Study of low-frequency noise in amorphous silicon
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 3773
- Danışmanlar: DOÇ. DR. YEKTA ÜLGEN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1987
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Boğaziçi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, amorf silisyum filmler oluşturdukları gürültü açısından incelenmiştir. Omik kontaklı olan filmler vakumda elektron tabancası ile buharlaştı rılarak iki farklı geometride gerçekleştiril miştir. 10 Hertz' den 4.4 kHz 'e kadar! ık bir frekans ekseni boyunca gürültü spektrumu belirlenmiş ve bu frekans bölgesindeki ölçümler l/f tipi karakteristiğin geçerli olduğunu göstermiştir, ölçümlerde doğru akım kutuplama gerilimi ve sıcaklık değiştirilerek etkin gürültü direnci belirlenmiştir. Artan sıcaklıklarda (>300°K) gürültü seviye sinin azaldığı görülmüştür. Oda sıcaklığında fonon yardımlı atlama olayı ile gürültü oluşumu arasında ilişki kurulmuş ve bu bölgede Fermi seviyesi durum yoğunluğunun, gürültü ölçme yöntemiyle hesapla nabileceği gösterilmiştir. Ayrıca, amorf olmayan silisyum kristalinin gürültüsü de ölçülerek, amorf silisyumdan daha gürültülü olduğu gözlenmiştir.
Özet (Çeviri)
In this thesis, amorphous silicon films are fabricated and their low-frequency noise properties are investigated over the range of 10 Hz to 4.4 kHz. The ohmic contacted films are produced in two different geometries using the electron gun vacuum-evaporation technique. The noise measurements carried out at low-frequencies show that, 1/f noise is dominant in this frequency region. Effects of d.c. biasing and increasing ambient temperature are also investigated; increasing temperature (>300 °K) decreases the low-frequency noise power level. The relationship between the hopping rate and the 1/f noise is verified. It is also shown that, the density of states near the Fermi level can be calculated from 1/f noise measurements. Amorphous silicon films are found to be noisier than the crystalline structure.
Benzer Tezler
- Fabrication and characterization of miniaturized fluxgate sensors
Minyatürize edilmiş fluxgate sensörlerin fabrikasyonu ve karakterizasyonu
FATMANUR KOCAMAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
Mühendislik BilimleriGebze Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUHAMMED HASAN ASLAN
DR. ÖĞR. ÜYESİ TURGUT TUT
- Dalgacık analizi kullanılarak optik fotoğraflardan bulutluluk oranı tayini
Cloudiness ratio determination from optic photographs using wavelet analysis
UĞUR BERKAY KAHVECİ
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Enerjiİstanbul Teknik ÜniversitesiEnerji Bilimi ve Teknolojileri Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ BURAK BARUTÇU
- Computational and experimental investigation of low frequency noise in passenger vehicles
Binek araçlardaki düşük frekanslı gürültünün hesaplamalı ve deneysel yöntemlerle araştırılması
AKIN OKTAV
Doktora
İngilizce
2016
Mühendislik BilimleriBoğaziçi ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. GÜNAY ANLAŞ
DOÇ. DR. ÇETİN YILMAZ
- Elektronik harp sistemlerinde düşük sinyal gürültü oranlarında lpı radar sinyallerinin tespiti ve sınıflandırılması için yapay zekâ yaklaşımları
Artificial intelligence approaches for the detection and classification of lpi radar signals in low signal-to-noise ratio conditions in electronic warfare systems
ZEYNEP HASALAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2026
Savunma ve Savunma TeknolojileriSelçuk ÜniversitesiSavunma Teknolojileri Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)
DR. ÖĞR. ÜYESİ FATİH ALPASLAN KAZAN
- Modelling and experimental study of low frequency and radio frequency radition from electronic devices
Elektronik sınavlardan yayılan düşük frekans ve radyo frekans (yüksek frekans) yayılımların ölçülmesi ve modellenmesi
HASAN KOÇER
Yüksek Lisans
İngilizce
1998
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiBoğaziçi ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SELİM ŞEKER