Geri Dön

Photoluminescence study of Ge-implanted GaSe and InSe crystals grown by bridgman method

Bridgman yöntemi ile büyütülmüş GaSe ve InSe kristallerinin fotolüminesans çalışması

PDF İndir

  1. Tez No: 180881
  2. Yazar: SEDA BİLGİ
  3. Danışmanlar: PROF.DR. BÜLENT AKINOĞLU, PROF.DR. RAŞİT TURAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Bridgman tekniği, GaSe, InSe, iyon ekme, fotolüminesansspektroskopisi.vii, Bridgman technique, GaSe, InSe, ion implantation, photoluminescencespectroscopy.v
  7. Yıl: 2006
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 105

Özet

ÖZBRİDGMAN YÖNTEMİ İLE BÜYÜTÜLEN Ge-EKİLMİŞ GaSe VEInSe TEK KRİSTALLERİNİN FOTOLÜMİNESANS ÇALIŞMASIBilgi, SedaYüksek Lisans, Fizik BölümüTez Yöneticisi: Prof. Dr. Bülent G. AkınoğluOrtak-Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Raşit TuranAğustos 2006, 90 sayfaBu çalışmada, 3-bölgeli dikey Bridgman-Stockbarger düzeneği ile büyütülmüşkatkılanmamış, 1013, 1014 ve 1015 iyon/cm2 dozlarıyla Ge ekilmiş ve 1015 iyon/cm2Ge ekilmiş ve tavlanmış GaSe ve InSe tek kristallerin fotolüminesans spektroskopisiincelenmiştir. Katkılanmamış ve üç farklı dozda Ge-ekilmiş GaSe ve InSeörneklerinin fotolüminesansı 570-850 nm dalga boyu ve 21 ile 110 K sıcaklıkaralıklarında çalışılmıştır. Bütün gözlenen piklerin sıcaklık bağımlılıkları en yüksekenerjiye sahip pikin eksitonik kökenli olduğunu ve diğer bantların büyük kısmınınverici-alıcı çifti rekombinasyonundan kaynaklandığını ortaya çıkarmıştır.1013 ve 1015 iyon/cm2 Ge ekilmiş GaSe örneklerinin fotolüminesans spektrumlarıdört emisyon bandı gösterirken ekilmemiş ve 1014 iyon/cm2 Ge ekilmiş örnekler içinfotolüminesans spektrumu üç bant içermektedir. Emisyon bantlarının değişimisıcaklığın fonksiyonu olarak çalışılmıştır. Katkılanmamış, 1013 ve 1014 iyon/cm2 Geviekilmiş GaSe için emisyon piklerinin şiddetleri benzerlikler gösterirken, 1015iyon/cm2 Ge ekilmiş örneğin pik şiddeti sıcaklıkla beraber düzenli olarak düşmüştür.Pik şiddetlerinin ve enerji değerlerinin sıcaklıkla beraber değişimini kullanarakaktivasyon enerjileri elde edilmiştir ve bu sonuçlar 1013 ve 1015 iyon/cm2 dozlarındaGe ekilmiş örnekler için düşük dalga boylu iki bandın eksitonik kökenli olduğunuortaya çıkarmıştır. Benzer sonuçlar 1015 iyon/cm2 Ge ekilmiş ve tavlanmış örnekiçinde elde edilmiştir. Bu örneklerde gözlenen diğer iki pik verici-alıcı çiftirekombinasyonuna yorulmuştur.Ek olarak, direk yasak enerji bantları ekilmemiş örnek için 32 K' de 2.12 eV, 1013iyon/cm2 Ge ekilmiş için 25 K' de 2.121 eV, 1014 iyon/cm2 Ge ekilmiş için 21 K' de2.121 eV, 1015 iyon/cm2 Ge ekilmiş GaSe örneği için 33 K' de 2.124 eV ve sonolarak 1015 iyon/cm2 Ge ekilmiş ve tavlanmış örnekte 28 K' de 2.113 eVbulunmuştur.Katkılanmamış, 1013, 1014, 1015 iyon/cm2 Ge ekilmiş ve 1015 iyon/cm2 Ge ekilmiş vetavlanmış InSe örneklerinin fotolüminesans spektrumları 20 K'de elde edilmiştir.Bütün InSe kristallerinin spektrumunda iki geniş bant elde edilmiş ve bunlarınmalzemedeki safsızlık düzeylerinden kaynaklandığı düşünülmüştür.

Özet (Çeviri)

ABSTRACTPHOTOLUMINESCENCE STUDY OF Ge-IMPLANTED GaSe AND InSeSINGLE CRYSTALS GROWN BY BRIDGMAN METHODBilgi, SedaM.Sc., Department of PhysicsSupervisor: Prof. Dr. Bülent G. AkınoğluCo-Supervisor: Prof. Dr. Raşit TuranAugust 2006, 90 sayfaIn this study, photoluminescence properties of as grown, Ge implanted GaSe andInSe crystals with doses 1013, 1014, and 1015 ions/cm2 and 1015 ions/cm2 Geimplanted and annealed GaSe and InSe single crystals grown by using 3-zonevertical Bridgman-Stockbarger system have been studied by photoluminescencespectroscopy (PL). PL spectra of as grown and implanted GaSe samples with threedifferent doses have been studied in the ranges within the wavelength interval 570-850 nm and in the temperature ranges between 21 and 110 K. Temperaturedependencies of all observed bands revealed that the peak with highest energy hasexcitonic origin and most of the others originate from donor-acceptor pairrecombination.For GaSe samples implanted with 1013 and 1015 ions/cm2 Ge, PL spectra exhibitedfour emission bands while for as grown and the sample implanted with 1014 ions/cm2ivGe had three bands. Variations of emission peaks were studied as a function oftemperature. It was observed that centers of all bands shifted towards redcontinuously with temperature. The intensities of the emission peaks showedsimilarities with those obtained from as grown, 1013 and 1014 ions/cm2 Ge implantedGaSe while the peak intensities of the sample implanted with 1015 ions/cm2 Gedecreased with the temperature continuously.Using the temperature variation of the peak intensities and peak energy valuesactivation energies were obtained and these results revealed that the two bands withlow wavelength to be excitonic origin for the implanted samples with the doses 1013and 1015 ions/cm2 Ge. Similar results were obtained for the implanted with 1015ions/cm2 Ge and annealed sample. The other two peaks observed for these sampleswere attributed to donor acceptor pair transitions.In addition, direct band gaps were found to be 2.12 eV at 32 K for as grown, 2.121eV at 25 K for 1013 ions/cm2 Ge implanted, 2.121 eV at 21 K for 1014 ions/cm2 Geimplanted, 2.124 eV at 33 K for 1015 ions/cm2 Ge implanted GaSe samples and lastly2.113 eV at 28 K for 1015 ions/cm2 Ge implanted and annealed GaSe.PL spectra of as grown, 1013, 1014, 1015 ions/cm2 Ge implanted, and 1015 ion/cm2 Geimplanted and annealed InSe samples were also obtained at 20 K. Two broad bandswere observed in the spectrum of all InSe crystals and considered to be due toimpurity levels within the materials.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    153649

    Formation of semiconductor nanocrystals in SiO2 by ion implantation

    SiO2 içinde yarıiletken nanokristallerin iyon ekme tekniği ile oluşturulması

    UĞUR SERİNCAN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2004

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. RAŞİT TURAN

  2. Tez No

    688183

    Design and fabrication of strained light emitting germanium microstructures by liquid phase epitaxy

    Sıvı faz epitaksi yöntemiyle geliştirilmiş çekme gerinimli ışık saçan germanyum microyapılarının tasarımı ve üretimi

    BUSE ÜNLÜ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Mikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SELÇUK YERCİ

    DR. ÖĞR. ÜYESİ ÇİÇEK HATİCE BOZTUĞ YERCİ

  3. Tez No

    603583

    A theoretical study of strained monolayer transition metal dichalcogenides based on simple band structures

    Tek katmanlı gerinimli geçiş metali kalkojenitleri için basit bant yapısına dayalı kuramsal bir çalışma

    SHAHNAZ AAS

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. CEYHUN BULUTAY

  4. Tez No

    343928

    PECVD tekniği ile büyütülmüş ince filmlerde oluşan Si, Ge ve SiGe nanokristallerin geçirgen elektron mıkroskobu (TEM), Raman, fotoışıma ve esr spektroskopisi teknikleri ile incelenmesi

    Transmission electron microscopy, Raman, photoluminescence and electron spin resonance characterization of Si,Ge and SiGe nanocrystals in thin films synthesized by plasma enhanced chemical vapor deposition

    BÜNYAMİN ŞAHİN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKırıkkale Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEDAT AĞAN

  5. Tez No

    861061

    Solution-processed thin film deposition and characterization of multinarychalcogenides: Towards highly efficient Cu2BaSn(S,Se)4 solar devices

    Solüsyon yöntemiyle sentezlenmiş çok elementli kalkojenitlerin ince film kaplama ve karakterizasyonu: Yüksek verimli Cu2BaSn(S,Se)4 bazlı güneş soğuran cihazlara doğru

    BETÜL TEYMUR

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    EnerjiDuke University

    Malzeme Bilimi ve Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. DAVİD B.MİTZİ

Geri Dön