Geri Dön

Isıl olarak tavlanmış Ni/n-GaAs/In schottky diyotların deneysel karakteristiklerinin engel inhomojenlik modeline göre belirlenmesi

Determination according to barrier inhomogeneity of experimental characteristics of thermally annealed Ni/n-GaAs/In schottky barrier diodes

PDF İndir

  1. Tez No: 185481
  2. Yazar: HÜLYA DOĞAN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ABDÜLMECİT TÜRÜT
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: GaAs, Termal tavlama, Schottky engel inhomejenliği, Schottky engelyüksekliği, Metal- yarıiletken kontaklar.i, GaAs, Thermal annealing, Schottky barrer inhomogeneities, Schottky barrierheight, Metal-semiconductor contacts.ii
  7. Yıl: 2006
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 98

Özet

Yaklaşık olarak 7,3x10 cm taşıyıcı yoğunluğuna sahip n-tipi GaAs kristali kullanılarak aynışartlarda 8 adet Ni/n-GaAs/In Schottky engel diyotları (SED) hazırlanmıştır. Ni/n-GaAs/InSED'ları 2000C'den 7000C'ye kadar tavlandıktan sonra, diyotların termal kararlılığı akımgerilim (I-V) karakteristikleri kullanılarak araştırılmıştır. Schottky engel yüksekliği (SEY) veidealite faktörü değerleri, sırasıyla, 0.853±0.012 eV ve 1.061±0.007'den (referans diyot için)0.785±0.002 eV ve 1.209±0.005'e (6000C'de tavlanan numune için) kadar değişmiştir.Tavlanmamış numunenin (referans diyot) idealite faktörü için 1.061±0.007'lik bir ortalamadeğeri, bu Schottky kontağın ideale yakın bir davranış gösterdiğine işaret eder. 400oC'ye kadaridealite faktörünün değeri hemen hemen sabit kalmıştır. Bu diyotların I-V karakteristikleri7000C'lik tavlamada bozulmuştur. Schottky diyotların hem 4000C'deki I-V karakteristikleri vehem de 6000C'deki I-V karakteristikleri birbiriyle çakışmıştır. Bu durum, Ni/n-GaAs arayüzeyiboyunca akımın, tavlama etkisinden dolayı oluşan aynı engel yükseklikli patch'lerden(küçüklokal bölgeler) akmasına atfedilebilir. 500oC'deki değerlere göre, 600oC'deki idealitefaktörünün değeri azalmış ve SEY'in değeri artmıştır. Bu durum, 600oC'de son reaksiyonürünleri olan NiAs and NiGa vasıtasıyla ortaya çıkabilir. Literatürde bahsedildiği gibi, GaAs'takontak yapılan NiGa ısısal olarak kararlı bir faz oluşturur. Engel yüksekliği inhomojenliği vepatch modeli hesaplamalarından, diyotların doğru beslem homojen SEY'lerinin tersbesleminkilerden daha büyük değerler verdiği görülmüştür. Bu, Ni/n-GaAs/In SED'larında,pinch-off (kısılma) ters beslem altında durulmaya uğrarken, yüksek engel elektrotunun doğrubeslem altında pinch-off edilmiş olmasından (artmasından) ileri gelebilir. Pinch-off modelinde,homojen olmayan bir Schottky kontak doğru beslem altında yüksek engel kontağı olarak ve tersbeslem altında düşük engel kontağı olarak çalışabilir. Son zamanlarda, pinch-off (kısılma) doğrubeslem altında azaltılırken veya durulmaya uğratılırken, düşük engel elektrodunun ters beslemaltında artabileceği rapor edildi. Ni/n-GaAs/In Schottky diyotlarında, pinch-off`un ters beslemaltında durulmaya uğradığı ve doğru beslem altında yüksek engel elektrotun pinch-off olduğukanaatine varılmıştır.2006, 84 Sayfa

Özet (Çeviri)

It has been identically prepared as many as eight Ni/n-GaAs/In Schottky barrier diodes (SBDs)15 -3using an silicon doped n-GaAs substrate with a doping density of about 7.3x10 cm . Thethermal stability of the Ni/n-GaAs/In Schottky diodes has been investigated using current-o ovoltage (I-V) techniques after annealed for 1 min in N2 atmosphere from 200 C to 700 C. ForNi/n-GaAs/In SBDs, the Schottky barrier height (SBH) and ideality factor values range from0.853±0.012 eV and 1.061±0.007 (for as-deposited sample) to 0.785±0.002 eV and 1.209±0.005(for 600oC annealing). The ideality factor values remained about unchanged up to 400oCannealing. The I-V characteristics of the devices deteriorated at 700oC annealing. An averageideality factor value of 1.061±0.007 for as-deposited sample says that the device has a nearly-ideal Schottky contact. The ideality factor value decreased and SBH value at 600oC increasedwith respect to the value at 500oC, it has reported that NiAs and NiGa are the final reactionproducts at 600oC and a codeposited film of NiGa should result in thermally stable single-phasecontact to GaAs. Furthermore, it has been seen that pinch-off model plays an important role inelectron transport. From barrier inhomogeneity or patch model calculations, it has been obtaineda higher homogeneous barrier height under forward bias than under reverse bias. The modelsuggests that the pinch off is stronger under forward bias than under reverse bias, and underreverse bias, the pinch off may eventually be relaxed. So, one may reach the conclusion that thehomogeneous barrier height should be higher under forward bias than under reverse bias. But aspinch-off model suggests that an inhomogeneous Schottky contact may behave like a high-barrier contact under forward bias and a low-barrier contact under reverse bias. It has beenconcluded that the low-barrier electrode is pinched off under forward bias while the pinch off isrelaxed under reverse bias in Ni/n-GaAs/In SBDs under consideration.2006, 84 Pages

Benzer Tezler

  1. Tez No

    244764

    Saçtırma yöntemiyle hazırlanan Ni/n-GaAs Schottky engel diyotların karakteristik parametrelerinin tavlama ve numune sıcaklığına bağlı değişimleri

    Effects of sample temperature and thermal annealing on characteristic parameters of sputtered Ni/n-GaAs Schottky barrier diodes

    NEZİR YILDIRIM

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2009

    Bilim ve TeknolojiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ABDÜLMECİT TÜRÜT

  2. Tez No

    601308

    Effect of diffusion annealing on the surface properties of hot dip aluminized Inconel 718 superalloy

    Sıcak daldırma yöntemiyle alüminyum kaplanmış Inconel 718 süperalaşımının yüzey özelliklerine difüzyon tavlamasının etkisi

    BURÇ GÜLEÇ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MURAT BAYDOĞAN

  3. Tez No

    98502

    Li2O - ZnO - Al2O3 camlarının kontrollü kristalizasyonu ve cam seramiklerin karakterizasyonu

    The Controlled crystallization of Li2O - ZnO - Al2O3 - SiO2 glasses and the characterization of glass ceramics

    ENGİN MAYTALMAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1999

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ERDEM DEMİRKESEN

  4. Tez No

    673384

    AISI D2 soğuk iş takım çeliklerinin darbeli kayma aşınma davranışına mikroyapının etkisi

    The effect of microstructure on impact sliding wear behavior of AISI D2 cold work tool steels

    HALİL İBRAHİM FİLİZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MURAT BAYDOĞAN

  5. Tez No

    348412

    Nd2O3 katkılanmış Bi2Sr2CaCu2Oy süperiletkeninin elektriksel, mikroyapı ve mekanik karakterizasyonu

    The characterization of electrical, structural and mechanical properties of Nd2O3 doped Bi2Sr2CaCu2Oy superconductor

    MURAT COŞKUNYÜREK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKastamonu Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ÖZGÜR ÖZTÜRK

Geri Dön