Geri Dön

Yarı iletken güç elemanlarının bilgisayar benzeşimi

Computer simulation of semiconductor power devices

  1. Tez No: 199136
  2. Yazar: MEHMET SERHAT KESERLİOĞLU
  3. Danışmanlar: PROF.DR. HASAN HÜSEYİN ERKAYA
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2007
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Eskişehir Osmangazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 110

Özet

ivYARIİLETKEN GÜÇ ELEMANLARININ BİLGİSAYAR SİMÜLASYONUM. Serhat KESERLİOĞLUÖZETBu çalışmada yarıiletken güç elemanlarının bilgisayar simülasyonu ele alındı.Simülasyon için Sonlu Farklar Yöntemi kullanıldı. İki-boyutlu sayısal simülasyonsonuçları olarak taşıyıcı yoğunlukları, potansiyel değişim ve elektrik alan gibi fizikselbüyüklüklere ait iki-boyutlu grafikler ve elemanı tanımlayan akım-gerilimkarakteristikleri elde edildi. Simülasyon programından yararlanılarak bir yarıiletken güçelemanı olan IGBT için karma bir model geliştirildi. Model IGBT'nin ?MOSFET + PiNDiyot? eşdeğer devre modeline dayanmaktadır ve PiN yapının simülasyonu ileMOSFET için ideal büyük işaret eşdeğerinin kullanılmasını birleştirmektedir. Karmamodelin uygulaması olarak IGBT'nin doğru akım ve gerilim karakteristikleri eldeedildi.

Özet (Çeviri)

vCOMPUTER SIMULATION OF SEMICONDUCTOR POWER DEVICESM. SERHAT KESERLİOĞLUSUMMARYSemiconductor power switches were simulated on the computer. The finitedifferences method was used for the simulation. With two dimensional simulations,carrier concentrations, potential distribution and electric field intensity were obtained.For the current-voltage characteristics of the IGBT power switch, a hybrid model wasdeveloped. The model is based on a MOSFET + PiN diode combination. The PiN diodestructure was simulated with the finite differences model while an analytical model forthe MOSFET was used. The DC characteristics of the IGBT were obtained with thismodel.

Benzer Tezler

  1. Güç elektroniği devrelerinin bilgisayar destekli analizi

    The analysis with supported computer of power electronic circuits

    NESLİHAN ŞAHİN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2006

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiFırat Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. MELİH CEVDET İNCE

  2. Senkron alçaltan çeviricide farklı anahtarlarla başarım karşılaştırılması

    A comparison of different types of switches used in synchronous buck converter design

    GÖZDE YILDIRIM KUYUMCU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. DERYA AHMET KOCABAŞ

  3. Güç sistemlerinde bilgisayar destekli harmonik yük akışı uygulaması

    An application of computer-aided harmonic load flow in power systems

    ÖMER KOLSAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOndokuz Mayıs Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. MUAMMER ÖZDEMİR

  4. Güç elektroniği devrelerinde doğrusal olmayan olayların kaotik analizi ve kontrolü

    Chaotic analysis and control of nonlinear phenomena in power electronics circuits

    SELÇUK EMİROĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSakarya Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. YILMAZ UYAROĞLU

  5. Layout techniques for analog building blocks and application to an adaptive output buck converter

    Analog serim tekniklerı ve uyarlanabilen çıkış alçaltıcı dönüştürücüye uygulanması

    FAİK MEVLÜT DURMAZ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2016

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. METİN YAZGI