Soğuk altlık yöntemiyle Ag/n-Si metal-yarıiletken ikili yapıların üretilmesi ve karakteristik özelliklerinin incelenmesi
Preparation of Ag/n-Si metal-semiconductor bi-structures via low-temperature deposition method and investigation of characteristic properties
- Tez No: 579831
- Danışmanlar: DOÇ. DR. VAGİF NEVRUZOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Enerji, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Mühendislik Bilimleri, Energy, Physics and Physics Engineering, Engineering Sciences
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2019
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Recep Tayyip Erdoğan Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Enerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 86
Özet
Bu tez çalışmasında en önemli husus, daha önceden denenmeyen yeni bir teknolojik sürecin Ag/n-Si ikili yapılarının oluşumunda kullanılmasıdır. Soğuk altlık tekniği olarak adlandırılan bu yeni uygulamada, altlık yüzeyi eşit boyutlu kümelerle kaplanmaktadır. Bu büyüme mekanizmasına soliton büyüme mekanizması adı verilir. Bilindiği üzere nano boyutlu gümüş taneleri UV ışınları ile ışınlandırıldığında yüzeysel plazmon rezonans olayı gerçekleşmektedir. Gümüş tanelerinin bu özellikleri kullanılarak ilk defa ısısal tahribata uğratmadan n-Si tabanlı polikristal yapı yüzeyine 200 K ve 300 K sıcaklıklarında kısmen kapalı ortamda soğuk altlık yöntemi ile gümüş buharlaştırılarak Ag/n-Si ikili yapılar (Schottky diyot) oluşturuldu. Metal-yarıiletken geçidinin oluşumu için bu ikili yapılar foto-uyarmalı difüzyon sürecine tabi tutuldu. Elde edilen örneklerin XRD, SEM, EDS ve FESEM ölçümleri alınarak yapısal özellikleri incelendi. I-V ölçümlerinden idealite faktörü (n) ve sıfır besleme engel yüksekliği (ΦB) gibi elektriksel parametreler hesaplandı. Ayrıca Cheung yöntemi kullanılarak seri direnç (Rs) ve idealite faktörü (n) hesaplandı. 200 K altlık sıcaklığında üretilen Schottky diyotlarda elde edilen karakteristik özelliklerin 300 K'e kıyasla daha verimli olduğu gözlemlendi. Bunun nedeni 200 K altlık sıcaklığında silisyum yüzeyindeki gümüş tabakasının eşit boyutlu kümelerden oluşmasından ve bu tabakaların UV ışını ile ışınlanarak foto-uyarmalı difüzyon sürecine tabi tutulmasından kaynaklanmaktadır.
Özet (Çeviri)
The most important point of this thesis is use of a new technologic process that have never been applied before, in formation of Ag/n-Si bi-structure. In this new application which is low temperature deposition method, substrate surface is coated with equal size grains. This growth mechanism is named soliton mechanism. As known, when equal sized silver grains are irradiated with UV lights, surface plasma resonance phenomenon occurs. By using this characteristic of silver grains and evaporation of silver over n-Si based policrystalline structure surface via low temperature deposition method at 200 K and 300 K temperatures and in almost close environment, Ag/n-Si bi-structures (Schottky diode) have been formed for the first time without any thermal damage. These bi-structures have been exposed to photo-excited diffusion process for metal semiconductor gate formation. Structural characteristics of acquired samples have been examined via XRD, SEM, EDS and FESEM measurements. Electrical parameters such as ideality factor (n) and zero bias barrier height (Φb) have been calculated from I-V measurements. Also serial resistor (Rs) and ideality factor (n) have been calculated by using Cheung method. It is observed that characteristics of produced Schottky diodes at 200 K substrate temperature are more efficient than 300 K temperature because silver layer on silicon surface is formed as equal sized grains at 200 K substrate temperature and when these layers are irradiated with UV lights, plasma resonance phenomenon occurs on surface of diode.
Benzer Tezler
- Synthesis of copper zinc tin sulfide CZT(S,Se) with solution based method and formation and characterization of CZT(S,Se) thin films for photovoltaic application
Solüsyon yöntemiyle CZTS sentezi ve fotovoltaik devreler için CZTS ince film oluşturma ve film özelliklerini inceleme
RIDVAN ERĞUN
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Enerjiİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ELİF ÜLKÜ ARICI
- Sol-gel ile büyütülen ZnO ince filmlerine soğuk altlık yöntemiyle ag buharlaştırılarak diyot üretimi ve karakterizasyonu
Diode production by evaporating ag wi̇th cold substrate method on ZnO thin films grown vi̇a Sol-gel method andcharacterization
MAHER HAIDAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Bilim ve TeknolojiRecep Tayyip Erdoğan ÜniversitesiEnerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. EYÜP FAHRİ KESKENLER
- Wear behaviour of multilayer coated WE43 magnesium alloy
Çok katmanlı kaplanmış WE43 magnezyum alaşımının aşınma davranışı
MERTCAN KABA
Yüksek Lisans
İngilizce
2020
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HÜSEYİN ÇİMENOĞLU
PROF. DR. UĞUR MALAYOĞLU
- Toz metalurjisi ile üretilen takım çeliklerinin sıcak daldırma yöntemiyle alüminyum kaplama sonrası yüzey karakterizasyonu
Surface characterization of powder metallurgy tool steels after hot dip aluminizing
ANIL ÇALIŞKAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MURAT BAYDOĞAN
- Kriyojenik sıcaklıkta grafen oksit yapısının gümüş atomları ile katkılandırılması ve plazmonik özelliklerinin incelenmesi
Doping of graphene oxide structure with silver atoms at cryogenic temperature and investigation of its plasmonic properties
ZELİHA KÜBRA ŞEŞEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
EnerjiRecep Tayyip Erdoğan ÜniversitesiEnerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. VAGİF NEVRUZOĞLU