Geri Dön

Influence of deposition conditions on charge-trapping based nonvolatile memories

Uçucu olmayan belleklerde büyütme koşullarının yük-tuzaklamaya etkisi

  1. Tez No: 374364
  2. Yazar: MUHAMMAD MAİZ GHAURİ
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. ALİ KEMAL OKYAY
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2014
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi
  10. Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 48

Özet

Yakın zamana kadar, elektronik bellekler bilgisayar endüstrisinin vazgeçilmez bir öğesini oluşturmaktadır. Bu alanda yapılan çok sayıda akademik çalışma olsa dahi, günümüz yarıiletken teknolojisine entegre edebilme, fabrikasyon ve üretim teknolojileri gibi teknik konular yanı sıra ekonomik fizibilite halen büyük bir engel oluşturmaktadır. Buna karşın, yük-tuzaklamaya dayalı bellekler günümüz teknolojisine yenilikçi bir bakış açısı getirmekte, önemli bir alternatif sunmaktadır. Çünkü ölçeklenebilir olması ve düşük güç tüketimi ile günümüz teknolojisine üstünlük sağladığı düşünülmektedir. Bu çalışma kapsamında iki farklı yapı için büyütme koşullarının, uçucu olmayan belleklerde yük tuzaklamaya olan etkileri incelenmektedir. İlk yapıda, yük tuzaklama katmanı olarak Çinko Oksit (ZnO) kullanılmıştır. Atomik Katman Kaplama yöntemi ile kapı dieletriği ve yük tuzaklama katmanı tek bir büyütme basamağında yapılmış, bu sayede fabrikasyon kolaylığı sağlanmış ve çevresel kirlilik minimize edilmiştir. İkinci yapıda ise, Germanyum Antimon Telluryum (Ge2Sb2Te5) alaşımı yük tuzaklayıcı katman olarak seçilmiştir. İki yapıda kristal kusurlarının sebepleri incelenmiş ve farklı sıcaklıklarla yapılan büyütmelerle kristal kusurlarının yoğunluklarındaki değişimler gözlemlenmiştir.

Özet (Çeviri)

Until recently, memories have been a critical bottleneck for the computer industry. Many research based (revolutionary) devices are in the research arena, however, technical concerns such as integration with the current semiconductor manufacturing processes and the feasibility prevent them from being mainstream. In contrast, charge trapping based memories are the evolutionary improvement to the currently ubiquitous floating gate (FG) based nonvolatile memory. This is predominantly due to their superior scalability and reduced leakage compared to FG based memories. This work attempts to investigate the influence of the deposition condition on charge trapping based non-volatile memories for two different gate stacks. The first one involves ZnO as the charge trap layer. This single-step grown ALD has the advantage of having low contamination and manufacturing simplicity. The second type of device uses Ge2Sb2Te5 as a charge trap memory. The nature of the defect states is different in the two materials, and hence the variation of the trap density with temperature.

Benzer Tezler

  1. Molibden nitrür kaplamaların aşınma davranışı

    Başlık çevirisi yok

    İ.BÜLENT NİLÜFER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1998

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SABRİ KAYALI

  2. Ark PVD yöntemiyle tin kaplanmış kesici takımların karakterizasyonu ve performanslarının incelenmesi

    Başlık çevirisi yok

    M.CENK TÜRKÜZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1997

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. E. SABRİ KAYALI

  3. Experimental and numerical investigation of carbon dioxide sequestration in deep saline aquifers

    Derin tuzlu su formasyonlarında karbon dioksit tecridinin deneysel ve sayısal olarak araştırılması

    ÖMER İZGEÇ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2005

    Petrol ve Doğal Gaz MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Petrol ve Doğal Gaz Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. BİROL DEMİRAL

    DOÇ. DR. SERHAT AKIN

  4. Electrochemical synthesis of N-methylpyrrole and N-methylcarbazole copolymer on carbon fiber microelectrodes: Electrochemical response to dopamine

    N-metilpirol ve N-metilkarbazol kopolimerinin karbon elyaf mikro elektrotlar üzerine elektrokimyasal sentezi: Dopamine karşı elektrokimyasal davranışı

    ERKAN DOĞRU

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2005

    Bilim ve Teknolojiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Polimer Bilim ve Teknolojisi Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEZAİ SARAÇ

  5. Low temperature growth, characterization, and applications of RF-sputtered srtio3 and BaSrTiO3 thin films

    SrTiO3 ve BaSrTiO3 ince filmlerin düşük sıcaklıkta depolanması, karakterizasyonu ve uygulamaları

    TÜRKAN BAYRAK

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2016

    Mühendislik Bilimleriİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. NECMİ BIYIKLI