Design, fabrication, and characterization of normally-off GaN hemts
Normalde kapalı YEMT aygıtların tasarım, fabrikasyon ve karakterizasyonu
- Tez No: 567054
- Danışmanlar: PROF. DR. EKMEL ÖZBAY
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2019
- Dil: İngilizce
- Üniversite: İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi
- Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 132
Özet
GaN tabanlı yüksek-elektron-mobiliteli transistörleri 1990'lı yılların başında ortaya çıktıklarından beri yoğun bir şekilde çalışılan ve GaN malzemesinin yüksek kırılma alanı, yüksek satürasyon hızı ve yüksek mobilitesi sayesinde düzenli olarak silikon tabanlı güç transistörlerine rakip olarak gösterilen aygıtlar olmuşlardır. Normalde kapalı olan GaN YEMT cihazları, güç elektroniği uygulamalarında özellikle önemlidir. Bu tez, teorik arkaplan incelemesi, teorik analiz, fiziksel temelli aygıt simülasyonları, aygıt üretimi ve optimizasyonu ve elektriksel karakterizasyonu dahil olmak üzere normalde kapalı yüksek elektronlu mobil transistörlerin kapsamlı bir çalışmasını sunar. Kapı bölgesinde p-GaN katmanı içeren InAlN/GaN YEMT ve gömme kapı aşındırması içeren AlGaN/GaN metal-yalıtkan-yarıiletken MYY-YEMT aygıtları başarıyla gösterilmiştir.
Özet (Çeviri)
GaN-based high-electron-mobility transistors (HEMTs) have been developing rapidly from the time when they were first demonstrated in the 1990s. They have consistently been presented as a displacement technology to silicon based power devices owing to the superior material properties of GaN such as high-electric breakdown field, high-electron saturation velocity, and high mobility. Normally-off GaN HEMT devices are particularly significant in power electronics applications. In this thesis, a comprehensive study of normally-off high-electron-mobility transistors is presented, including theoretical background review, theoretical analysis, physically-based device simulations, device fabrication and optimization and electrical characterization. p-GaN gate InAlN/GaN HEMT and recessed AlGaN/GaN MISHEMT devices have been successfully demonstrated.
Benzer Tezler
- Fabrication and characterization of temperature sensors
Sıcaklık sensörlerinin üretimi ve karakterizasyonu
RAMAZAN LÖK
Doktora
İngilizce
2022
Bilim ve TeknolojiBolu Abant İzzet Baysal ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HÜSEYİN KARAÇALI
- Development of radar absorbing materials (RAMs) based on nano-structured magnetic materials and applications
Başlık çevirisi yok
AHMET TEBER
- Çift yönlü hareket edebilen elektrotermal mikroaktüatörün tasarımı, analizi ve üretimi
Design, analysis and fabrication of bidirectional electrothermal microactuator
İSHAK ERTUĞRUL
Doktora
İngilizce
2019
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiMarmara ÜniversitesiMekatronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NİHAT AKKUŞ
- Terahertz and mid-infrared photodetectors based on intersubband transitions in novel materials systems
Yeni malzeme sistemlerinde bantlar arası geçişe dayalı terahertz ve orta kızılötesi fotodedektörler
HABİBE DURMAZ SAĞIR
Doktora
İngilizce
2016
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiBoston UniversityElektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. ROBERTO PAİELLA
- A mems based drug effect analysis system utilizing droplet microfluidics
Damlacık microakışkanlarını kullanan mems tabanlı ilaç etkisi analiz sistemi
METİN DÜNDAR ÖZKAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2018
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HALUK KÜLAH
DOÇ. DR. ENDER YILDIRIM