Elmas-benzeri karbon ince filmin Schottky diyot parametreleri üzerine etkisi
Effect of diamond-like carbon thin film on the Schottky diode parameters
- Tez No: 337223
- Danışmanlar: DOÇ. DR. UĞUR KÖLEMEN, PROF. DR. ORHAN UZUN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Elmas-benzeri karbon, MAY Schottky diyot, Hidrostatik basınç, Diamond-like carbon, MIS Schottky diode, Hydrostatic pressure
- Yıl: 2013
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gaziosmanpaşa Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 88
Özet
Bu çalışmada, elmas-benzeri karbon (EBK) film Au/EBK/p-Si metal-aratabaka- yarıiletken (MAY) Schottky diyodu üretmek için aratabaka olarak kullanıldı. EBK filmi p-Si altlık üzerine elektrokimyasal yöntemle kaplandı. Elde edilen diyot iyi bir doğrultucu davranış ve yeterli ters beslem doyum akımı göstermiştir. Doğru beslem I-V karakteristikleri kullanılarak Au/EBK/p-Si MAY Schottky yapısının idealite faktörü ve engel yüksekliği sırasıyla 2,06- 0,83 eV olarak bulundu. 1?den büyük idealite faktörü değeri seri dirence atfedilmiştir. Au/EBK/p-Si MAY diyodu için elde edilen engel yüksekliği (0,83 eV), geleneksel Au/p-Si Schottky diyodunun engel yüksekliği değerinden (0,34 eV) oldukça yüksektir. Bu, EBK filmin Silisyum (p-Si) altlığın uzay yükü bölgesini etkilemesine atfedilmiştir. Ayrıca Cheung Cheung fonksiyonları da engel yüksekliği ve seri direnç değerleri elde etmek için kullanıldı ve elde edilen sonuçlar I-V sonuçlarıyla karşılaştırdı. MAY diyodun I-V ölçümleri 0,0-2,0 kbar aralığında hidrostatik basınç altında gerçekleştirildi. Bu ölçümler, diyot parametrelerinin basınca oldukça bağlı olduğunu göstermiştir. Engel yüksekliği ve seri direnç değerleri artan basınçla artmıştır. Basınç katsayısı I-V ve Cheung Cheung yöntemi ile sırasıyla 210,0 ve 154,6 meV/kbar olarak hesaplandı. Engel yüksekliği ve seri dirençteki bu artış, uygulanan basınç ile elmas-benzeri karbon filmdeki sp3 bağlarının artışına atfedilmiştir. Değişen basınca yüksek duyarlılık, Au/EBK/p-Si MAY Schottky diyodunun basınç sensörü olarak ta kullanılabileceğini göstermiştir.
Özet (Çeviri)
In this study, diamond-like carbon film (DLC) was used to fabricate an Au/DLC/p-Si Schottky metal-interlayer-semiconductor (MIS) diode. Diamond-like carbon film was deposited electrochemically onto p-Si substrate. The obtained diode presented a good rectifying behavior and a sufficient reverse bias saturation. By using the forward bias I?V characteristics, the ideality factor (n) and barrier height (?b) of Au/DLC/p-Si MIS structure were found as 2,06 and 0,83 eV, respectively. The non-ideal I?V behavior with the value of ideality factor greater than unity was attributed to series resistance. The ?b value of 0,83 eV obtained for Au/DLC/p-Si MIS diode was larger than value of 0,34 of conventional Au/p-Si Schottky diode. This was ascribed to DLC interlayer influencing the space charge region of Si. Furthermore, Cheung-Cheung functions were used to extract barrier height and series resistance values and the obtained results were compared with I-V method. I-V measurements were also carried out under the hydrostatic pressure in the range of 0,0-2,0 kbar. It was observed that diode parameters were significantly pressure dependent. Barrier height and series resistance values were increased with the increasing pressure. Pressure coeficient were calculated as 210,0 and 154,6 meV/kbar for I-V and Cheung-Cheung methods, respectively. Increase of barrier height and series resistance was attributed to increase of sp3 bonding in the DLC film due to pressure. It was proposed that Au/DLC/p-Si Schottky MIS diode can be used as pressure sensor due to high sensitivity to changing pressure.
Benzer Tezler
- DLC arayüzey tabakalı metal- yarıiletken yapıların üretilmesi ve dielektrik özelliklerinin frekansa bağlı incelenmesi
Production of DLC interface layered metal-semiconductor structures and frequency dependent investigation of dielectric properties
NURAY URGUN
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Mekatronik MühendisliğiKarabük ÜniversitesiMekatronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SERHAT ORKUN TAN
- Schottky diyot arayüzey malzemesi olarak titanium katkılı elmas benzeri karbon filmin hazırlanması, elektrik ve dielektrik özelliklerinin incelenmesi
Preparation of titanium doped diamond-like carbon film as schottky diode interfacial material and investigation of its electrical and dielectric properties
ÖZNUR ÇAPRAZ
Doktora
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiZonguldak Bülent Ecevit ÜniversitesiNanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BARIŞ AVAR
PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Elmas benzeri karbon ince filmlerin hazırlanması ve karakterizasyonu
Preparation and characterization of diamond-like carbon thin films
TANER ZERRİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ÖZLEM DUYAR COŞKUN
- Plazma destekli kimyasal buhar biriktirme yöntemi ile tantal katkılı elmas benzeri karbon film üretimi ve karakterizasyonu
Production of tantalum doped diamond-like carbon film by means of plasma assisted chemical vapor deposition and its characterisation
NİLÜFER ORHON
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. M. KÜRŞAT KAZMANLI
- Characterization and enhancement of IR optical and tribological properties of DLC films synthesized by RF-PECVD
RF-PECVD yöntemi ile büyütülen DLC filmlerin IR optik ve tribolojik özellikleri bakımından karakterizasyonu ve geliştirilmesi
VAHİT EREN TABUROĞLU
Yüksek Lisans
İngilizce
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AHMET MACİT ÖZENBAŞ
DOÇ. DR. BURCU AKATA KURÇ