Perovskit tabanlı esnek ambipolar ince film transistörler
Perovskite-based flexible ambipolar thin film transistors
- Tez No: 474118
- Danışmanlar: PROF. DR. SAVAŞ BERBER
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2017
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gebze Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 46
Özet
Bu tez çalışmasında, literatürde sıralı kaplama olarak anılan bir yöntem kullanılarak CH3NH3PbI3 perovskit filmi elde edildi. Üretilen CH3NH3PbI3 filmlerinin karakterizasyonu için kalınlık ölçümlerinde profilometre cihazı, pürüzlülük ölçümlerinde ise Atomik Kuvvet mikroskobu (AFM) kullanıldı. Tanecik boyutu ve sınırı incelemeleri için Taramalı Elektron Mikroskobu (SEM) görüntüleri alındı. Absorbans ölçümlerinde spektrofotometre, X ray dağılım ölçümlerinde ise X-ray difraktometre sistemi kullanıldı. Perovskit filminin absorbans başlangıcının yaklaşık 1.6 eV'lik bir bant aralığına tekabül ettiği ve literatür ile uyumlu olduğu görüldü. İnce film transistör fabrikasyonu için, öncelikle, ITO kaplı cam alttaş üzerinde alttan kapılı cihaz geometrisi üzerine çalışıldı. ITO tabakası üzerine kapı dielektriği ve perovskit tabakası dönel kaplanarak şekillendirildi. Son olarak termal buharlaştırma metodu ile Alüminyum savak kaynak elektrotları oluşturuldu. Kapı elektrotu olarak ise ITO tabakası kullanıldı. Kapı dielektriği olarak farklı kalınlıklarda SU8 ve spin on glass gibi malzemeler kullanıldı. Bu malzemeler kullanılarak üretilen cihazlarda kapılama davranışı gözlemlenemediğinden kapı dielektriği olarak SiOx kullanılmasına karar verildi. Bunun üzerine Sabancı Üniversitesi SUNUM Laboratuvarındaki Oxford PECVD sisteminde silisyum yonga üzerinde 300 nm SiOx film büyütüldü. SiOx film üzerinde yukarıda anlatılan yöntemler kullanılarak perovskit filmi kaplandı. Gölge maske metodu ile gümüş savak kaynak elektrotları kaplanarak alttan kapılı TFT cihazlar tamamlandı. Bu cihazlarda her ne kadar kapılama davranışı belirgin şekilde gözlemlenmese de kaçak akım probleminin büyük oranda çözüldüğü görüldü. Bunun üzerine gümüş elektrotlar ile perovskit filmi arasına C60 kaplanarak ohmik kontak oluşturulmaya çalışıldı. C60 kullanılarak gerçekleştirilen cihazlarda kapılama davranışı gözlemlenerek p ve n tipi alan etkili mobilite değerleri hesaplandı.
Özet (Çeviri)
In this thesis, a production method called as sequential coating was performed in order to obtain CH3NH3PbI3 perovskite films. Surface profilometer and atomic force microscope (AFM) was used for thickness profile and roughness measurements respectively. Scanning Electron Microscope (SEM) images were obtained for grain size and boundary inspections. X-ray diffraction and absorbance measurements were performed by X-ray diffractometer and spectrophotometer systems respectively. The absorbance on-set of the perovskite film corresponded to a bandgap of 1.6 eV and was consistent with the literature. Fistly, bottom-gate device geometry on an ITO coated glass substrate was investigated. Gate dielectric and perovskite layers were formed by spin coating onto the ITO layer. Finally, aluminum source drain electrodes were formed by thermal evaporation. ITO layer was used as the gate electrode. SU8 and spin on glass in various thicknesses were used as gate dielectric. No gating behavior was observed in these devices therefore, 300 nm thick SiOx film was deposited on a silicon wafer in the Oxford PECVD system at Sabancı University SUNUM Laboratory. Perovskite film was coated on the SiOx film using the methods described above. Bottom-gate TFT devices were completed by deposition of silver source-drain electrodes via shadow mask method. Although gating behavior wasn't observed clearly in these devices, the leakage current problem was resolved in great extent. C60 was coated between silver electrodes and perovskite film to form ohmic contacts. Gating behavior was observed in devices employing C60, and corresponding p and n type field-effect mobility values were calculated.
Benzer Tezler
- Esnek çinko oksit-perovskit temelli fotodedektör üretimi ve karakteristik özelliklerinin analizi
Production of flexible zinc oxide-perovskite based photodetector and analysis of their characteristic properties
EMİNE KARAGÖZ
Doktora
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiTOBB Ekonomi ve Teknoloji ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NURDAN DEMİRCİ SANKIR
- Nikel oksit nano yapılı delik taşıyıcı materyal tabanlı p-i-n perovskit güneş hücresinin aktif katman optimizasyon ve karakterizasyonları
Characterization and optimization of active layer of p-i-n perovskite solar cell based on nickel oxide nanostructured hole transport material
ATAKAN CANATAN
- Perovskit güneş hücrelerinde ETL katmanı olarak kullanılan Nb2O5'in geliştirilmesi
Development of Nb2O5 used as ETL layer in perovskite solar cells
RAMAZAN ALPAY
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
EnerjiGazi ÜniversitesiFotonik Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. NİHAN AKIN SÖNMEZ
- Colloidal perovskite nanocrystals and LED applications
Koloidal perovskit nanokristaller ve ışık saçan diyot uygulamaları
EMRE BEŞKAZAK
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiAbdullah Gül ÜniversitesiElektrik ve Bilgisayar Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. EVREN MUTLUGÜN
- Multimorphological zinc oxide: Synthesis and investigation of solar driven hydrogen generation and optoelectrical properties
Çoklu morfolojili çinko oksit: Sentez, güneş enerjili hidrojen üretimi ve optoelektrik özelliklerin incelenmesi
NAZRIN ABDULLAYEVA
Doktora
İngilizce
2022
EnerjiTOBB Ekonomi ve Teknoloji ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NURDAN DEMİRCİ SANKIR