Band-offset ratio calculations of nitrogen containing III-V quantum wells
Nitrojen içeren III-V kuantum kuyularının bant-derinlik oranının hesaplanması
- Tez No: 130867
- Danışmanlar: DOÇ. DR. BEŞİRE GÖNÜL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: III-V Yarıiletkenleri, nitrit, kuantum kuyu lazerleri, bant derinlik oranı, bant dizilişi IV, III-V Semiconductors, Nitrides, Quantum Well Lasers, Band-offset ratios, Band alignments. iii
- Yıl: 2003
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Gaziantep Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 69
Özet
¦#.? ÖZET NİTROJEN İÇEREN IH-V KÜVANTUM KUYULARININ BANT- DERİNLİK ORANININ HESAPLANMASI KOÇAK, Fatma Yüksek Lisans Tezi Fizik Mühendisliği Bölümü Tez Danışmanı: Doç. Dr. Beşire GÖNÜL Eylül 2003, 58 sayfa Bu tezde üç farklı yapıdaki lazer malzemesi (InGaAsP-InP, AlGalnAs-InP, ve GaInNAs-GaAs)'nin bant derinlik oranları hesaplandı ve karşılaştırması yapıldı. Teorik çalışmamız gösterdi ki Model Solid Teoriyi GalnNAs' m küçük nitrojen yoğunluğuna sahip olduğunda ve örgünün orijinal uzunluktaki değişiminin etkisi (strain) ile iletim bandındaki değişiklikleri içerip nitrojenin doğrudan etkisini ihmal ettiğimizde bant derinliğini hesaplamada kullanabiliriz. Ayrıca bu çalışmada yoğun olarak kullanılan InGaAsP den çok daha iyi bant dizilişine sahip alternatif lazer sistemlerini de hesapladık. Örgü sabitleri farklı olan tabakalar birbiri üzerine büyütüldüğünde orijinal örgü sabitinde germe ve sıkıştırma olmak üzere iki tür değişiklik oluşur ve buna orijinal uzunluğuna nazaran oluşan değişim (strain) denir. Kuyudaki değişim engele uygulanan değişimle nötürleştirilebilir (strain compensation), bu nötürleştirme işleminin yukarıda bahsettiğimiz üç lazer sisteme oldukça büyük fayda sağladığı çalışmalardan anlaşılmıştır. Bu işlem neticesinde bant derinliği arttığından elektron ve boşlukların daha iyi hapsolunması sağlanır, bu ise yüksek ısı işlemlerinde istenilen bir durumdur. Teorik hesaplamalarımız InGaAs'a nitrojen katmakla iletim bant derinlik oranında önemli bir artış ve yalıtım bant oranında da önemli bir azalma olduğunu göstermiştir. Bu sonuç nitrojen temelli lazer sistemlerine dikkate değer bir üstünlük sağlamaktadır.
Özet (Çeviri)
2fc^, ABSTRACT BAND-OFFSET RATIO CALCULATIONS OF NITROGEN CONTAINING III-V QUANTUM WELLS KOÇAK, Fatma M. Sc, Engineering Physics Department Supervisor: Assoc. Prof. Dr. Beşire GÖNÜL September 2003, 58 Pages A comparative study of the band-offset ratio of the three competing laser materials, namely InGaAsP-InP, AlGalnAs-InP, and GalnNAs-GaAs has been undertaken. Our theoretical study shows that model solid theory can be used to calculate the band offset ratios of the GalnNAs-GaAs for small nitrogen concentration including the effect of strain and modifications in conduction band but neglecting the direct effect of nitrogen. We have calculated that the alternative AlGalnAs and GalnNAs laser systems have substantially better band alignment than the commonly used InGaAsP. Strain compensation brings further benefits to that of the three competing laser systems. Therefore, high temperature operation has been anticipated in these alternative material systems with strain compensated barriers due to better electron and hole confinement as a result of the increased band offset and a more favourable band offset ratio. Our theoretical calculations indicate a significant increase in conduction band offset ratio and a decrease in valence band offset ratio with the introduction of nitrogen to InGaAs. This result highlights the intrinsic superiority of the N-based laser system.
Benzer Tezler
- A theoretical analysis of GaInNAs/GaAs quantum vells for long wavelength emission
GaInNAs/GaAs uzun dalgaboylu kuantum kuyu lazerlerin teorik olarak incelemmesi
MURAT ODUNCUOĞLU
Doktora
İngilizce
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. BEŞİRE GÖNÜL
- Çift farklı yapı seçimi ve kuantum iletkenlerinde uygulanması ile kuantum noktalı lazerin gelişiminin ve üstünlüklerinin incelenmesi
Double heterostructure selection and the application in quantum conductors for the investigation of the development of quantum dot lasers and their advantages
DAVUT OLGUN
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiKırıkkale ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SEDAT AĞAN
PROF. DR. İHSAN ULUER
- HDTV işaretlerinin uydu üzerinden iletiminde özel problemler
Special problems in transmitting the HDTV signals by satellite
RAMAZAN BAL
Yüksek Lisans
Türkçe
1991
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. BİNGÜL YAZGAN
- Termal analiz yöntemiyle küresel grafitli dökme demirlerin kalitesinin belirlenmesi
The Definition of the quality of ductile iron with the thermal analysis method
MEHMET AYPEK
Yüksek Lisans
Türkçe
1999
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FERİDUN DİKEÇ
- Betonarmede konstrüktif esaslar, detaylandırma ve donatım sanatı
Constructive requriements, detailing and the art of detailing for reinforced concrete elements
ENDER KARABACAK