İletken polimer/p-Si diyortlarının üretimi ve elektriksel özellikleri
Electrical proporties and production of conducting polymer/p-Si diodes
- Tez No: 177656
- Danışmanlar: PROF. DR. ENİSE AYYILDIZ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Metal-yarıiletken kontak, Schottky diyot, elekropolimerizasyon, polianilin, polimerizasyon, PANI/p-Si diyot, Metal-semiconductor contact, Schottky diode, electropolimerization, polyaniline, polimerization, PANI/p-Si diode
- Yıl: 2007
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Erciyes Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 114
Özet
Sn/PANI/p-Si/Al diyotları kimyasal olarak temizlenmis p-Si altlıklar üzerine anilinin elektrokimyasal polimerizasyonu ile üretildi. 140-280 K sıcaklık aralığında ölçülen Sn/PANI/p-Si/Al diyotlarının akım-voltaj karakteristikleri incelendi. Bu devre elemanları açıkça doğrultucu olmasına rağmen, devre elemanlarının akım-voltaj (I-V) karakteristikleri ideal değildir. Bu ise I-V karakteristiklerinin, yarı logaritmik grafiklerdeki lineer olmayan davranıstan dolayıdır. Numune sıcaklığına bağlı olarak idealite faktörü n'nin yüksek değerleri daha yüksek doğru beslem gerilim değerlerinde ince PANI film içine uzay yükü enjeksiyonundan dolayı akımdaki eksponansiyel artma oranının azalmasına bağlanabilir. Log-log skalasındaki doğru beslem I-V karakteristiklerinin dikkatli analiz edilmesiyle, yüksek gerilimlerde PANI/p-Si diyotlarındaki akım üzerinde valans bandı kenarı üzerindeki üstel bir tuzak dağılımıyla kontrol edilen uzay yüküyle sınırlandırılmıs akımın baskın olduğu görüldü. Ayrıca, elde edilen Sn/PANI/p-Si/Al diyotlarının akım-voltaj karakteristikleri ile referans olarak üretilen Sn/p-Si/Al diyotlarının akım-voltaj karakteristikleri karsılastırıldı.
Özet (Çeviri)
Sn/PANI/p-Si/Al heterojunctions were fabricated by electropolymerization of aniline on chemically cleaned p-Si substrate. Current-voltage characteristics of Sn/PANI/p-Si/Al heterojunctions measured in the temperature range 140-280 K were presented and analyzed. Although these devices were clearly rectifying, their I-V characteristics were non-ideal which can be judged from the non-linearity in the semi-logarithmic plots. The high values of the ideality factor n depending on the sample temperature may be ascribed to a decrease of the exponentially increasing rate in current due to space-charge injection into the PANI thin film at higher forward bias voltage. Careful analysis of the forward bias I-V characteristics on log-log scale indicates that the space-charge-limited current conduction controlled by an exponential trap distribution above the valence band edge dominates the current transport in the PANI/p-Si diodes at high voltages. Furthermore, current-voltage characteristics of obtained Sn/PANI/p-Si/Al diodes were comparisoned with current-voltage characteristics of generated as reference Sn/p-Si/Al diodes.
Benzer Tezler
- Si yarıiletkeni üzerine iletken polimer kaplanarak oluşturulmuş schottky diyotların özelliklerinin incelenmesi
Investigation of the properti̇es of schottky diodes fabri̇cated by coati̇ng a conducti̇ve polymer on si̇li̇con semi̇conductor
AHMAD ASİMOV
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiUludağ ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUHİTDİN AHMETOĞLU
- Al/P2ClAn(C2H5COOH)/p-Si/Al yapılarda elektriksel parametrelerin sıcaklığa bağlılığı
The temparature dependence of electrical parameters for Al/P2ClAn(C2H5COOH)/p-Si/Al structure
ZEYNEP KOTAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. AHMET FARUK ÖZDEMİR
- Polipirol/P-Si/Al diyodunun karakteristik parametrelerinin zamana bağlılığı
The Effects of the time-dependent on the characteristics parameters of polypyrrole/P-type Si/Al diode
DEMET KORUCU
Yüksek Lisans
Türkçe
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA SAĞLAM
- Au/p-Si yapılarının elektriksel özellikleri üzerine arayüzey tabakasının etkisi
The effect of interface layer on the electrical characteristics of au / p-Si structures
MİNE KESKİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ENİSE AYYILDIZ
- Al/MA/p-Si yapıların elektriksel özelliklerinin farklı metodlarla incelenmesi
Investigation of electrical properties of Al/MA/p-Si structures with different methods
ALİ ÖZBAY
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEMA BİLGE OCAK