2-6 GHz gallium nitride hemt mmic amplifier design
2-6 GHz gallium nitride hemt mmic yükselteç tasarımı
- Tez No: 714972
- Danışmanlar: PROF. DR. MEVLÜDE GÜLBİN DURAL ÜNVER
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2022
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 100
Özet
Geniş bant radyo frekansı güç yükselteçleri iletişim, radar ve elektronik harp gibi birçok sistemin kritik parçalarındandır. Çip boyutu, çıkış gücü, verimlilik ve güvenilirlilik bu elektronik sistemlerin performansının anahtar noktalarıdır. Sistem gereksinimlerini sağlamak için son zamanlarda Galyum Nitrür (GaN) HEMT teknolojisi sıklıkla kullanılmaktadır. GaN HEMT prosesi geniş bant aralığı özelliği sayesinde mikrodalga frekanslarında yüksek çıkış gücü, yüksek verimlilik ve güvenilirlilik performansı sağlamaktadır [1]. Bu tezde, 5 W çıkış güçlü, 40% yük ekli verimliliğine sahip 2-6 GHz GaN MMIC sürücü güç yükselteci tasarlanmıştır. Geniş bantlı yükselteçlerde, harmonik etkilerden kaynaklı olarak, istenmeyen performans düşüşleri gözlemlenebilir. İlk üretimde hedeflenen RF performanslarını elde edebilmek için, harmonikler dikkate alınarak, eşlemeler değiştirildi. Tasarım sırasında Advanced Design System (ADS) programı kullanılmıştır. Fabrikasyon ve ölçüm aşamaları da gerçekleştirilmiştir. Bu çalışmada, benzer örneklere kıyasla dikkate değer RF performansları elde edilmiştir.
Özet (Çeviri)
Wideband RF power amplifiers are critical components in many electronic systems such as communication systems, radars and electronic warfare systems. Chip size, output power, efficiency and reliability are key points of the performance of those electronic systems. Recently, Gallium Nitride (GaN) high electron mobility transistors (HEMTs) are widely used to satisfy system requirements. GaN HEMT process provides high output power, high efficiency and reliability performance at microwave frequencies due to its wide band gap properties [1]. In this thesis, 2-6 GHz GaN MMIC driver amplifier is designed with 5 W output power and 40% power added efficiency (PAE). In this type of broadband amplifiers, undesirable performance drops can be observed because of the harmonics effect. To achieve target RF performances in the first production, matchings are modified by considering harmonics. Advanced Design System (ADS) software program is used during design. Fabrication and measurement steps are also performed. In this work, remarkable RF performances are achieved compared with similar examples.
Benzer Tezler
- Design of GaN-based coplanar multi-octave band medium power MMIC amplifiers
GaN tabanlı 1 oktavdan fazla bant genişliğine sahip olan orta güçlü MMIC yükselteçlerin tasarımı
GÜLESİN EREN
Yüksek Lisans
İngilizce
2013
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü
PROF. DR. EKMEL ÖZBAY
- Design of an X-band GaN based microstrip MMIC power amplifier
X-bant GaN tabanlı mikroşerit MMIC güç yükselteci
ULAŞ ÖZİPEK
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EKMEL ÖZBAY
- Design considerations, modeling and characterization of GaN HEMTs and design of high frequency and high power MMIC amplifiers
GaN HEMT yapılarının tasarımı, modellenmesi ve ölçümleri, ve yüksek hızlı ve yüksek güçlü MMIC yükselteçlerin tasarımı
ÖMER CENGİZ
Yüksek Lisans
İngilizce
2011
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. OSMAN PALAMUTÇUOĞULLARI
- GaN HEMT based MMIC design and fabrication for ka-band applications
Ka-bant uygulamaları için GaN HEMT tabanlı MMIC tasarımı ve üretimi
BÜŞRA ÇANKAYA AKOĞLU
Yüksek Lisans
İngilizce
2020
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EKMEL ÖZBAY
- GaN based high efficiency class AB power amplifier design for sub-6GHz 5G transmitter systems
6GHz altı 5G verici sistemleri için GaN tabalı yüksek verimliliğe sahip AB sınıfı güç kuvvetlendiricisi tasarımı
KUDRET ÜNAL
Yüksek Lisans
İngilizce
2021
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA BERKE YELTEN