İnce filmlerde plazma tabanlı iyon aşındırma ve Au filme uygulanması
Plazma based ion etching of thin films and an application to Au film
- Tez No: 352107
- Danışmanlar: PROF. DR. HASAN EFEOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Saçtırma, İyon Aşındırma, Plazma Aşındırma, Sputter, Ion etching, Plasma Etching
- Yıl: 2014
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 124
Özet
Bu çalışmada vakum ortamında Si alttaş üzerine termal buharlaştırma ile oluşturulan Au ince filmin plazma tabanlı ve kontrollü plazma tabanlı aşındırma çalışması gerçekleştirildi. Filmin kalınlığı AEP NanoMap500 profilometresi ile 194 nm ölçüldü. Au ince film tabakası düşük basınçta 600 V DC gerilim altında oluşturulan Ar plazma ile 1-12 dk arasında 11 farklı süre ile aşındırılarak Au için deneysel aşınma oranları elde edildi. Her numune için aşındırıcı iyon yoğunluğu akım/alan ilişkisinden hesaplanarak Ziegler, Yamamura & Tawara ve Matsunami teorik saçtırma modellerinden saçtırma verimi hesaplanmasında kullanıldı. Au için saçtırma verimi ve plazma akım yoğunluğu ile deneysel verilere karşılık teorik saçtırma derinlikleri hesaplandı. Deneysel aşınma derinliği ile teorik hesaplanma sonuçları karşılaştırıldığında deneysel sonuçlarımızla en uyumlu modelin Matsunami'ni teorik saçtırma modeli olduğu görüldü.
Özet (Çeviri)
In this study, thermal deposition of Au thin films onto Si substrate and plasma based etching studied. The tichkness of Au film was 194 nm as measured by AEP NanoMap500 profiler. Thin gold film etched with a time duration between 1-12 min using Ar plasma obtained by 600 V under low pressure condition and for each time duration etching rate are obtained. Etching on density for each sample are calculated from process parameters and compared with Ziegler, Yamamura&Tawara and Matsunami models. The experimental and theoretical etching deepths are compared and good agrement obtained with the Matsunami model.
Benzer Tezler
- Production of hydrogenated nanocrystalline silicon based thin film transistor
Hidrojenlenmiş nanokristal silisyum tabanlı ince film transistör üretimi
TAMILA ALIYEVA
Doktora
İngilizce
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Bölümü
DOÇ. DR. İSMAİL ATILGAN
- Kimyasal buhar biriktirme metodu ile hazırlanan silisyum tabanlı ince filmlerin kalınlıklarının optik yolla belirlenmesi
Optical determination of thickness of silicon-based thin films prepared by chemical vapor deposition method
EMRAH ERKMEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Metalurji MühendisliğiKarabük ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. İSMAİL ATILGAN
- Comparison of alloyed and non-alloyed ohmic contacts in GaN/algan HEMT for Ka band radar applications
Ka bant radar uygulamaları için GaN / algan HEMT yapılarında alaşımlı ve alaşımsız ohmik kontakların karşılaştırılması
HÜSEYİN ÇAKMAK
Doktora
İngilizce
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ MUHSİNE BİLGE İMER
DOÇ. DR. ALPAN BEK
- Plazma yöntemiyle PEDOT ince filmerinin üretilmesi, karakterizasyonu ve güneş pillerine uygulanması
Synthesis and characterization of PEDOT thin films produced by plasma technique and their solar cell applications
TAYLAN GÜNEŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Polimer Bilim ve TeknolojisiÇanakkale Onsekiz Mart ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HİLAL GÖKTAŞ
- Plazma polimerizasyonu tekniği ile politiyofen ince filmlerin üretilmesi ve karakterizasyonlarının yapılması
Synthesis and characterization of polythiophene thin films via plasma polymerization technique
FATMA GÜL İNCE
Yüksek Lisans
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇanakkale Onsekiz Mart ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. HİLAL GÖKTAŞ