InGaN/GaN çoklu kuantum kuyulu ışık saçan diyotlar
InGaN/GaN multi quantum well leds
- Tez No: 312981
- Danışmanlar: PROF. DR. ALİ TEKE
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2011
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Balıkesir Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 136
Özet
Bu çalışmada, fotolüminesans, elektrolüminesans, akım-voltaj ve x-ışını kırınımı teknikleri kullanılarak (0001)-doğrutuda safir alt tabaka üzerine MOCVD tekniği ile büyütülen görünür/mor ötesi bölgelerde ışık yayan InGaN/GaN çoklu kuantum kuyulu diyotlar incelenmiştir. İncelenen numunelerin aktif bölgelerinin büyütme sıcalıkları 650-735 0C aralığında olan altı adet numune tasarlandı. Diğer büyütme şartları mümkün olduğu kadar sabit tutulmaya çalışıldı. Daha sonra bu numunelerin sıcaklığa bağlı fotolüminesans ölçümleri alındı. Numulerin fotolüminesans spektrumlarında gözlenen InGaN/GaN çoklu kuantum kuyusuna ait ana geçişin pik enerjisinin, şiddetinin ve çizği genişliklerinin örgü sıcaklığına bağlı değişimleri temel modellerle desteklenerek incelendi. Dolayısla, InGaN/GaN aktif tabakanın büyütme sıcaklığının ve dolayısıyla indiyum alaşım oranının bu parametreler üzerindeki etkisi araştırılmış oldu. Elde edilen sonuçlar literatür ile karşılaştırmalı olarak değerlendirildi. Çalışmanın ikinci kısmında fabrikasyonu yapılan iki LED örneğimizin oda sıcaklığında sürekli modda sürücü akımına bağlı elektroluminesans spektrumları ile birlikte bunlardan birinden tel bağlantıları alınarak örgü sıcaklığına bağlı akım-voltaj ve elektroluminesans özellikleri detaylı olarak incelendi.
Özet (Çeviri)
In this work, InGaN/GaN Multi Quantum Well based blue/UV LEDs have been investigated. The samples were grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) on sapphire substrate and then characterized by High Resolution X-Ray Diffraction (HRXRD), Photoluminescence (PL) and Electroluminescence (EL) and current vs voltage (I-V) methods. For this investigation six samples whose growth tempureture range of active region is varied between 650-735 0C were designed. Other growth parameters were almost kept constant. To investigate the emission mechanisms of InGaN/GaN MQW structures, the tempureture dependence of PL measurments was carried out between 10 and 300K. The tempureture dependence of PL peak energy, peak intensity and FWHM were analysed. Since the growth tempureture affects In content of active layer this study provide us to investigate these parameteres as a function of growth temperature hence the In content. Second part of this work, electroluminescence measurements on two samples carried out continuous mode operation. Electroluminesans properties of the wire-bonded sample were investigated in detail at the temperture range of 20-300K.
Benzer Tezler
- Enhancing light extraction efficiency of IngaN/GaNmulti quantum well light emitting diodes with embedded two dimensional photonic crystal structures
İki boyutlu fotonik kristal yapıları gömülü IngaN/GaN çoklu kuantum kuyulu ışık saçan diyotların ışık çıkarım verimlerini artırma
ALİ GÜNEŞ KAYA
Yüksek Lisans
İngilizce
2010
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SALİM ÇIRACI
YRD. DOÇ. DR. AYKUTLU DANA
YRD. DOÇ. DR. BİLGE İMER
- GaN/InGaN tabanlı LED çip fabrikasyonu ve karakterizasyonu
Fabrication and characterization of GaN/InGaN based light emitting diodes (LEDs)
MUHAMMET SIDDIYK GENÇ
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiBursa Teknik Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. DENİZ UZUNSOY
PROF. DR. ATİLLA AYDINLI
- GaAsP/GaAs ve InGaN/GaN p-n eklem yapılarının optik ve yapısal özelliklerinin incelenmesi
The investigation of optical and structural properties of GaAsP/GaAs and InGaN/GaN p-n junction structures
SAİME ŞEBNEM ÇETİN
Doktora
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Geniş yasak enerji aralıklı sıcak elektron lazer ve ışın yayıcı yarıiletken hetero-yapılar
Wide band gap hot electron lasing and light emission in semiconductor heterostructures
SELMAN MUTLU
Doktora
Türkçe
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ENGİN TIRAŞ
- Electric field dependent optoelectronic nature of InGaN/GaN quantum structures and devices
InGaN/GaN kuvantum yapılarının ve aygıtlarının elektrik alana bağlı optoelektronik doğası
EMRE SARI
Doktora
İngilizce
2012
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü
DOÇ. DR. HİLMİ VOLKAN DEMİR