Design of an X-band SiGe driver amplifier
X-bant SiGe sürücü kuvvetlendiricisi tasarımı
- Tez No: 363539
- Danışmanlar: DOÇ. DR. MÜRVET KIRCI
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Güç yükseltici, Mikrodalga devreleri, Mikrodalga güç yükselticiler, Mikrodalga yükselteç, Tümleşik devreler, Power amplifier, Microwave circuits, Microwave power amplifier, Microwave amplifier, Integrated circuits
- Yıl: 2014
- Dil: İngilizce
- Üniversite: İstanbul Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Elektronik Mühendisliği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada X-Band frekans aralığında çalışan bir SiGe sürücü kuvvetlendiricisi tasarlanmıştır. Bu kuvvetlendirici push-pull devre mimarisine sahip olup, iki kattan oluşmaktadır. Yapılan ölçümler sonrası kuvvetlendiricinin en yüksek kazanç değerinin 22 dB ve 1-dB bastırma noktasındaki çıkış gücünün 12 dBm olduğu görülmüştür. Çalışmanın devamında kuvvetlendiricinin performansının yükseltilmesi için devre yapısında değişiklikler yapılmıştır. Yapılan ölçümler sonrasında ikinci kuvvetlendiricinin en yüksek kazanç değerinin 26 dB ve 1-dB bastırma noktasındaki çıkış gücünün 14 dBm olduğu görülmüştür. Her iki kuvvetlendirici ilgilenilen frekans aralığı için iyi giriş ve çıkış empedans eşleşmesi göstermektedir.
Özet (Çeviri)
An X-Band SiGe driver amplifier is designed as a part of this study. The amplifier utilizes push-pull architecture and consists of two stages. It shows a measured maximum gain of 19 dB, output power of 12 dBm at the 1-dB compression point, good input and output impedance matching for relevant frequency band. The amplifier is modified to achieve higher performance as a follow up study. Second iteration of the amplifier shows a measured maximum gain of 26 dB, output power of 14 dBm at the 1-dB compression point, good input and output impedance matching.
Benzer Tezler
- Geliştirilmiş bir ultrasonik darbeli doppler kan akış ölçme düzeninde hata kaynaklarının analizi
The Analysis of error sources at a developed pulsed doppler blood flowmeter
İNAN GÜLER
Doktora
Türkçe
1990
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. ERTUĞRUL YAZGAN
- 3um N-kuyu CMOS teknolojisi ile test kırmığı tasarımı ve tranzistor eşik gerilimi ayarı
Test chip design for 3 um N-well CMOS fabrication technology and threshold voltage adjustment
ZEYNEP D. TOROS
Yüksek Lisans
Türkçe
1991
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. DURAN LEBLEBİCİ
- Çift diyodlu simetrik olmayan bir gunn osilatörünün çalışma karakteristiklerinin teorik ve deneysel incelenmesi
Theoretical and experimental analysis of an asymmetrically loaded two-diode gunn oscillator
CEVDET IŞIK
Doktora
Türkçe
1985
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF. DR. BİNGÜL YAZGAN
- Bidirectional low noise X to K band sige bicmos T/R module core chip and a novel KU band reflection type phase shifter with full 360° phase shift range
Çift yönlü düşük gürültü X'den K bandına sige bicmos T/R modül çekirdek çipi ve yeni bir KU band yansıma tipi tam 360° faz kaydırma aralığına sahip faz değiştirici
CENGİZHAN KANA
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSabancı ÜniversitesiElektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YAŞAR GÜRBÜZ
- A Low Phase Error Current-Steering X-Band Variable Gain Amplifier with 0.5-dB Resolution for Phased-Array Systems in SiGe BiCMOS Technology
SiGe BiCMOS Teknolojisinde Faz Dizili Sistemler için 0.5 dB Çözünürlüğe Sahip Düşük Faz hatalı Akım Yönlendirmeli X-Bant Değişken Kazançlı Yükselteç
GÖRKEM KESKİN
Yüksek Lisans
İngilizce
2026
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYeditepe ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SERKAN TOPALOĞLU