Analysis and design of RF CMOS attenuators
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 400816
- Danışmanlar: PROF. ROBERT G. MEYER
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2005
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Unıversıty Of Calıfornıa Berkeley
- Enstitü: Yurtdışı Enstitü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Özet yok.
Özet (Çeviri)
The markets for wireless and wire-line technologies have continued to grow exponentially over the last decade. Both emerging and existing technologies led to the design of area-efficient, power-efficient and cost-efficient highly-integrated solutions to meet the market demand. Additionally, continuous scaling of CMOS has enabled the realization of high-frequency solutions, which have been previously realized by higher performance technologies such as GaAs and bipolar. Gain-control blocks in RF chains have been an important part of this transition process. While there are multiple ways to achieve gain control in the chain, such as using active Variable Gain Amplifiers, (VGA), or passive resistor network attenuators, integrated CMOS attenuators promise a low power, low cost solution to this functionality. This thesis intends to analyze the design of RF CMOS attenuators. It presents the design concerns in the design of attenuators and addresses them thoroughly. It tries to give various tradeoffs between design parameters and gives optimization methodologies in designing for different specifications. Furthermore, it facilitates the limitations in attenuator design in terms of nonlinearities, analyzes the CMOS device in its resistive linear region for linearity and uses this analysis to solve for distortion in CMOS attenuators.
Benzer Tezler
- Circuit design and technology evaluation of front-end RFic's for wireless communication
Kablosuz haberleşmede kullanılan ön kat RF tümdevreler için devre ve teknoloji değerlendirmesi
YAĞIZ MAHMUT İNCE
Yüksek Lisans
İngilizce
2024
Orta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
Yükleniyor...
- CMOS düşük gürültülü kuvvetlendiricilerde doğrusallaştırma tekniklerinin incelenmesi
Linearization techniques of CMOS low noise amplifier
ESRA İNCE
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Fırat ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
Yükleniyor...
- A 65 nm CMOS low-power phase-locked loop design for 5g nr78 mobile applications
5g nr78 mobil uygulamaları için 65 nm CMOS düşük güç tüketimli faz kilitlemeli döngü tasarımı
BORA BATUHAN İŞGÖR
Yüksek Lisans
İngilizce
2025
İstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
Yükleniyor...
- An ultra low-power IR-UWB transmitter in 130nm CMOS with digitally controlled pulse generator
Başlık çevirisi yok
AHMED JALAL HAMAD ALSHUWAYHIDI
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
İstanbul Bilgi ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
Yükleniyor...