X-ray radiation effects on the CuInGaTe2 semiconductor diode parameters
CuInGaTe2 yarı iletken diyot parametrelerine x-ışını radyasyonunun etkisi
- Tez No: 521250
- Danışmanlar: PROF. DR. GÜVEN ÇANKAYA
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2018
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Ankara Yıldırım Beyazıt Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 88
Özet
Bu çalışmada CuInGaTe2 yarıiletken diyotun elektriksel parametreleri üzerine iyonlaştırıcı X-Işını radyasyonunun etkisi araştırıldı. I-V ölçümleri laboratuvar ortamında beş farklı radyasyon değeri (200, 400, 600, 800 ve 1000 santiGray (cGy)) için alındı. Diyotlar, 6 MV X-Işını oluşturan bir lineer hızlandırıcı (LINAC) ile ışınlandı ve tüm ışınlamalar süresince X-Işınını şekillendiren 10x10 cm2 alan boyutlarında standart aplikatörler kullanıldı. İdealite faktörü, bariyer yüksekliği, seri direnç gibi elektriksel parametreler ışınım öncesi ve sonrasında ileri beslem I-V ölçümleri yardımıyla elde edildi. Ardından Cheung-Cheung metoduyla bu parametreler hesaplandı ve sonuçların birbiriyle uyumlu olduğu gözlemlendi. Buna ilave olarak, arayüzey durumlarının yoğunluğu, düz beslem I-V karakteristiklerinden belirlendi. Işınlanma dozunun artışıyla idealite faktörünün arttığı, engel yüksekliğinin ise azaldığı gözlendi. Bu, diyotların arayüzeyinde oluşan kusurlara ve arayüz durumlarının yoğunluğundaki artışa bağlandı. Radyasyon dozunun artmasıyla, tüm seri direnç değerlerinde artış gözlendi. Bu durum, mobilite ve serbest taşıyıcı konsantrasyonunun azalmasına atfedildi. İyonlaştırıcı X-Işını ışınlamasından sonra oluşan kusurlardan dolayı diyotun ideallikten saptığı gözlendi. Sonuçlar, diyotun elektriksel özelliklerinin üzerinde X-Işını radyasyonunun etkili olduğunu göstermiştir. Bu özellik, CuInGaTe2 yarıiletken diyotunun X-Işını radyasyon algılama aygıtlarında kullanılabileceğini ortaya koymaktadır.
Özet (Çeviri)
In this study, the effect of ionizing X-Ray radiation on the electrical parameters of CuInGaTe2 semiconductor diode was investigated. I-V measurements were taken for five different radiation values (200, 400, 600, 800 and 1000 centiGray (cGy)) in the laboratory environment. The diodes were irradiated with a 6 MV X-Ray generating linear accelerator (LINAC) and standard applicators of 10x10 cm2 area size were used to shape the X-Ray during all irradiation. Electrical parameters such as the ideality factor, barrier height, and series resistance were obtained with the help of the forward bias I-V measurements before and after irradiation. Then these parameters were calculated by Cheung-Cheung method and it was observed that the results were compatible with each other. In addition, the interface states density was determined from the forward bias I-V characteristics. As the irradiation dose increased, the ideality factor increased and the barrier height decreased. This is due to the defects in the interface of the diodes and the increase in the intensity of the interface states. As the radiation dose increased, all series resistance values increased. This was attributed to a decrease in mobility and free carrier concentration. It was observed that the diode diverged from the ideal because of the defects that occurred after X-Ray irradiation. The results show that X-Ray radiation is effective on the electrical properties of diode. This feature demonstrates that the CuInGaTe2 semiconductor diode can be used in X-Ray radiation detection devices.
Benzer Tezler
- Performance evaluation of CdZnTe based improved X-ray detector (iXRD) on SharjahSat1 cubesat
SharjahSat1 küp uydusuna yerleştirilecek olan CdZnTe tabanlı geliştirilmiş X ışını algılayıcının (iXRD) performans değerlendirmesi
ALİ MÜRTEZA ALTINGÜN
Doktora
İngilizce
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiSabancı ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EMRAH KALEMCİ
- Yemek borusu kanseri tedavisinde radyoterapi uygulamasına ilişkin doz değerlendirmesi
Dose assesment of radiotherapy treatment of esophageal cancer
GİZEM DOĞANAY
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Nükleer Mühendislikİstanbul Teknik ÜniversitesiNükleer Araştırmalar Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ASİYE BERİL TUĞRUL
- X-ışınlarından koruyucu kurşun içermeyen tekstil malzemesi geliştirilmesi
Development of x-ray protective lead free textile material
NEBAHAT ARAL YILMAZ
Doktora
Türkçe
2016
Tekstil ve Tekstil Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiTekstil Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FATMA BANU NERGİS
PROF. DR. CEVZA CANDAN
- Polymethyl methacrylate yapının farklı iyonizan radyasyon tipleri karşısındaki davranışlarının partikül takviyesiyle değişiminin incelenmesi
Investigation of the change of the behavior of polymethyl methacrylate structure against different types of ionizing radiation with particle reinforcement
HİLAL MACUN ELMALI
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Nükleer Mühendislikİstanbul Teknik ÜniversitesiNükleer Araştırmalar Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NİLGÜN BAYDOĞAN
- Agrega tipinin çimento esaslı kompozitlerin radyasyon tutuculuk özelliğine etkisi
Effect of aggregate type on the radiation shielding properties of cement based composites
ABDULLAH MUTLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2020
İnşaat MühendisliğiYozgat Bozok Üniversitesiİnşaat Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FUAT KÖKSAL