Geri Dön

Yarıiletkenlerde basınç etkileri

Pressure effects on semiconductors

  1. Tez No: 121523
  2. Yazar: AYDIN YOLAÇAN
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. ÇAĞLAR TUNCAY
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2002
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 87

Özet

ÖZ Yarıiletkenlerin modern teknolojide geniş kullanım alanı vardır. Yarıiletkenlerin elektronik özellikleri kristalin örgü yapısı ve atomik elektron dağılımıyla belirlenir. Bu çalışmada genellikle kovalent bağlı yarıiletkenlerin elektronik özellikleri ve bant yapısı çalışıldı. Kullanılan yarıiletkenlerde basınç etkileri, atom dizilişlerinin lineer kombinasyonlarında Tight-Binding Teori kullanılarak silisyum ve germanyum yarıiletkenleri çalışıldı. Tight -Binding Teoride yeni parametreler kullanıldı ve bulunan deneysel sonuçlar, teorik hesaplamalarla uygunluk içinde bulundu. Özel olarak literatürdeki sonuçlarla karşılaştırma yapıldı. Bu çalışmanın asıl amacı Tight-Binding Teorinin nasıl kullanıldığını, yeni elektronik özellikler ve yeni parametreler için teknolojik olarak göstermektir. ANAHTAR KELİMELER 1. Silisyum ve Germanyumun Enerji Bantları 2. Elastik Enerji Yoğunluğu 3. Bulk Modülü ve Sıkışabilirlik

Özet (Çeviri)

ABSTRACT Semiconductors are widely used in modern technology. The electronic properties are mainly defined by their atomic electron conficurations and the lattice structure into which they crysitallize. In the present thesis, covalently bonded elementary semiconductors, are worked generally, their electronic properties, bond gaps ect. Specificially pressure effects on one of the most widely used semiconductors, Si and Ge are studied using the Tight- Binding Theory in Linear Combinations of Atomic scheme. Some very recent parametrs are used in Tight-Binding Theory and the results obtained are found to be in fair agreement with other theoretical calculations and experemental result for of the materials studied. A spesicial comparison is also made with recent literature. Main aim of the present work is to display an example of how Tight-Binding Theory can be used to satisty the technological demands for new materials and new electronic properties. KEY WORDS 1. Energy Band of Silicion and Germanium 2. Elastic Energy Density 3. Bulk Modulus and Compressibility II

Benzer Tezler

  1. Kuantum ölçek etkileri altında termoelektrik ve termoölçek potansiyeller

    Başlık çevirisi yok

    SEVAN KARABETOĞLU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Enerjiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Enerji Bilim ve Teknoloji Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HACI OSMAN ALTUĞ ŞİŞMAN

  2. Doğal oksitli yarıiletkenlerden yapılan schottky diyotların farklı metotlarla incelenmesi ve karakteristik parametrelerinin belirlenmesi

    Investigation of schottky diodes made of native oxided semiconductors by various methods and identification of characteristic parameters

    H. ALİ ÇETİNKARA

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2002

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKırıkkale Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. D. MEHMET ZENGİN

    YRD. DOÇ. DR. ŞERAFETTİN EREL

  3. High field transport phenomena in wide bandgap semiconductors

    Geniş bant aralıklı yarı iletkenlerde yüksek elektrik alanı altında iletim olayları

    CEM SEVİK

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2003

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. CEYHUN BULUTAY

  4. Fotovoltaik hücrelerin ağsız radyal baz fonksiyonu kollokasyonu yöntemi ile sayısal modellemesi

    Numerical modelling of photovoltaic cells with the meshless radial basis function collocation method

    MURAT İSPİR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    EnerjiBursa Teknik Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ TAYFUN TANBAY

  5. Hidrostatik basınç altında düşük boyutlu yarıiletken sistemlerin elektronik ve optik özellikleri

    Electronic and optic properties of low dimensional semiconductor systems under hydrostatic stress

    METİN GÜNEŞ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2009

    Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    PROF. DR. HÜSEYİN SARI