AlGaInP, AlGaAs ve AlGaN tipi lazer diyotlarının 223 K İle 333 K sıcaklıklarında ışık karakterisliklerinin akım ve sıcaklığa bağlı Olarak incelenmesi
Investigation of the current dependency of the output light characteristics for AlGaInP, AlGaAs, AlGaN diode lasers between the temperatures of 223 K and 333 K
- Tez No: 574361
- Danışmanlar: DR. ÖĞR. ÜYESİ İBRAHİM KÜÇÜKKARA
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2019
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Mersin Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Nanoteknoloji Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 94
Özet
Bu tez çalışması AlGaInP, AlGaAs ve AlGaN tipi yarı iletken diyot lazerlerin 223 K İle 333 K (-500C +600C) sıcaklık aralığında ışık karakteristiklerinin akım ve sıcaklığa bağlı olarak incelenmesi ile ilgilidir. Deney düzeneği olarak lazer laboratuarımızda yeni geliştirdiğimiz vakum içinde çalışan harici optik salınıcılı diyot lazer sistemi kullanılmıştır. Buradan elde edilen verilerin farklı bilimsel çalışmalara ışık tutması ve bilimsel çalışmaları kolaylaştırması amaçlanmıştır. Lazer fikrinin Albert Einstein ile ortaya atılmasından bu yana sayısız çalışmalar yapılmış ve ilk çalışan lazer 1960 yılında yapılmıştır. 1980'li yıllarda ise oda sıcaklığında çalışabilen lazer bulunması ile bu konuda sayısız çalışma yapılmış ve bu çalışmalardan bazıları Nobel ödülüne layık görülmüştür.Tez deneylerinde kullanılan HOSDL sistemi ile AlGaInP, AlGaAs ve AlGaN tipi yarı iletken diyot lazerlerin 223 K İle 333 K (-500C +600C) sıcaklık aralığında ışık karakteristikleri elde edilmiştir. Bu veriler ışığında tek dalga boylu çalışmalar için dalga boyunun seçiminde kullanılacak grafikler elde edilmiştir. Bu verilerin Raman spektroskopisi, tıp, biyoloji, kimya, malzeme ve birçok alanda yapılacak proje ve araştırmaların önünü açacağı ön görülmektedir
Özet (Çeviri)
In this thesis, AlGaInP, AlGaAs and AlGaN type semiconductor diode lasers in the 223 K to 333 K (-50℃ ~+ 60℃) temperature range is related to the investigation of light characteristics depending on the current and temperature. As an experiment, our newly developed vacuum diode laser system with external optical oscillator will be used in our laser laboratory. It is aimed to shed light on different scientific studies and facilitate scientific studies. Numerous studies have been done since the idea of laser was introduced by Albert Einstein, and the first working laser was made in 1960. In the 1980s, countless studies were carried out with the presence of a laser capable of operating at room temperature and some of these studies were awarded the Nobel Prize. The light characteristics of AlGaInP, AlGaAs and AlGaN type semiconductor diode lasers in the 223 K to 333 K (-50℃~ + 60℃) temperature range will be obtained with the ECDL system used in the thesis experiments. In the light of these data, graphs will be used to select wavelength for single wavelength studies. These data are expected to pave the way for Raman spectroscopy, medicine, biology, chemistry, materials and many other projects and researches.
Benzer Tezler
- Bazı pn eklemlerde dc manyetik alan altındaki akım gerilim özelliklerinin oda sıcaklığında deneysel olarak incelenmesi
An experimental investigation of current voltage properties of some pn junctions under magnetic field at room temperature
ÇAĞDAŞ KOÇAK
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiMuğla ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. GÖRKEM OYLUMLUOĞLU
- Giyilebilir optik biyosensör yöntemleri kullanılarak insan kan gruplarının spektroskopik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of spectroscopic properties of human blood types using wearable optical biosensor methods
SEVAL İLERİ
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Biyomühendislikİstanbul Yeni Yüzyıl ÜniversitesiBiyomedikal Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ ŞAKİR ALTINSOY
- A novel approach for identification of thermal and optical characteristics for the active layer of high power photonic devices
Yüksek güçlü fotonik sistemlerin aktif katmanının termal ve optik özelliklerinin karakterizasyonu için yeni bir yaklaşım
AHMET METE MUSLU
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiÖzyeğin ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET ARIK