Geri Dön

0.13 µm SiGe BiCMOS W&D-Band receivers for passive millimeter-wave imaging applications

Milimetre dalga pasif görüntüleme sistemleri için 0.13 µm SiGe BiCMOS W&D-Band alıcılar

  1. Tez No: 444557
  2. Yazar: BERKTUĞ ÜSTÜNDAĞ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. YAŞAR GÜRBÜZ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2016
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Sabancı Üniversitesi
  10. Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 120

Özet

Son yııllarda, otomotiv RADAR'ları, yüksek veri hızlı kablosuz iletişim ve görüntüleme sistemleri için geliştirilen milimetre dalga (30-300 GHz) tümleşik devre tasarımları aktif bir araştırma alanı haline gelmiştir. Pasif görüntüleme sistemlerinin potansiyel etkisi; güvenlik taramaları, silah algılama ve topografi görüntüleme gibi uygulamalar üzerinde görülebilmektedir. Bu sebeple, 100 GHz ve üstünde çalışabilen yüksek performanslı MMIC'ler (Monolitik Mikrodalga Entegre Devre) yeni nesil görüntüleme sistemleri için anahtar rol oynamaktadır. CMOS ve SiGe BiCMOS gibi proses teknolojileri son yıllarda büyük bir gelişme göstermiştir. özellikle SiGe BiCMOS prosesi, bir kaç yüz GHz ft=fmax değerine ulaşabilen HBT'leri ile III-IV teknolojilerine yakın performansı daha düşük maliyetler ile gösterebilmekte, dolayısı ile yüksek performanslı mm-dalga uygulamaları için mükemmel bir opsiyon sunmaktadır. Bu tezde; IHP'nin 0.13 m SiGe BiCMOS teknolojisi kullanılarak gerçeklenen W-Band (75-110 GHz) ve D-Band (110-170 GHz) radyometre alt blokları ile yonga üstü antenlerin dahil edildiği tek ve çift kanallı alıcılar sunulmuştur. Radyometrelerin ısı eşlenik gürültü seviyelerini (NETD) 1 K'nın altında tutmak için, belirtilen bantlarda; düşük giriş kayıplı SPDT anahtlarlar, düşük gürültülü güçlendiriciler (LNA) ve yüksek cevap verme yetili güç detektörleri tasarlanmış ve ölçülmüştür. Dicke Anahtarlamalı ve Toplam Güç Radyometre ön blok alıcıları gerçeklenmiştir. Tüm sistemin entegrasyonu için LBE (yerel pul arkası aşındırma) prosesini kullanan yonga üstü antenler de alıcılara dahil edilmiştir. Ayrıca, alanı arttırmadan radyometre hassasiyetini p 2 kat arttırabilecek, tek anten çift kanal alıcı topolojisi önerilmiş ve tasarlanmıştır.

Özet (Çeviri)

Design of millimeter-wave (30-300 GHz) integrated circuits for various applications such as RADAR, wireless communication systems and imaging systems has become an active area of research in recent years. Passive type of imaging systems have the potential to impact several areas including security scanning, concealed weapon detection and topography imaging. Therefore, high performance MMICs capable of operating 100 GHz and beyond will be the key for next generation imaging systems. Process technologies such as CMOS and SiGe BiCMOS have advanced tremendously over the past decades. Especially the SiGe BiCMOS process with HBTs that have ft=fmax values above several hundred GHz, is an excellent option for high performance mm-wave applications due to its comparable performance to III-V technologies while having relatively lower costs. In this thesis, we present W-Band (75-110 GHz) and D-Band (110-170 GHz) radiometer sub-blocks as well as single and dual channel implementations with onchip antennas using IHP's 0.13 m SiGe BiCMOS technology. In order to keep the Noise Equivalent Temperature Dfference (NETD) of the radiometers below 1 K, low insertion loss SPDT switches, high bandwidth low noise amplifiers (LNA) and high responsivity power detectors have been designed and measured. Dicke Switched and Total Power Radiometer front end receivers have been implemented. For complete integration, on-chip mm-wave antennas that make use of LBE (Local Backside Etching) process are included in the receivers. Also, a single antenna dual channel receiver is proposed and designed that would increase the sensitivity of the radiometer by p 2 without increasing the overall die area.

Benzer Tezler

  1. W/D-Bands Single-Chip Systems in a 0.13μm SiGe BiCMOS Technology – Dicke Radiometer, and Frequency Extension Module for VNAs

    0.13μm SiGe BiCMOS W/D-Band Tek-Çip Sistemler – Dicke Radyometresi, ve VNA'lar için Frekans Genişletici Modül

    EŞREF TÜRKMEN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2018

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSabancı Üniversitesi

    Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. YAŞAR GÜRBÜZ

  2. SiGe BiCMOS active phase shifter design for W-band automotive radar applications

    W-band otomotiv radar uygulamaları için SiGe BiCMOS aktif faz kaydırıcı tasarımı

    EFE ÖZTÜRK

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2014

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSabancı Üniversitesi

    Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. İBRAHİM TEKİN

  3. 77 GHz SiGe BiCMOS FMCW RADAR for automotive applications

    Otomotiv uygulamaları için 77 GHz SiGe BiCMOS FMCW RADAR

    HAMZA KANDİŞ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSabancı Üniversitesi

    Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. YAŞAR GÜRBÜZ

  4. High speed data acquisition techniques for pipelined analog to digital converters in IHP SiGe BiCMOS 0.13 µm

    IHP SiGe BiCMOS 0.13 µm'de boru hattı analogdan dijitale çeviriciler için yüksek hızlı veri elde etme teknikleri

    HAKAN ÇETİNKAYA

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2024

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. TUFAN COŞKUN KARALAR