Geri Dön

A fully integrated K-band power ampli ? er design using digital 0.18 µm CMOS technology

Dijital 0.18 µm CMOS teknolojili bir tam entegre K-band güç yükselteci tasarımı

  1. Tez No: 285355
  2. Yazar: CEYHUN KELLECİ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ABDULLAH ATALAR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2011
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi
  10. Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 66

Özet

K-Band frekanslarındaki (Elektromanyetik spektrumun IEEE tarafından 18 GHzile 27 GHz arasında tanımlanmış kısmı) K-Band uydu haberleşme, kısa menzilliaraç radarı, noktadan noktaya radyo gibi uygulamalar düşük maliyetli, çevredostu RF bloklarına olan ihtiyacı da beraberinde getirmektedir. Bunlar arasında,en zahmetli olanlardan birisi güç yükselteci tasarımıdır. Bu çalışmada, 0.18 µmdijital CMOS teknolojisi kullanılarak tasarlanmış ve üretilmiş üç katlı bir güçyükselteci mevcuttur. Tasarım ve simülasyonlar üreticiden alınmış modellerüzerine kuruludur. Üretilen çip, +16.9 dBm lineer çıkış gücü ve P1dB noktasında,20 GHz'de %12.3'lük bir verim göstermektedir.

Özet (Çeviri)

Applications at K-Band frequencies (the part of the electromagnetic spectrumde ? ned by IEEE to be from 18 GHz to 27 GHz) like K-Band satellite communication,vehicular short range radars, point-to-point (PTP) radio bring the need for lowcost, environment friendly RF blocks. Among them, the design of power ampli ? ers(PAs) is one of the most challenging. In this thesis, a three-stage PA is developedin 0.18 µm digital CMOS technology. The design and simulations are based on themodels obtained from the foundry. The ? nal design has been fabricated at thefoundry and measurements show +16.9 dBm of linear output power and apower added e ? ciency (PAE) of 12.3% at 20 GHz at the P1dB point.

Benzer Tezler

  1. SiGe BiCMOS front-end integrated circuits for X-band phased arrays

    X-band faz dizinleri için sige BiCMOS ön uç devreleri

    TOLGA DİNÇ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2012

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSabancı Üniversitesi

    Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. YAŞAR GÜRBÜZ

  2. Aktif tüm-geçiren anahtarlı kapasite filtrelerinin kaskad kafes yapılarla gerçeklenmesi

    Cascaded lattice realization of active all-pass switched capacitor filters

    DOĞAN ALKAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1991

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. CEVDET ACAR

  3. Sabit mıknatıslı senkron motorların servo uygulamalarında PID kontrolör parametrelerinin otomatik ayarlanması

    Auto tuning of PID controller parameters for permanent magnet synchronous motor servo applications

    GÖKHAN ERÜNLÜ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Kontrol ve Otomasyon Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. METİN GÖKAŞAN

  4. An X-band electrical balance duplexer for in band full duplex communications

    X-bantta elektriksel denge çift yönleyicisi ile bant içi çift yönlü aktarım sistem

    ONUR MEMİOĞLU

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2018

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HATİCE ÖZLEM AYDIN ÇİVİ

    DR. FATİH KOÇER

  5. 0.1-8GHz CMOS distributed amplifier

    0.1-8GHz CMOS dağılmış parametreli kuvvetlendirici

    ALİ EKBER KILIÇ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2007

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    Y.DOÇ.DR. METİN YAZGI