Design of microwave power amplifier using MMIC technology
MMIC teknolojisi kullanılarak yapılan mikrodalga güç yükselteci
- Tez No: 68722
- Danışmanlar: PROF. DR. CANAN TOKER
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: MMIC, Microdalga Güç Yükselteci, Harmonik Balans, Lange Coupler iv, Güç yükseltici, Mikrodalga güç yükselticiler, Tasarım, MMIC, Microwave Power Amplifier, Harmonic Balance, Lange Coupler m, Power amplifier, Design
- Yıl: 1997
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
öz MMIC TECHNOLOJİSİ KULLANILARAK YAPILAN MİCRODALGA GÜÇ YÜKSELTECİ TASARIMI AKGÜN, Hakan Yüksek Lisans, Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Canan TOKER Nisan 1997, 100 sayfa Bu tezin esas konusu, monolitik teknoloji kullanılarak microdalga güç yükselteci tasarımıdır. Tasarlanan güç yükselteci dar bant özelliğine sahip olup X frekans bandında çalışmaktadır. Güç yükseltecinin doğrusal olmayan benzetimleri EESOF'un Libra programı kullanılarak gerçekleştirilmiştir. Bu benzetimlerin tanımlanmasında kullanılan Harmonik Balans metodu ayrıntılı olarak açıklanmıştır. GaAs MESFET'in doğrusal olmayan modelleri belirtilmiştir. Güç yükseltecinin yerleşimi GEC Marconi firmasının F20 işleme kurallarına göre hazırlanmıştır. 13 GHz merkez frekansta çalışan güç yükseltecine ait çıkış gücü, harmonik frekansları, bant genişliği ve kararlılığına ait simulasyon sonuçlan elde edilmiştir. Diğer bir versiyon güç yükselteci, Lange coupler kullanılarak Alumina katman (substrate) yüzeyi üzerinde tasarlanmıştır. Simulasyon sonuçlarında daha iyi giriş ve çıkış geri dönüş kaybı ve çıkış gücünde 3 dB artış gözlenmiştir. Bunun yanında, bu güç yükselteci diğerine göre daha fazla yüzeye gereksinim duymaktadır.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT DESIGN OF MICROWAVE POWER AMPLIFIERS USING MMIC TECHNOLOGY AKGÜN, Hakan M.S., Department of Electrical and Electronics Engineering Supervisor: Prof. Dr. Canan TOKER April 1997, 100 pages The main subject of this thesis is to design microwave power amplifier using GaAs Monolithic Microwave Integrated Circuit (MMIC) technology. A narrow-band power amplifier, operating at X-band, was designed. The nonlinear simulations of this amplifier were performed using EESOF's Libra program. The harmonic balance method which determines the nonlinear performance of the power amplifier is used. The nonlinear models of the GaAs MESFET are also investigated. Layout of this amplifier was preferred by using GEC-Marconi F-20 Foundry elements. But it could not be implemented. Simulation results for power level, harmonic distortion, stability and bandwidth are obtained for a power amplifier operating at a center frequency of 13 GHz. Another version of the power amplifier using Lange Couplers was designed on alumina as a substrate. Simulation results of this amplifier showed that better input and output return losses and 3 dB higher output power level could be obtained at the expense of larger surface area.
Benzer Tezler
- Design of GaN-based coplanar multi-octave band medium power MMIC amplifiers
GaN tabanlı 1 oktavdan fazla bant genişliğine sahip olan orta güçlü MMIC yükselteçlerin tasarımı
GÜLESİN EREN
Yüksek Lisans
İngilizce
2013
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü
PROF. DR. EKMEL ÖZBAY
- Analysis and design of semiconductor noise generators in VHF and UHF bands
VHF ve UHF bantlarında yarı iletken gürültü kaynaklarının analizi ve tasarımı
SERDAR ARSLAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2017
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiMuğla Sıtkı Koçman ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BAHADIR SÜLEYMAN YILDIRIM
- GaN-on-SiC broadband driver amplifier design for C– and X–bandapplications using EM-based extrinsic parasitic extracted HEMTmodels
EM-tabanlı ekstrinsic parazitikleri çıkarılmış HEMT modeli kullanarak C– ve X–bandı uygulamaları için GaN-on-SiC geniş bant sürücü yükselteci tasarımı
ABDULLAH HANNAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2025
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EKMEL ÖZBAY
- Design and development of GaN amplifiers for transceiver applications
Alıcı-verici uygulamaları için GaN yükselteclerinin tasarımı ve geliştirilmesi
MUHAMMAD IMRAN NAWAZ
Doktora
İngilizce
2025
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EKMEL ÖZBAY
- X bant uygulamaları için GaN tabanlı düşük gürültülü yükselteç tasarımı
GaN-based single stage low noise amplifier for X-band applications
GİZEM TENDÜRÜS ÇAĞLAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiBaşkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEDAT NAZLIBİLEK