Design of an X-band SiGe driver amplifier
X-bant SiGe sürücü kuvvetlendiricisi tasarımı
- Tez No: 363539
- Danışmanlar: DOÇ. DR. MÜRVET KIRCI
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2014
- Dil: İngilizce
- Üniversite: İstanbul Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Elektronik Mühendisliği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 87
Özet
Bu çalışmada X-Band frekans aralığında çalışan bir SiGe sürücü kuvvetlendiricisi tasarlanmıştır. Bu kuvvetlendirici push-pull devre mimarisine sahip olup, iki kattan oluşmaktadır. Yapılan ölçümler sonrası kuvvetlendiricinin en yüksek kazanç değerinin 22 dB ve 1-dB bastırma noktasındaki çıkış gücünün 12 dBm olduğu görülmüştür. Çalışmanın devamında kuvvetlendiricinin performansının yükseltilmesi için devre yapısında değişiklikler yapılmıştır. Yapılan ölçümler sonrasında ikinci kuvvetlendiricinin en yüksek kazanç değerinin 26 dB ve 1-dB bastırma noktasındaki çıkış gücünün 14 dBm olduğu görülmüştür. Her iki kuvvetlendirici ilgilenilen frekans aralığı için iyi giriş ve çıkış empedans eşleşmesi göstermektedir.
Özet (Çeviri)
An X-Band SiGe driver amplifier is designed as a part of this study. The amplifier utilizes push-pull architecture and consists of two stages. It shows a measured maximum gain of 19 dB, output power of 12 dBm at the 1-dB compression point, good input and output impedance matching for relevant frequency band. The amplifier is modified to achieve higher performance as a follow up study. Second iteration of the amplifier shows a measured maximum gain of 26 dB, output power of 14 dBm at the 1-dB compression point, good input and output impedance matching.
Benzer Tezler
- SiGe BiCMOS front-end integrated circuits for X-band phased arrays
X-band faz dizinleri için sige BiCMOS ön uç devreleri
TOLGA DİNÇ
Yüksek Lisans
İngilizce
2012
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSabancı ÜniversitesiElektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YAŞAR GÜRBÜZ
- Radar sistemleri için 130 nm sige bicmos teknolojide ultra geniş bant alıcı RF ön uç modülü tasarımı
Design of ultra wideband receiver RF front end module in 130 nm sige bicmos technology for radar systems
SERKAN ÇORBACI
Yüksek Lisans
Türkçe
2025
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKocaeli ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ALİ TANGEL
DR. ÖĞR. ÜYESİ ERTAN ZENCİR
- SiGe BiCMOS 4-bit phase shifter and T/R module for X-band phased arrays
X-band faz dizinleri için SiGe BiCMOS 4-bit faz kaydırıcı ve alıcı/verici modülü
İLKER KALYONCU
Yüksek Lisans
İngilizce
2013
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSabancı ÜniversitesiPROF. DR. YAŞAR GÜRBÜZ
- Yüksek dinamik aralıklı, Si-Ge tranzistorlu, 8-11GHz simetrik sürümlü B sınıfı kuvvetlendirici tasarımı
High dynamic range 8-11GHz push-pull class B amplifier with SiGe transistor technology
HİLAL HİLYE CANBEY
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MÜRVET KIRCI
- An x-band power amplifier design for on-chip radar applications
Radar uygulamaları için x-bandında güç amfisi tasarımı
SAMET ZİHİR
Yüksek Lisans
İngilizce
2011
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSabancı ÜniversitesiElektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YAŞAR GÜRBÜZ