Geri besleme uygulanmış bir transistörün düşük gürültülü kuvvetlendirici uygulamaları için performans karakterizasyonu
Performance characterization of feedback applied transistor with low noise amplifier applications
- Tez No: 619798
- Danışmanlar: PROF. DR. FİLİZ GÜNEŞ, DR. ÖĞR. ÜYESİ HAKAN PAŞA PARTAL
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2020
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Yıldız Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Haberleşme Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 117
Özet
Bu tez çalışmasında, geri beslemenin LNA performansı üzerine etkisi tamamen analitik bir çalışma ile ortaya konulmuştur. Bu çalışma, iki temel aşamaya dayanmaktadır. İlk aşamada; seri endüktif veya paralel kapasitif geri besleme uygulanmış transistör aktif iki kapılı olarak karakterize edilmiştir. Bu iki kapılının [z] ve gürültü parametreleri, transistörün ve geri beslemenin [z] ve gürültü parametreleri yardımıyla oluşturulmuştur. Çalışmanın ikinci aşamasında; gerçeklenebilir ve gerçeklenemez {Freq ≥ Fmin, Vin ≥ 1, Vout ≥ 1, GTmin ≤ GT ≤ GTmax} performans dörtlüsü, geri besleme parametreleri ve sonlandırma empedansları (ZS, ZL) seçilen çalışma noktasında (VDS, IDS), transistörün koşullu kararlı veya koşulsuz kararlı olmasına göre elde edilmiştir. Bu amaçla, düşük gürültü bir transistör için giriş kapısı uyumsuzluğu (Vin) ile maksimum kazanç (GTmax) arasındaki değişimleri gösteren tasarım tabloları istenilen gürültü değeri için geri beslemeye bağlı olarak oluşturulur. İstenilen gürültü değerine göre Vin ̶ GTmax arasında oluşturulan tasarım tabloları kullanılarak, hangi frekans bölgesinde hangi geri besleme değerinin kullanılabileceği ve (Vin, Vout) ikilisi arasında geliştirilebilir bir optimizasyon değeri elde edilir. Daha sonra (Vin, Vout) arasında en iyi optimizasyon ilk aşamada elde edilen kaynak empedans değeri (Zs) ön tanımlı olarak kullanılarak, yük empedans değerinin (ZL) parametre olarak değiştirilmesiyle elde edilir. Son olarak, Freq(f) ≥ Fmin(f) şartını sağlayan, optimum (Vin, Vout) uyumsuzluk çifti ile kazanç GT değerini sağlayan, seri endüktif veya paralel kapasitif geri beslemeli transistörünün LNA uygulamaları için, farklı çalışma bantlarındaki performans karakterizasyonları tüm bant genişliğine dağıtılmış olarak sunulur. Sonuç olarak; bu detaylı çalışma, tasarımcılara tek bir seri endüktif veya paralel kapasitif eleman kullanılmasıyla, transistörün çalışma bant genişliğinin tamamının kullanılması, istenilen gürültü şartını ve kapı uyumsuzluklarını sağlayan performans karakterizasyonunun çıkartılması olanağını sağlamaktadır.
Özet (Çeviri)
In this work, influence of the feedback on the performance of a LNA transistor is considered fully analytically. There are two main stages of this work. First stage, transistor with series inductive feedback application or parallel capacitive feedback application is formed as two-port with the [z] and noise parameters in terms of transistor's and feedback's networks parameters. In the next stage, performance characterization is performed to determine the compatible/ incompatible (Freq ≥ Fmin, Vin ≥ 1, Vout ≥ 1, GTmin ≤ GT ≤ GTmax) quadrates with their (Source ZS, Load ZL) impedances and feedback network's parameters through the frequency band for unconditionally/conditionally stability cases at the (VDS, IDS). The Input Voltage Standing Wave Ration Vin – Maximum Gain GTmax variations are constituted for a LNA depending on the noise figure Freq(f) ≥ Fmin(f) through the frequency band belong to feedback. Vin–GTmax variations result as design chart provides which feedback can be used wherein frequency bandwidth with the optimization between Vin and Vout. Then, optimum trade–off between Vin and Vout is conducted wih the help of ZL with the prespecifed ZS. Lastly, feedback application of LNA specified by Vin, Vout , GT and Freq(f) ≥ Fmin(f) is presented. In conclusion, this work enables a researcher to use through an transistor's frequency operation band with a only series inductive or parallel capacitive feedback for the amplifier design of Freq(f) ≥ Fmin(f).
Benzer Tezler
- A design of sub-mW-power 2.4 GHz CMOS cascode low noise amplifier with high linearity
Yüksek doğrusallığa sahip mW altı güç ile çalışan 2.4 GHz CMOS kaskod düşük gürültülü kuvvetlendirici
DİDEM EROL AS
Yüksek Lisans
İngilizce
2021
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA BERKE YELTEN
- A 14-bit 100-kHz continuous-time delta-sigma analog-to-digital converter for Hall effect based current sensor application
Hall etkisi bazlı akım sensörü uygulaması için 14-bit 100-kHz sürekli zamanlı delta-sigma analog dijital çevirici
ALPER GİRGİN
Yüksek Lisans
İngilizce
2017
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. TUFAN COŞKUN KARALAR
- Analog circuit design with new active circuit components
Yeni aktif devre elemanlarıyla analog devre tasarımı
ERSİN ALAYBEYOĞLU
Yüksek Lisans
İngilizce
2013
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HULUSİ HAKAN KUNTMAN
- A doherty power amplifier for 5G applications
5G uygulamaları için bir doherty güç yükselteci
HASAN KONANÇ
Yüksek Lisans
İngilizce
2023
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MEHMET NURİ AKINCI
DR. ÖĞR. ÜYESİ HÜSEYİN ŞERİF SAVCI
- Doppler radar sistemleri için darbe üreten pın diyot alıcı-verici anahtar devresi tasarımı, üretimi ve analizi
The design, manufacture and analysis of pin diode t/r switch as a pulse generator for doppler radar systems
AHMET YAMAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiHava Harp Okulu KomutanlığıElektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ERSİN GÖSE
YRD. DOÇ. DR. AHMET ÖNCÜ