Analysis and design of RF CMOS attenuators
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 400816
- Danışmanlar: PROF. ROBERT G. MEYER
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2005
- Dil: İngilizce
- Üniversite: University of California Berkeley
- Enstitü: Yurtdışı Enstitü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 168
Özet
Özet yok.
Özet (Çeviri)
The markets for wireless and wire-line technologies have continued to grow exponentially over the last decade. Both emerging and existing technologies led to the design of area-efficient, power-efficient and cost-efficient highly-integrated solutions to meet the market demand. Additionally, continuous scaling of CMOS has enabled the realization of high-frequency solutions, which have been previously realized by higher performance technologies such as GaAs and bipolar. Gain-control blocks in RF chains have been an important part of this transition process. While there are multiple ways to achieve gain control in the chain, such as using active Variable Gain Amplifiers, (VGA), or passive resistor network attenuators, integrated CMOS attenuators promise a low power, low cost solution to this functionality. This thesis intends to analyze the design of RF CMOS attenuators. It presents the design concerns in the design of attenuators and addresses them thoroughly. It tries to give various tradeoffs between design parameters and gives optimization methodologies in designing for different specifications. Furthermore, it facilitates the limitations in attenuator design in terms of nonlinearities, analyzes the CMOS device in its resistive linear region for linearity and uses this analysis to solve for distortion in CMOS attenuators.
Benzer Tezler
- A high linearity s-band cryogenic low noise amplifier using 180 nm CMOS technology for space applications
Uzay uygulamaları için 180 nm CMOS teknolojisiyle gerçeklenmiş yüksek doğrusallı kriyojenik s-bant düşük gürültülü kuvvetlendirici
ALİCAN ÇAĞLAR
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ MUSTAFA BERKE YELTEN
- CMOS Power Amplifiers for Multi-Hop Communication Systems
Multi-Hop Haberleşme Sistemlerinde CMOS Güç Amplifikatörleri
HÜSEYİN ANIKTAR
Doktora
İngilizce
2007
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiAalborg UniversitetElektronik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TORBEN LARSEN
- CMOS class E pover amplifiers for wireless communications
Kablosuz iletişim için CMOS E sınıfı güç kuvvetlendiricileri
KATİBE İLHAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2003
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. OSMAN PALAMUTÇUOĞULLARI
- Circuit design and technology evaluation of front-end RFic's for wireless communication
Kablosuz haberleşmede kullanılan ön kat RF tümdevreler için devre ve teknoloji değerlendirmesi
YAĞIZ MAHMUT İNCE
Yüksek Lisans
İngilizce
2024
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞİMŞEK DEMİR
- High performance tunable active inductors for microwave circuits
Mikrodalga devreleri için yüksek başarımlı ayarlanabilir aktif endüktörler
HADI GHASEMZADEH MOMEN
Doktora
İngilizce
2016
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. METİN YAZGI
YRD. DOÇ. DR. RAMAZAN KÖPRÜ