X-ray radiation effects on the CuInGaTe2 semiconductor diode parameters
CuInGaTe2 yarı iletken diyot parametrelerine x-ışını radyasyonunun etkisi
- Tez No: 521250
- Danışmanlar: PROF. DR. GÜVEN ÇANKAYA
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2018
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Ankara Yıldırım Beyazıt Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada CuInGaTe2 yarıiletken diyotun elektriksel parametreleri üzerine iyonlaştırıcı X-Işını radyasyonunun etkisi araştırıldı. I-V ölçümleri laboratuvar ortamında beş farklı radyasyon değeri (200, 400, 600, 800 ve 1000 santiGray (cGy)) için alındı. Diyotlar, 6 MV X-Işını oluşturan bir lineer hızlandırıcı (LINAC) ile ışınlandı ve tüm ışınlamalar süresince X-Işınını şekillendiren 10x10 cm2 alan boyutlarında standart aplikatörler kullanıldı. İdealite faktörü, bariyer yüksekliği, seri direnç gibi elektriksel parametreler ışınım öncesi ve sonrasında ileri beslem I-V ölçümleri yardımıyla elde edildi. Ardından Cheung-Cheung metoduyla bu parametreler hesaplandı ve sonuçların birbiriyle uyumlu olduğu gözlemlendi. Buna ilave olarak, arayüzey durumlarının yoğunluğu, düz beslem I-V karakteristiklerinden belirlendi. Işınlanma dozunun artışıyla idealite faktörünün arttığı, engel yüksekliğinin ise azaldığı gözlendi. Bu, diyotların arayüzeyinde oluşan kusurlara ve arayüz durumlarının yoğunluğundaki artışa bağlandı. Radyasyon dozunun artmasıyla, tüm seri direnç değerlerinde artış gözlendi. Bu durum, mobilite ve serbest taşıyıcı konsantrasyonunun azalmasına atfedildi. İyonlaştırıcı X-Işını ışınlamasından sonra oluşan kusurlardan dolayı diyotun ideallikten saptığı gözlendi. Sonuçlar, diyotun elektriksel özelliklerinin üzerinde X-Işını radyasyonunun etkili olduğunu göstermiştir. Bu özellik, CuInGaTe2 yarıiletken diyotunun X-Işını radyasyon algılama aygıtlarında kullanılabileceğini ortaya koymaktadır.
Özet (Çeviri)
In this study, the effect of ionizing X-Ray radiation on the electrical parameters of CuInGaTe2 semiconductor diode was investigated. I-V measurements were taken for five different radiation values (200, 400, 600, 800 and 1000 centiGray (cGy)) in the laboratory environment. The diodes were irradiated with a 6 MV X-Ray generating linear accelerator (LINAC) and standard applicators of 10x10 cm2 area size were used to shape the X-Ray during all irradiation. Electrical parameters such as the ideality factor, barrier height, and series resistance were obtained with the help of the forward bias I-V measurements before and after irradiation. Then these parameters were calculated by Cheung-Cheung method and it was observed that the results were compatible with each other. In addition, the interface states density was determined from the forward bias I-V characteristics. As the irradiation dose increased, the ideality factor increased and the barrier height decreased. This is due to the defects in the interface of the diodes and the increase in the intensity of the interface states. As the radiation dose increased, all series resistance values increased. This was attributed to a decrease in mobility and free carrier concentration. It was observed that the diode diverged from the ideal because of the defects that occurred after X-Ray irradiation. The results show that X-Ray radiation is effective on the electrical properties of diode. This feature demonstrates that the CuInGaTe2 semiconductor diode can be used in X-Ray radiation detection devices.
Benzer Tezler
- X-ışınının mısır koçan kurdu sesamia nonagrioides lef. (Lepidoptera, Noctuidae )'in farklı gelişme evreleri, bazı biyokimyasal ve sitogenetik özellikleri üzerine etkisi
Effects of x-ray radiation on some biochemical and cytogenetic characteristics and different development stages of the mediterranean corn borer, sesamia nonagrioides (Lepidoptera: Noctuidae)
HATİCE AVAN AKSOY
Doktora
Türkçe
2014
BiyolojiKahramanmaraş Sütçü İmam ÜniversitesiBiyoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CENGİZ BAHADIROĞLU
- Dijital röntgen sistemlerinde X-ışın parametreleri ve sistem bileşenlerinin görüntü kalitesi ve hasta maruz kalma dozuna etkileri
The effects of X-ray parameters and system components on image quality and patient radiation dose in digital X-ray systems
TURAN KARİPCİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. KENAN DANIŞMAN
- X-ışını radyasyonunun metal/organik/yarıiletken doğrultucu kontaklarının I-V (Akım-gerilim) karakteristikleri üzerine etkileri
The effects of X-ray irradiation on the /current-voltage/ (I-V) characterictics of metal/organic/semiconductor rectifier contacts
YILMAZ ŞAHİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Bölümü
PROF. DR. ŞAKİR AYDOĞAN
- Nöron hücre kültüründe gama ışını, lazer, x ışını ve görünür ışık ışınlarının hücreler üzerindeki canlılık oranlarına, total oksidan ve antioksidan parametrelere, kalsiyum, potasyum ve sodyum elementlerinin konsantrasyonuna etkilerinin incelenmesi
The effects of gamma ray, x ray, lazer and visible light on viability, total oxidant-antioxidant capacity, Na, K and Ca concentrations in neuronal cell culture
ABDULLAH ÇOLAK
Tıpta Uzmanlık
Türkçe
2014
NöroşirürjiAtatürk ÜniversitesiCerrahi Tıp Bilimleri Bölümü
YRD. DOÇ. MÜRTEZA ÇAKIR
- Farklı görüntüleme yöntemleri kullanılarak yapılan ışınlamalar sonucunda oluşan radyasyon miktarının osseointegrasyona olan etkisinin değerlendirilmesi
The effects of radiation doses on osseointegration exposed from different imaging modalities: an in - vitro assesment
MEHMET HAKAN KURT
Doktora
Türkçe
2013
Diş HekimliğiAnkara ÜniversitesiAğız, Diş ve Çene Radyolojisi Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BENGİ ÖZTAŞ