TlSbSe2 bileşiğinin elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Investigation of electrical properties of TlSbSe2 compound
- Tez No: 377328
- Danışmanlar: DOÇ. DR. NEVİN KALKAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2014
- Dil: Türkçe
- Üniversite: İstanbul Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Genel Fizik Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 70
Özet
Bu çalışmada, Bridgman-Stockbarger metoduyla büyütülmüş olan TlSbSe2 tabaka kristaller kullanıldı ve tabakalara paralel ve dik Au elektrotlar oluşturuldu. ~10-5 Torr vakum altında, 233-373 K sıcaklık bölgesinde, 1-1000 Volt aralığında gerilim uygulanarak akım-voltaj değişimlerine bakıldı. Bu değişimlerden mevcut ve baskın olan DC iletkenlik mekanizmaları ve gözlenen elektriksel anahtarlamanın tipi belirlendi. Malzemenin elektriksel anizotropiye sahip olup olmadığının belirlenebilmesi için, aynı örnek üzerinde hem tabakalara dik, hem de paralel olan In elektrotlar hazırlandı ve 233-353 K sıcaklık aralığında 0-60 Volt arası voltaj uygulanarak I-V ölçümleri yapıldı. Malzemenin elektriksel iletkenliği incelendi ve anizotropik olduğu bulundu. Ayrıca threshold voltajının seri direnç ve sıcaklık değişimiyle olan ilişkisi incelendi.
Özet (Çeviri)
In this work, TlSbSe2 layer crystals which were grown by the using Bridgman-Stockbarger technique were used and Au electrodes were formed parallel and perpendicular to the layers. The current and voltage characteristics for these samples were analyzed in ~10-5 Torr vacuum with a voltage range of 1-1000 Volts and a temperature range between 233 K and 373 K. From our analysis, we determined the existing and dominant DC conductivity mechanisms as well as the types of observed electrical switching. To define whether it shows electrical anisotropy, Indium electrodes, both parallel and perpendicular to the layers, were prepared and the current-voltage ( I-V) characteristics of TlSbSe2 between 0-60 volts and between 233- 353 K were carried out. The electrical conductivity of the material was investigated and found to be anisotropic. The relationship between the threshold voltage and series resistance and temperature were also analyzed.
Benzer Tezler
- Talyum tabanlı bazı malzemelerin termoelektrik özelliklerinin temel ilkeler ile incelenmesi
Investigation of thermoelectric properties of some thallium based materials
ŞENNUR TOKDİL ÖZTÜRK
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiTekirdağ Namık Kemal ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. TANJU GÜREL
- TlSbS2 yarıiletken malzemesinin elektriksel özellikleri
Electrical properties of the semiconductor material TlSbS2
MURAT KOÇ
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. SAFFETTİN YILDIRIM
- Talyum antimon disülfid (TlSbS2) ince filmlerinin elektriksel özellikleri
Electrical properties of thallium antimony disulfide (TlSbS2) thin films
MURAT PARTO
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. DENİZ DEĞER ULUTAŞ
- Talyum galyum disülfid (TlGaS2) ince filmlerinin dielektrik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of dielectric properties of Thallium gallium disulfide (TlGaS2) thin films
ZEYNEP ÇİÇEK
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HULUSİ KEMAL ULUTAŞ