Geri Dön

Design and fabrication of fully integrated Gilbert Cell down-conversion mixer in 0.15um GaAs phemt technology

0.15um GaAs phemt teknolojisi kullanılarak tam entegre Gilbert Cell alt dönüştürücü mikser tasarım ve üretimi

  1. Tez No: 643022
  2. Yazar: UTKU TUNCEL
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. SERKAN TOPALOĞLU
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2020
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Yeditepe Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 90

Özet

Bu tez çalışmasında, 0.15um GaAs pHEMT teknolojisi kullanılarak ultra geniş bant aralığında (1-9 GHz) çalışan aktif Gilbert Cell alt dönüştürücü mikser tasarımı ve üretimi sunulmuştur. Gilbert Cell mikser, aktif RF ve LO balunlar ile beslenmektedir ve aktif çıkış balunu düşük frekanslı IF frekansına (100 MHz) göre tasarlanmıştır. Ortak beyz konfigürasyonu kullanılmış transistörler giriş empedans uyumu için RF ve LO balunlarını sürmektedir. Dönüşüm kazancı tüm frekans bandında ±1 dB düzgünlükle 17 dB olarak elde edilmiş olup, tek yan bant gürültü faktörü yaklaşık olarak 9.4~14 dB'dir. Giriş P1dB ve IIP3 değerleri sırası ile -11.61 dBm ve -1.61 dBm olarak elde edilmiştir. RF-LO ve LO-RF izolasyonu 30 dB'nin üzerindedir. 3.3V tek gerilim kaynağı ile beslenen tüm kıymığın ve mikser çekirdeğinin güç tüketimi sırası ile 163 mW ve 34.65 mW'dır. Bütün simülasyonlar, RF gücü -12 dBm ve LO gücü +11 dBm iken yapılmıştır. Kıymık tam entegre olup, tüm balunlar ve padler dahil edildiğinde 3.4x1.84 mm2 boyutuna sahiptir. Tasarım aşamaları AWR simülasyon ortamında, WIN-PL1512 tasarım kütüphanesi kullanılarak yapılmıştır. Yazarın bildiği kadarı ile, belirtilen frekans aralığında, üç girişinde aktif balunlar içeren ve tek gerilim kaynağı kullanan GaAs pHEMT tabanlı Gilbert Cell alt dönüştürücü mikser tasarımına literatür taramalarında rastlanmamıştır.

Özet (Çeviri)

This thesis introduces the design and fabrication of a 0.15um GaAs pHEMT technology-based active Gilbert Cell down-conversion mixer in the ultra-wideband frequency range (1-9 GHz). Active RF and LO baluns feed Gilbert Cell mixer core and also design of active output balun (combiner) which is implemented for low frequency IF output (100 MHz). Transistors in common base configuration drive this RF and LO baluns for input matching. Conversion gain of 17 dB is achieved with ±1 dB flatness over the frequency band. Single sideband noise figure is approximately 9.4~14 dB. The achieved input P1dB and IIP3 are -11.61 dBm and -1.61 dBm, respectively. RF-LO and LO-RF isolations are above 30 dB. The power consumption of the overall chip, including the mixer core, is below 163 mW and 34.65 mW, respectively, at 3.3V single voltage supply. All simulations are performed with an RF power of -12 dBm and LO power of +11 dBm. The chip is fully integrated and its size is 3.4x1.84 mm2 with all baluns and pads are included. The design procedure is applied using the AWR design environment with the WIN-PL1512 process design kit. To the best of author's knowledge, in this particular frequency range, there is no other GaAs pHEMT based Gilbert Cell down conversion mixer that contains active baluns in all three ports by using a single voltage supply in literature reviews.

Benzer Tezler

  1. Enrichment of MCF7 breast cancer cells from leukocytes through continuous flow dielectrophoresis

    Dielektroforez yöntemi ile sürekli akış altında MCF7 meme kanseri hücrelerinin akyuvar hücrelerinden zenginleştirilmesi

    ZEYNEP ÇAĞLAYAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2018

    BiyomühendislikOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HALUK KÜLAH

  2. A bias configurable, switchable novel LNA design in 0.15um GaAs pHEMT technology especially for Wi-Fi 6 applications

    Wi-Fi 6 uygulamaları için, 0.15um GaAs pHEMT teknolojisi kullanılarak ön gerilim ile ayarlanabilen, anahtarlamalı, özgün düşük gürültülü yükseltici tasarımı

    ÖZGE GÜLÜM

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYeditepe Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SERKAN TOPALOĞLU

  3. İnşaat sektöründe BIM ve dijital üretim kavramlarının birlikte çalışabilirliği üzerine bir araştırma

    A research on interoperability between BIM and digital fabrication concepts in construction industry

    EBRU İREM ÇETİNKAYA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Mimarlıkİstanbul Teknik Üniversitesi

    Mimarlık Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. HAKAN YAMAN

  4. Özel bir piston ve kilit mekanizmasına sahip yüksek başlangıç ivmeli göğüs kompresyon cihazının tasarımı, simülasyonu ve üretimi

    Design, simulation, and fabrication of a high initial acceleration automatic chest compression device with a special piston and locking mechanism

    AHMET KAĞIZMAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Biyomühendislikİstanbul Teknik Üniversitesi

    Mekatronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. VOLKAN SEZER

  5. MEMS scanners for spectroscopy and laser scanning systems

    Spektroskopi ve lazer tarama sistemleri için MEMS tarayıcı geliştirilmesi

    ÇAĞLAR ATAMAN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2008

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKoç Üniversitesi

    Elektrik ve Bilgisayar Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. HAKAN ÜREY