Fotovoltaik uygulamalar için germanyum güneş pillerinin ve germanyum ince filmlerin üretilmesi ve karakterizasyonu
Production and characterization of germanium solar cells and germanium thin films for photovoltaic applications
- Tez No: 389652
- Danışmanlar: PROF. DR. NURİ ÜNAL, PROF. DR. RAŞİT TURAN
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Enerji, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Energy, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2015
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Akdeniz Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışma, iyon ekme yöntemi aracılığıyla p-n eklemi oluşturulan ve III-V çok eklemli güneş pilleri için alttaş olarak kullanılan Ge güneş pillerinin hazırlanmasını amaçlamaktadır. Güneş pillerinden maksimum verim elde edebilmek için Ge farklı P konsantrasyonlarında katkılanmıştır. 31P+ konsantrasyonunun, tavlama sıcaklığının ve tavlama süresinin I-V eğrisi üzerine etkisi incelenmiştir. Farklı konsantrasyonlarda ekilmiş Ge güneş pillerinde konsantrasyon arttıkça, güneş pili parametreleri olan Isc ve Voc değerlerinde artmanın olduğu gözlenmiştir. Sıcaklığa bağlı yapılan I-V ölçümlerinde en iyi sonuç 650 oC de 120 s tavlama yapılan örneklerde elde edilmiştir. Ayrıca, güneş pili uygulamaları için farklı alttaşlar üzerine büyütülen poli-kristal Ge ince filmlerin yapısal özellikleri tavlama sıcaklığının fonksiyonu olarak Raman ve XRD ölçümleri ile incelenmiştir. Farklı alttaşlar üzerine büyütülen Ge ince filmlerde sıcaklık arttıkça kristallenmede artmaktadır. Metal-indüklü kristallenmede 300 oC'de 60 dakika yapılan tavlamada kristallenmenin olduğu görülmektedir.
Özet (Çeviri)
This work aims preparation of Ge solar cells used as substrates for III-V multi-junction solar cells by forming the p-n junction through ion implantation. Ge was doped with different P concentrations in order to achieve maximum efficiency for solar cells. The influence of 31P+ concentration, annealing temperatures and annealing times on the I-V curves of the Ge solar cells were investigated. Solar cells parameters Isc and Voc values are increased with increasing 31P+ concentration in different concentration implanted Ge solar cells. Best results were obtained in the I-V measurement from the sample annealed at 650 oC for 120 s depending on the annealing temperatures. Besides for photovoltaic applications structural, properties of poly-crystalline Ge thin films deposited on different substrates were investigated as a function of annealing temperatures through Raman and XRD measurements. Crystallization of Ge thin films deposited on different substrates is increased with increasing annealing temperatures. The crystallization is observed at annealing temperatures of 300 oC for 60 minutes in the metal induced crystallization.
Benzer Tezler
- Development of polymer based fibers with photovoltaic effect
Fotovoltaik etki oluşturan polimerik liflerin geliştirilmesi
KÜBRA İLGEN
Yüksek Lisans
İngilizce
2011
Polimer Bilim ve Teknolojisiİstanbul Teknik ÜniversitesiPolimer Bilim ve Teknolojisi Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ALİ DEMİR
- Evaluation of surface photovoltage on silicon surfaces
Başlık çevirisi yok
EMİN ÜNAL
Yüksek Lisans
İngilizce
1988
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiYRD. DOÇ. DR. MÜZEYYEN SARITAŞ
- Efficiency optimization of silicon solar cells
Başlık çevirisi yok
HASAN GÖKPINAR
Yüksek Lisans
İngilizce
1988
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiDOÇ. DR. MÜZEYYEN SARITAŞ
- A DC/DC converter system for maximum power point tracking in small photovoltaic systems
Başlık çevirisi yok
TURGAY MALERİ
Yüksek Lisans
İngilizce
1988
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiDOÇ. DR. MUAMMER ERMİŞ
- Amorf silisyum güneş pillerinde“degrading”olayının incelenmesi
Degradation of amorphous silicon solar cells
TÜLAY SERİN
Doktora
Türkçe
1988
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ARSIN AYDINURAZ