Yarıiletkenlerde basınç etkileri
Pressure effects on semiconductors
- Tez No: 121523
- Danışmanlar: DOÇ. DR. ÇAĞLAR TUNCAY
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2002
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 87
Özet
ÖZ Yarıiletkenlerin modern teknolojide geniş kullanım alanı vardır. Yarıiletkenlerin elektronik özellikleri kristalin örgü yapısı ve atomik elektron dağılımıyla belirlenir. Bu çalışmada genellikle kovalent bağlı yarıiletkenlerin elektronik özellikleri ve bant yapısı çalışıldı. Kullanılan yarıiletkenlerde basınç etkileri, atom dizilişlerinin lineer kombinasyonlarında Tight-Binding Teori kullanılarak silisyum ve germanyum yarıiletkenleri çalışıldı. Tight -Binding Teoride yeni parametreler kullanıldı ve bulunan deneysel sonuçlar, teorik hesaplamalarla uygunluk içinde bulundu. Özel olarak literatürdeki sonuçlarla karşılaştırma yapıldı. Bu çalışmanın asıl amacı Tight-Binding Teorinin nasıl kullanıldığını, yeni elektronik özellikler ve yeni parametreler için teknolojik olarak göstermektir. ANAHTAR KELİMELER 1. Silisyum ve Germanyumun Enerji Bantları 2. Elastik Enerji Yoğunluğu 3. Bulk Modülü ve Sıkışabilirlik
Özet (Çeviri)
ABSTRACT Semiconductors are widely used in modern technology. The electronic properties are mainly defined by their atomic electron conficurations and the lattice structure into which they crysitallize. In the present thesis, covalently bonded elementary semiconductors, are worked generally, their electronic properties, bond gaps ect. Specificially pressure effects on one of the most widely used semiconductors, Si and Ge are studied using the Tight- Binding Theory in Linear Combinations of Atomic scheme. Some very recent parametrs are used in Tight-Binding Theory and the results obtained are found to be in fair agreement with other theoretical calculations and experemental result for of the materials studied. A spesicial comparison is also made with recent literature. Main aim of the present work is to display an example of how Tight-Binding Theory can be used to satisty the technological demands for new materials and new electronic properties. KEY WORDS 1. Energy Band of Silicion and Germanium 2. Elastic Energy Density 3. Bulk Modulus and Compressibility II
Benzer Tezler
- Kuantum ölçek etkileri altında termoelektrik ve termoölçek potansiyeller
Başlık çevirisi yok
SEVAN KARABETOĞLU
Doktora
Türkçe
2017
Enerjiİstanbul Teknik ÜniversitesiEnerji Bilim ve Teknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HACI OSMAN ALTUĞ ŞİŞMAN
- Doğal oksitli yarıiletkenlerden yapılan schottky diyotların farklı metotlarla incelenmesi ve karakteristik parametrelerinin belirlenmesi
Investigation of schottky diodes made of native oxided semiconductors by various methods and identification of characteristic parameters
H. ALİ ÇETİNKARA
Doktora
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiKırıkkale ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. D. MEHMET ZENGİN
YRD. DOÇ. DR. ŞERAFETTİN EREL
- High field transport phenomena in wide bandgap semiconductors
Geniş bant aralıklı yarı iletkenlerde yüksek elektrik alanı altında iletim olayları
CEM SEVİK
Yüksek Lisans
İngilizce
2003
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. CEYHUN BULUTAY
- Fotovoltaik hücrelerin ağsız radyal baz fonksiyonu kollokasyonu yöntemi ile sayısal modellemesi
Numerical modelling of photovoltaic cells with the meshless radial basis function collocation method
MURAT İSPİR
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
EnerjiBursa Teknik ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ TAYFUN TANBAY
- Hidrostatik basınç altında düşük boyutlu yarıiletken sistemlerin elektronik ve optik özellikleri
Electronic and optic properties of low dimensional semiconductor systems under hydrostatic stress
METİN GÜNEŞ
Doktora
Türkçe
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Bölümü
PROF. DR. HÜSEYİN SARI