Influence of deposition conditions on charge-trapping based nonvolatile memories
Uçucu olmayan belleklerde büyütme koşullarının yük-tuzaklamaya etkisi
- Tez No: 374364
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. ALİ KEMAL OKYAY
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2014
- Dil: İngilizce
- Üniversite: İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi
- Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 48
Özet
Yakın zamana kadar, elektronik bellekler bilgisayar endüstrisinin vazgeçilmez bir öğesini oluşturmaktadır. Bu alanda yapılan çok sayıda akademik çalışma olsa dahi, günümüz yarıiletken teknolojisine entegre edebilme, fabrikasyon ve üretim teknolojileri gibi teknik konular yanı sıra ekonomik fizibilite halen büyük bir engel oluşturmaktadır. Buna karşın, yük-tuzaklamaya dayalı bellekler günümüz teknolojisine yenilikçi bir bakış açısı getirmekte, önemli bir alternatif sunmaktadır. Çünkü ölçeklenebilir olması ve düşük güç tüketimi ile günümüz teknolojisine üstünlük sağladığı düşünülmektedir. Bu çalışma kapsamında iki farklı yapı için büyütme koşullarının, uçucu olmayan belleklerde yük tuzaklamaya olan etkileri incelenmektedir. İlk yapıda, yük tuzaklama katmanı olarak Çinko Oksit (ZnO) kullanılmıştır. Atomik Katman Kaplama yöntemi ile kapı dieletriği ve yük tuzaklama katmanı tek bir büyütme basamağında yapılmış, bu sayede fabrikasyon kolaylığı sağlanmış ve çevresel kirlilik minimize edilmiştir. İkinci yapıda ise, Germanyum Antimon Telluryum (Ge2Sb2Te5) alaşımı yük tuzaklayıcı katman olarak seçilmiştir. İki yapıda kristal kusurlarının sebepleri incelenmiş ve farklı sıcaklıklarla yapılan büyütmelerle kristal kusurlarının yoğunluklarındaki değişimler gözlemlenmiştir.
Özet (Çeviri)
Until recently, memories have been a critical bottleneck for the computer industry. Many research based (revolutionary) devices are in the research arena, however, technical concerns such as integration with the current semiconductor manufacturing processes and the feasibility prevent them from being mainstream. In contrast, charge trapping based memories are the evolutionary improvement to the currently ubiquitous floating gate (FG) based nonvolatile memory. This is predominantly due to their superior scalability and reduced leakage compared to FG based memories. This work attempts to investigate the influence of the deposition condition on charge trapping based non-volatile memories for two different gate stacks. The first one involves ZnO as the charge trap layer. This single-step grown ALD has the advantage of having low contamination and manufacturing simplicity. The second type of device uses Ge2Sb2Te5 as a charge trap memory. The nature of the defect states is different in the two materials, and hence the variation of the trap density with temperature.
Benzer Tezler
- Molibden nitrür kaplamaların aşınma davranışı
Başlık çevirisi yok
İ.BÜLENT NİLÜFER
Yüksek Lisans
Türkçe
1998
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SABRİ KAYALI
- Ark PVD yöntemiyle tin kaplanmış kesici takımların karakterizasyonu ve performanslarının incelenmesi
Başlık çevirisi yok
M.CENK TÜRKÜZ
Yüksek Lisans
Türkçe
1997
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. E. SABRİ KAYALI
- Experimental and numerical investigation of carbon dioxide sequestration in deep saline aquifers
Derin tuzlu su formasyonlarında karbon dioksit tecridinin deneysel ve sayısal olarak araştırılması
ÖMER İZGEÇ
Yüksek Lisans
İngilizce
2005
Petrol ve Doğal Gaz MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiPetrol ve Doğal Gaz Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BİROL DEMİRAL
DOÇ. DR. SERHAT AKIN
- Electrochemical synthesis of N-methylpyrrole and N-methylcarbazole copolymer on carbon fiber microelectrodes: Electrochemical response to dopamine
N-metilpirol ve N-metilkarbazol kopolimerinin karbon elyaf mikro elektrotlar üzerine elektrokimyasal sentezi: Dopamine karşı elektrokimyasal davranışı
ERKAN DOĞRU
Yüksek Lisans
İngilizce
2005
Bilim ve Teknolojiİstanbul Teknik ÜniversitesiPolimer Bilim ve Teknolojisi Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEZAİ SARAÇ
- Low temperature growth, characterization, and applications of RF-sputtered srtio3 and BaSrTiO3 thin films
SrTiO3 ve BaSrTiO3 ince filmlerin düşük sıcaklıkta depolanması, karakterizasyonu ve uygulamaları
TÜRKAN BAYRAK
Yüksek Lisans
İngilizce
2016
Mühendislik Bilimleriİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. NECMİ BIYIKLI