüksek pürüzlülük değeri 32,16 nm olarak elde edilen, 4:1 oranındaki HCl ve HNO3 ile hazırlanan çözelti ile pürüzlendirilen ZnO:Ga film, fotovoltaik uygulamaya aktarılmıştır.

Özet (Çeviri)

Transparent conductive oxide films (SIO) are photovoltaic materials with high electrical conductivity and optical properties. They are used in solar cell, flat panel, touch screen, control panel and architectural applications. Due to their high optical transparency and electrical conductivity, solar batteries are preferred as front and back surfaces in photovoltaic applications. Among the transparent conductive oxides, ZnO is highly preferred as TCO material due to its high electrical and optical properties as well as wide band gap, easy availability and non-toxicity properties. Doping elements are added in order to achieve the expected properties of ZnO coatings over long spans and higher performances. Because, the performance obtained from thin films that are used day by day is a very important parameter. This performance is directly related to the film production technique and the processes applied after the film enlargement. For this reason, element attachments such as Al and Ga are made in ZnO films. ZnO films can be obtained with many deposition techniques. One of these techniques, the magnetron sputtering; is a very advantageous method in terms of process simplicity, energy saving and the results obtained. The higher the properties of ZnO, ZnO: Al and ZnO: Ga thin films to be used in photovoltaic applications such as optical transparency, light trapping ability and light scattering, the higher the utilization of the photovoltaic systems they use. However, the films that come out after sputtering have a poor light trapping ability because the surface structures are smooth. For this reason, surface roughening processes are required after film magnification in order to obtain efficiency in photovoltaic systems. Surface roughening results in rough surfaces and increased light trapping capability due to the refractive index difference on the roughened film surface. In this study, properties such as a-Si: H, a-Si: H-layer, a-Si: H / μc-Si: H thin film solar cell with appropriate roughness, low resistivity and high optical transparency required; It is aimed to be able to cope with the chemical surface roughening applied after film deposition. Various characterization methods have been used to characterize the deposited and roughened ZnO: Al and ZnO: Ga films. Four-terminal probes were used for resistivity measurements of films. Surface roughness was obtained by atomic force microscopy (AFM), while thickness values were measured by scanning electron microscopy (SEM). Spectrophotometer (UV-VIS) was used for optical permeability determination. The efficiency of the films obtained as a result of the roughening is calculated by the value of the performance criterion obtained by the proportion of the optical transmission value. As a result of the surface roughening tests, the resistivity values of ZnO: Al and ZnO: Ga films were measured in the order of x10-3 Ω.cm. The optical transparency of NH4Cl-roughened ZnO: Al films averages 83% and the surface roughness average (RMS) is 18 nm. The transmittance and roughness values of HCl-roughened ZnO: Al films are 84% and 9 nm on average. As a result of the roughening of the ZnO: Ga films with HCl, the RMS values of the films were calculated to be 24 nm and the optical transmittance values averaged 84%.With HF roughening the average RMS value was measured to be 10.68 nm and the average optical transmittance value increase to be 24%.

Benzer Tezler

  1. Thin film coatings with various materials and techniques for smart glass applications

    Akıllı cam uygulamaları için farklı malzemeler ve tekniklerle ince film kaplamalar

    AYŞE DİCEL

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Bilim ve Teknolojiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ESRA ZAYİM

  2. Katodik ark plazma işlemi ile CrSi2 yarıiletken filmlerin üretimi

    CrSi2 semiconductor film production via cathodic arc plasma deposition

    BERİL KOZÇAZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFA ÜRGEN

  3. Synthesis and characterization of sbse thin films for photovoltaic applications

    Fotovoltaik uygulamalar için sbse ince film sentezi ve karakterizasyonu

    KÜBRA ÇELEN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    EnerjiHacettepe Üniversitesi

    Nanoteknoloji ve Nanotıp Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ABDULLAH CEYLAN

  4. ZnWSe2 alaşımların üretimi ve boya duyarlı güneş hücresinde karşıt elektrot uygulaması

    Fabrication of ZnWSe2 alloys and application as a counter electrode in dye-sensitized solar cell

    DURMUŞ ALİ ARI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Mühendislik BilimleriKaramanoğlu Mehmetbey Üniversitesi

    Mühendislik Bilimleri Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SEÇKİN AKIN

  5. Zinc oxide based transparent conductive oxide thin films deposited by R.F. magnetron sputtering for photovoltaic applications

    Çinko oksit alaşımlı saydam illetken oksit ince filmlerin fotovoltaik uygulamalar için R. F. manyetik sıçratma tekniğiyle biriktirilmesi

    NİLÜFER DUYGULU

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2013

    Metalurji MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Üretim Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AHMET EKERİM

    DOÇ. DR. ALP OSMAN KODOLBAŞ