Geri Dön

A fully integrated K-band power ampli ? er design using digital 0.18 µm CMOS technology

Dijital 0.18 µm CMOS teknolojili bir tam entegre K-band güç yükselteci tasarımı

PDF İndir

  1. Tez No: 285355
  2. Yazar: CEYHUN KELLECİ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ABDULLAH ATALAR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: CMOS, CMOS
  7. Yıl: 2011
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi
  10. Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

K-Band frekanslarındaki (Elektromanyetik spektrumun IEEE tarafından 18 GHzile 27 GHz arasında tanımlanmış kısmı) K-Band uydu haberleşme, kısa menzilliaraç radarı, noktadan noktaya radyo gibi uygulamalar düşük maliyetli, çevredostu RF bloklarına olan ihtiyacı da beraberinde getirmektedir. Bunlar arasında,en zahmetli olanlardan birisi güç yükselteci tasarımıdır. Bu çalışmada, 0.18 µmdijital CMOS teknolojisi kullanılarak tasarlanmış ve üretilmiş üç katlı bir güçyükselteci mevcuttur. Tasarım ve simülasyonlar üreticiden alınmış modellerüzerine kuruludur. Üretilen çip, +16.9 dBm lineer çıkış gücü ve P1dB noktasında,20 GHz'de %12.3'lük bir verim göstermektedir.

Özet (Çeviri)

Applications at K-Band frequencies (the part of the electromagnetic spectrumde ? ned by IEEE to be from 18 GHz to 27 GHz) like K-Band satellite communication,vehicular short range radars, point-to-point (PTP) radio bring the need for lowcost, environment friendly RF blocks. Among them, the design of power ampli ? ers(PAs) is one of the most challenging. In this thesis, a three-stage PA is developedin 0.18 µm digital CMOS technology. The design and simulations are based on themodels obtained from the foundry. The ? nal design has been fabricated at thefoundry and measurements show +16.9 dBm of linear output power and apower added e ? ciency (PAE) of 12.3% at 20 GHz at the P1dB point.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    348682

    SiGe BiCMOS front-end integrated circuits for X-band phased arrays

    X-band faz dizinleri için sige BiCMOS ön uç devreleri

    TOLGA DİNÇ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2012

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSabancı Üniversitesi

    Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. YAŞAR GÜRBÜZ

  2. Tez No

    1

    Ovulasyon indüksiyonu tedavisinde folliküler gelişimin ultrasonografik takibi

    Başlık çevirisi yok

    MERİH BAYRAM

    Tıpta Uzmanlık

    Türkçe

    Türkçe

    1987

    Kadın Hastalıkları ve DoğumGazi Üniversitesi

    Kadın Hastalıkları ve Doğum Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MÜLAZIM YILDIRIM

  3. Tez No

    201

    Çimentonun sertleşmesi üzerinde kimyasal komponentlerin etkisi

    Başlık çevirisi yok

    NACİYE TÜRKEL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1986

    Kimya MühendisliğiUludağ Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFA CEBE

  4. Tez No

    202

    Bazı esterlerin kinetik incelenmesi ve termodinamik parametrelerin belirlenmesi

    Kinetic study and detesmination of thermodnamic parameters of some esters

    İBRAHİM TAŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1986

    Kimya MühendisliğiUludağ Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFA CEBE

  5. Tez No

    252

    İzmir'de bazı yolların kapatılarak yaya bölgeleri oluşturma da kent peyzajını geliştirme açısından yeniden planlanması üzerinde araştırmalar

    Başlık çevirisi yok

    BAHAR TÜRKYILMAZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1985

    Şehircilik ve Bölge PlanlamaEge Üniversitesi

    Şehir ve Bölge Planlama Ana Bilim Dalı

Geri Dön