CMOS class E pover amplifiers for wireless communications
Kablosuz iletişim için CMOS E sınıfı güç kuvvetlendiricileri
- Tez No: 142711
- Danışmanlar: PROF. DR. OSMAN PALAMUTÇUOĞULLARI
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2003
- Dil: İngilizce
- Üniversite: İstanbul Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
KABLOSUZ İLETİŞİM İÇİN CMOS E-SINIFI GÜÇ KUVVETLENDİRİCİLERİ ÖZET İletişimin insanlığın uygarlaşmasında önemli bir işlevi vardır. Son zamanlarda kablosuz iletişime olan ihtiyacın önemli ölçüde artması düşük maliyetli, düşük güçlü ve yüksek oranlarda etkin RF alıcılarının elde edilmesi için tetikleyici faktör olmuştur. Son zamanlarda, entegre devre RF alıcıları dizaynı çalışmaları, pek çok analog fonksiyonel bloğu tek bir silikon CMOS cipinde yer alacak şekilde daha yüksek seviyede entegrasyon gerçekleştirmek üzere yoğunlaşmıştır. Güç kuvvetlendiricileri (PA), RF alıcıları içerisinde en fazla güç sarfiyatının olduğu bölümdür ve düşük maliyetli CMOS teknolojisi ile henüz tam olarak entegre edilememiş fonksiyon bloklarından biridir. Güç kuvvetlendiricileri, iletim yolundaki son fonksiyonel blok olup; iletilen sinyali istenen iletim güç seviyesine getirmek işlevini görür. Genel olarak, güç kuvvetlendiricilerinin CMOS teknolojisi ile entegre edilmesi kuvvetlendiricinin etkinliliğini kısıtlamasından dolayı zordur. Bu çalışma, kablosuz iletişimdeki CMOS teknolojileri için tasarlanmış olan RF E-sınıfı güç kuvvetlendiricilerinin teorik analizini ve devre tekniklerini ele almaktadır. Teorik çalışma, şönt kapasitesi olarak parazitik savak kapasitesini kullanan RF E-sınıfı güç kuvvetlendiricileri tasarımı için bir sayısal metodu içermektedir. Yeni yaklaşım, kapasitelerin fiziksel özelliklerini baz almaktadır, bu yüzden herhangi bir kapasitans modeli ile sınırlanmamıştır. Lineer olmayan şönt kapasitesi ve sonlu DC -besleme endüktansmı kullanan RF E-sınıfı güç kuvvetlendiricileri için ana frekansta ve ikinci harmonikte basit empedans uydurma önerilmektedir. IX
Özet (Çeviri)
CMOS CLASS-E POWER AMPLIFIERS FOR WIRELESS COMMUNICATION SUMMARY Communication is an important drive of human civilization. Recently, the demand for wireless communication has been increasing rapidly. Such demand encourages the pursuit of low cost, low power and highly efficient radio frequency (RF) transceivers. Recent efforts in the design of integrated circuits for RF communication transceivers have focused on achieving higher levels of integration by including more and more analog functional blocks onto a single silicon CMOS chip. The power amplifier is the most power-consuming part in RF transceivers and it is one of the RF functional blocks that has not yet been successfully integrated in a low-cost CMOS technology. The PA is the final functional block in the transmit path; its function is to amplify the signal to be transmitted to the required transmit power level. In general, PAs are difficult to integrate in CMOS because of technology limitations that severely limit the efficiency of the PA. This thesis describes theoretical analysis and circuit techniques for the design of RF Class E power amplifiers for wireless communications in CMOS technologies. The theoretical work in this thesis is developed into a numerical method for designing RF Class E power amplifiers with parasitic drain capacitance of a MOS transistor. The new theory is based on physical properties of capacitors and thus not restricted to any capacitance model. Simple load matching at the fundamental frequency and the second harmonic is suggested for Class E power amplifiers with both non-linear shunt capacitance and finite DC-feed inductance.
Benzer Tezler
- CMOS class-e power amplifier modelling and design including channel resistance effects
CMOS e-sınıfı güç yükselticinin kanal direnç etkilerini içeren modellemesi ve tasarımı
İBRAHİM DEMİR
Yüksek Lisans
İngilizce
2004
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ŞİMŞEK DEMİR
PROF. DR. CANAN TOKER
- A 432 MHZ class-d power amplifier with 60%power efficiency for wireless capsule endoscopy
Kablosuz kapsül endoskopi için %60 verimli432 MHZ d-sinifi güç kuvvetlendiricisi
FERHAT ÖZTÜRK
Yüksek Lisans
İngilizce
2023
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA BERKE YELTEN
- Aktif ota-C filtrelerinde uygun oto problemi
The Suitable ota problem for second-order ota-c filters
LEVENT ÖĞDÜM
Yüksek Lisans
Türkçe
1995
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. HAKAN KUNTMAN
- Improvements of CMOS hall sensors for current sensing applications
Akım ölçüm uygulamaları için CMOS hall sensörü geliştirmeleri
ALPER GİRGİN
Doktora
İngilizce
2025
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. TUFAN COŞKUN KARALAR
- Differential power analysis attack on a FPGA implementation of TEA
TEA uygulamasının FPGA gerçeklemelerine karşı diferansiyel güç analizi saldırısı
KENAN TÜRKSOY
Yüksek Lisans
İngilizce
2013
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BERNA ÖRS YALÇIN