Geri Dön

Coolmos güç transistörlerinin elektromanyetik girişim başarımının deneysel ve benzetimle karşılaştırmalı analizi

The comparative analysis of electromagnetic interference performance of coolmos power transistors with experimental method and simulation

  1. Tez No: 152068
  2. Yazar: GÖKÇEN ÇETİNEL
  3. Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. GALİP SARAÇOĞLU
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: CoolMOS, Elektromanyetik Girişim, PSPICE, CoolMOS, Electromagnetic Interference, PSPICE
  7. Yıl: 2004
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Erciyes Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 46

Özet

Ill COOLMOS GUÇ TRANSISTÖRLERININ ELEKTROMANYETİK GİRİŞİM BAŞARIMININ DENEYSEL VE BENZETİMLE KARŞILAŞTIRMALI ANALİZİ ÖZET Bu tezde yeni nesil güç transistörl erinden CoolMOS'un elektromanyetik girişime karşı alınganlığı deneysel olarak ve benzetimle incelenmiştir. Tezin amacı, son dönemlerde birçok avantajlarından dolayı tercih edilen CoolMOS güç transistörlerinin bütün elektronik devrelerde ve cihazlarda dikkate alınması gereken elektromanyetik girişime karşı ne kadar alıngan olduğunu incelemektir. Ayrıca bu çalışmada CoolMOS güç transistörlerinin avantaj ve dezavantajları ortaya konulmuş ve şimdiye kadar birçok elektronik devrede yaygın olarak kullanılan diğer transistörler ile ( BJT, geleneksel güç MOSFET'i, IGBT) genel bir karşılaştırma yapılmıştır. Benzetim çalışmaları için PSPICE kullanılmıştır. Bu program vasıtasıyla iletilen emisyonların frekans sahası olan 450KHz-30MHz aralığında altı ayrı frekanslı elektromanyetik girişim işareti CoolMOS güç transistorunun kapı ucundan uygulanmıştır. Elde edilen benzetim sonuçları aynı model kullanılarak elde edilen deney sonuçları ile karşılaştırılmıştır. Deneylerde CoolMOS'un birinci nesil güç transistörlerinden SPP04N60S5, üçüncü nesil transistörlerinden SPP04N60C3 ve geleneksel bir güç MOSFET'i kullanılmıştır. Sonuç olarak, CoolMOS transistörlerinin özellikle üçüncü nesil transistörlerin elektromanyetik girişimden birinci nesil bir CoolMOS transistörüne ve geleneksel bir güç MOSFET'ine göre daha az etkilendiği görülmüştür. Bu sonuçlar farklı akıtıcı voltajları ve farklı girişim işareti frekansları için ayrıntılı olarak açıklanmıştır. Ayrıca benzetim sonuçları ile deneysel sonuçlar arasında bir uyum olduğu gözlenmiştir.

Özet (Çeviri)

IV THE COMPARATIVE ANALYSIS OF ELECTROMAGNETIC INTERFERENCE PERFORMANCE OF COOLMOS POWER TRANSISTORS WITH EXPERIMENTAL METHOD AND SIMULATION ABSTRACT In this dissertation, electromagnetic susceptibility of CoolMOS, new generation power transistor, is studied with experimental method and simulation. The aim of dissertation is to study how is the susceptibility of most preferred CoolMOS against electromagnetic interference that must be considered in all electronic circuits and devices. Also in this study, advantages and disadvantages of CoolMOS power transistors are presented and a general comparison is made with other transistors (i.e. BJT, conventional power MOSFET, IGBT) that commonly used in many electronic circuits. For simulations PSPICE is used. By using this software on 450KHz-30MHz frequency margin which is the range of conducted emissions, the electromagnetic interference signal with six different frequencies are injected to the gate of CoolMOS power transistor. Simulation results are compared with experimental results, obtained by using the same model. In experiments, the first generation transistors of CoolMOS power transistor SPP04N60S5, third generation of CoolMOS SPP04N60C3 and a conventional power MOSFET is used. As a result it is seen that, in comparison with first generation CoolMOS transistor and a conventional power MOSFET especially third generation of CoolMOS transistors are less affected from electromagnetic interference. These results are explained for different drain voltages and different interference signal frequencies. Also a coincidence is seen between simulation results and experimental results.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    689206

    Silisyum karbür güç yarı iletkenlerine dayalı yüksek verimli da-da çevirgeç uygulamaları

    Silicon carbide power semiconductor based high efficiency dc-dc converter applications

    SERKAN ÖZTÜRK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiHacettepe Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. IŞIK ÇADIRCI

Geri Dön