RF saçtırma yöntemi ile büyütülen GaN filmlerinde AlN tampon varlığının incelenmesi
Investigation of existince of AlN buffer layer on GaN growths
- Tez No: 535622
- Danışmanlar: PROF. DR. EMRE GÜR
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2019
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Nanomalzeme Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 149
Özet
Bu tez çalışmasında RF magnetron saçtırma yöntemi ile silikon, safir, cam alttaş üzerine GaN filmi büyütülürken AlN tampon tabakasının etkisi araştırılmıştır. Bu çalışmada ilk olarak farklı büyütme şartlarında ve alttaşlarda AlN ince filmleri büyütülmüş ve optimum şartlar belirlenmiştir. AlN ince filmlerin morfoloji analizleri sonucunda şerit ve adacık yapıları olmak üzere iki farklı yapının değişen N2 kısmi basınca bağlı olarak oluştuğu gözlenmiştir.İnce filmlerin yüzey pürüzlülükleri AFM görüntüleri ile belirlenmiş ve silisyum alttaşları üzerinde büyüyen AlN ince filmlerinde daha az yüzey pürüzlülükleri gözlenmiştir. Düşük N2 basınçlarında yüzey pürüzlülük değerleri 1nm civarında iken artan N2 kısmi basıncı ile 3-4 nm mertebelerinde olduğu gözlenmiştir. AlN'dan sonra GaN filmi için de optimum büyütme şartları belirlenmiştir.GaN filmleri için N2 kısmibasıncının düşük olduğu örneklerin amorf yapıda oldukları gözlenmiş ve artan N2 basıncı ile filmlerin çoklu kristal olarak oluştukları XRD sonuçlarında bulunmuştur.Tezin son kısmıolarak ise ayrı ayrı belirlenen şartlarda AlN tampon filmi üzerine GaN filmleri büyütülmüş ve filmlerin analizleri için XRD, SEM, AFM, XPS teknikleri ile yapısal ve morfolojik özellikleri araştırılmıştır.AlN tampon tabakası kullanılan GaN filmlerinin daha yüksek kalitede büyümesini sağladığı gözlenmiştir. Diğer taraftan artan azot kısmi basınçları ile yüzey pürüzlülüğünün arttığı gözlenmiştir.
Özet (Çeviri)
In this thesis, AlN buffer layer effects on RF Magnetron Sputtered GaN layers grown on Si, sapphire and glass substrates has been investigated. Firstly, AlN thin films were grown at different growth parameters and substrates, and optimum growth parameters has been determined. Morphological analysis has shown that strip like 3D and islands like structures has been observed as the nitrogen partial pressure increases. Secondly, GaN optimum growth parameters with RF magnetron sputtering has been determined. Thirdly, GaN layers has been grown on AlN substrates and XRD, SEM, AFM, XPS analysis has been performed on each thin films. Grazing incident angle XRD measuremetn has shown GaN formation on AlN, while amorphous form has been grown on bare Si, sapphire and glass substrates. It has been observed that higher quality GaN growth on AlN buffer layer has been achived.Surface roughness of the thin films has been determined by AFM measurements and AlN thin films grown on Si substrates has shown the lower surface roughness. On the other hand, increasing nitrogen partial pressure has resulted in the increase of the surface roughness.
Benzer Tezler
- RF saçtırma yöntemi ile GaN ince filmlerinin büyütülmesi yapısal, morfolojik ve optik özelliklerinin incelenmesi
Growth of GaN thin films by RF sputter, investigation of structural, morphological and optical properties
ASİM MANTARCI
Doktora
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUTLU KUNDAKÇİ
- Application of photoemission spectroscopy in surface characterization of chromium oxide to define oxide phases growing by reactive magnetron sputtering deposition
Fotoemisyon spektroskopisinin reaktif magnetron saçtırma yöntemi ile büyütülen oksitlenmiş krom filmlerin, oksit fazlarının karakterizasyonunda kullanılması
İSMET GELEN
Yüksek Lisans
İngilizce
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. OSMAN ÖZTÜRK
DOÇ. DR. MUSTAFA ERKOVAN
- RF saçtırma yöntemi ile galyum oksit (Ga2O3) ince filmlerinin büyütülmesi yapısal, morfolojik ve optik özelliklerinin incelenmesi
Growth of gallium oxide (Ga2O3) thin films by RF sputter, investigation of structural, morphological and optical properties
HÜLYA AKÇAY
Yüksek Lisans
Türkçe
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiKatıhal Fiziği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUTLU KUNDAKÇİ
- RF saçtırma yöntemi ile InXGa1-XN üçlü bileşiğinin ince film olarak büyütülmesi ve karakterisitik özelliklerinin deneysel olarak incelenmesi
Growth of InXGa1-XN ternary compound as thin film by RF magnetron sputtering technique and investigation of characteristic properties with experimental analysis
ERMAN ERDOĞAN
Doktora
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUTLU KUNDAKÇİ
- RF-magnetron saçtırma yöntemi ile elde edilmiş yüksek performanslı WO3 ve V2O5 tabanlı elektrokromik malzemeler ve aygıtlar
High-performance electrochromic materials and devices based on WO3 and V2O5 obtained by RF-magnetron sputtering
SAMAN HABASHYANI
Doktora
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EMRE GÜR