0.1-8GHz CMOS distributed amplifier
0.1-8GHz CMOS dağılmış parametreli kuvvetlendirici
- Tez No: 223896
- Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. METİN YAZGI
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Dağılmış parametreli kuvvetlendirici, CMOS, Radyo frekansı, Distributed Amplifier, CMOS, Radio Frequency
- Yıl: 2007
- Dil: İngilizce
- Üniversite: İstanbul Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Elektronik Mühendisliği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 81
Özet
Geniş bantlı kuvvetlendiricilerin ölçüm düzenleri, askeri elektronik, televizyon, radar ve geniş bantlı optik haberleşme gibi birçok kullanım alanı bulunmaktadır. Bu uygulamalar için genellikle dağılmış parametreli kuvvetlendirici yapısı kullanılmaktadır. Çünkü bu yapı klasik kazanç-bant genişliği ilişkisi ile sınırlanmamaktadır. Dağılmış parametreli kuvvetlendirici yapısında kazanç elemanlarının giriş ve çıkış kapasiteleri, yapay iletim hatlarının içine dahil edilmektedir. Böylece farklı hücrelerin kapasiteleri birbirlerinden ayrılmakta, aynı zamanda çıkış akımları ise hala toplanabilmektedir. Son on yılda boyut alanında devam eden küçülme sayesinde, eşlenik metal-oksityarıiletken (CMOS) teknolojisi dağılmış parametreli kuvvetlendirici gerçekleştirmek için ciddi bir alternatif olmuştur. Ayrıca CMOS dağılmış parametreli kuvvetlendiriciler düşük maliyet ve temel bant devreleriyle tümleştirme avantajlarına da sahiptir. Bu tezin en genel amacı dağılmış parametreli kuvvetlendirici tasarım tekniklerini araştırmak ve bu teknikleri kullanarak 0.35?m CMOS teknolojisi ile tamamen tümleştirilmiş bir dağılmış parametreli kuvvetlendirici gerçekleştirmektir. Teorik araştırmaları ve benzetim sonuçlarını doğrulamak amacıyla 0.35?m CMOS teknolojisi ile tek uçlu bir kuvvetlendirici tasarlanmış ve üretime gönderilmiştir. Bu kuvvetlendirici 0.1-8GHz aralığında 8±1 dB kazanç sağlamakta ve 1.5V beslemeden 18mA akım çekmektedir. Kuvvetlendiricinin toplam alanı 1.67x0.93 mm2 dir.
Özet (Çeviri)
Wideband amplifiers have many applications such as instrumentation, electronic warfare, television, pulsed radars and broad-band optical communication. For such applications, a distributed amplifier (DA) topology is often employed since it is not limited by the classical gain-bandwidth tradeoff of amplifiers. In a DA topology input and output capacitances of gain elements are incorporated into the artificial transmission lines. So that the capacitances of different cells are separated while their output currents can still be summed. In the last decade, Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) technology has become a serious alternative for realizing DAs as a result of continuous scaling in the technology. Also CMOS DAs have the advantages of low cost and integration ability with baseband circuits. The global objective of this thesis is to investigate design techniques for the CMOS DA, and to use these techniques to demonstrate a fully integrated DA using 0.35?m CMOS technology. To verify the theoretical investigations and simulation results, a single ended distributed amplifier was designed in 0.35?m CMOS technology and sent to the fabrication. The amplifier achieves 8±1 dB gain over 0.1-8 GHz band while drawing 18mA from 1.5V power supply. The total area of the amplifier is 1.67x0.93 mm2.
Benzer Tezler
- A fully integrated K-band power ampli ? er design using digital 0.18 µm CMOS technology
Dijital 0.18 µm CMOS teknolojili bir tam entegre K-band güç yükselteci tasarımı
CEYHUN KELLECİ
Yüksek Lisans
İngilizce
2011
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABDULLAH ATALAR
- 2.4-2.7 GHz radyo-röle alt band çevirici tasarımı ve gerçekleştirilmesi
Design and realization of a 2.4-2.7 GHz radiolink down-converter
H.BÜLENT YAĞCI
Yüksek Lisans
Türkçe
1992
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF. DR. OSMAN PALAMUTÇUOĞULLARI
- Sıfır AS'lı ikinci harmonik pompalamalı 5.8GHz mosfet karıştırıcı tasarımı
Design of a second harmonically pumped zero-if mosfet mixer at 5.8GHz
MEHMET KAYHAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF.DR. OSMAN PALAMUTÇUOĞULLARI
- Giyilebilir elektronik uygulamalar için mikroşerit yama anten tasarımı ve analizi
Wearable electronic applications for microstrip patch antenna design and analysis
SHUI, HAIHAN SHUI, HAIHAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiAkdeniz ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞÜKRÜ ÖZEN
- Design and analysis of wearable antennas for use in wireless biomedical telemetry systems
Kablosuz biyomedikal telemetri sistemlerinde kullanım için giyilebilir antenlerin tasarımı ve analizi
AMMAR ISAM MOHAMMED AL ADHAMI
Doktora
İngilizce
2022
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiGaziantep ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ERGUN ERÇELEBİ