Single aluminum nitride nanowire based electronic and flexible optoelectronic devices
Tek alüminyum nitrür nanotel bazlı elektronik ve esnek optoelektronik cihazlar
- Tez No: 732928
- Danışmanlar: PROF. DR. KAŞİF TEKER
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Alüminyum nitrür, Nanotel, Optoelektronik, Aluminum nitride, Nanowire, Optoelectronic
- Yıl: 2022
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Marmara Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada alüminyum nitrür nanotel bazlı alan etkili transistör ve esnek ultraviyole (UV) fotodedektör cihazları üretilmiştir. İlk olarak, çok küçük ölçekte olan esnek UV fotodedektörler, ölçeklenebilir ve düşük maliyetli bir yöntemle üretilmiştir. Bu yöntemle, 110 μm x 110 μm boyutlarında altın mikro elektrotlar ve elektrotlar arasında çok dar boşluklar elde edebildik. Tek alüminyum nitrür nanotel UV fotodedektör, 30 V'ta 254 nm UV ışık altında mükemmel bir harici kuantum verimliliği (% 584) ile birlikte çok yüksek bir duyarlılık (1197.5 mA/W) sergiledi. Fotodedektör ayrıca esnek bir AlN tek nanotel cihazı olarak çok yüksek bir yüksek algılama değeri (2.32 x 1012 Jones) gösterdi. Ayrıca, kendi kendine çalışan UV fotodedektör, 254 nm UV ışığı altında sırasıyla 2.62 x 1012 Jones ve 362.5 mA/W'lik bir algılama ve duyarlılık değerleri sergiledi. Dahası, esnek fotodedektörler çok iyi bir dalga boyu seçiciliği ve çok hızlı bir tepki hızının yanı sıra yoğun bükme testlerine karşı çok yüksek dayanıklılık gösterdi. Ek olarak, tek alüminyum nitrür nanotel alan etkili transistörünün elektriksel taşınım özellikleri araştırıldı. Cihaz yüksek bir geçiş iletkenliği (26.9 pS), yüksek açma/kapama akım oranı (795.9), yüksek iletkenlik (9.8 x 10-4 Ω-1·cm-1) ve çok düşük bir kaçak akım (10 pA) sergiledi. AlN nanotelinin iletkenliği, bildirilen çalışmalardan yüz kat daha yüksekti. Sonuç olarak, AlN nanotellerin düşük güç, yüksek sıcaklık, piezoelektrik uygulamaların yanı sıra giyilebilir ve esnek UV fotonik uygulamalarında kullanılmak üzere yüksek performanslı, uygun maliyetli ve güç tasarruflu cihazların üretilmesini sağladığı gösterilmiştir.
Özet (Çeviri)
In this study, aluminum nitride nanowire-based field effect transistor and flexible ultraviolet (UV) photodetector devices have been fabricated. First, a scalable and highly cost-effective method was used to make flexible UV photodetectors on a very small scale. With this method, we were able to achieve gold micro-electrodes of size 110 µm x 110 µm and very narrow gaps between the electrodes. Single aluminum nitride nanowire UVPD exhibited a very high responsivity (1197.5 mA/W) and an excellent external quantum efficiency (584 %) under 254 nm UV light exposure at 30 V bias. The photodetector also displayed a very high detectivity (2.32 x 1012 Jones) as a flexible AlN single nanowire device. Furthermore, the self-powered UVPD displayed a specific detectivity and responsivity of 2.62 x 1012 Jones and 362.5 mA/W, respectively, under 254 nm UV light exposure. Moreover, the flexible UVPDs displayed very good wavelength selectivity and fast response speed, as well as excellent durability against intense bending tests. The electrical transport properties of the single aluminum nitride nanowire field effect transistor were investigated. The FET demonstrated a high transconductance (26.9 pS), high on/off current ratio (795.9), high conductivity (9.8 x 10-4 Ω-1·cm-1), and a very low leakage current (10 pA). The conductivity of our device was two orders of magnitude higher than the reported studies. In consequence, AlN nanowires have been shown to enable fabrication of high-performance, cost-effective, and power-efficient devices for use in low power, high temperature, piezoelectric applications as well as wearable and flexible UV photonic applications.
Benzer Tezler
- Alüminyum nano bor nitrür takviyeli toz metal parçaların ultra yüksek frekanslı indüksiyon ile sinterlenmesi
Ultra high frequency induction sintering of aluminum nano boron nitride reinforced powder metal parts
HIDIR SERCAN ÇUBUK
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
Makine Mühendisliğiİzmir Demokrasi ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. UĞUR ÇAVDAR
- Karbon ve alüminyum nitrür dolgularının polimerik kompozitlerin termal ve mekanik özelliklerine etkilerinin incelenmesi
Investigation of the effects of carbon and aluminum nitride fillers on the thermal and mechanical properties of polymeric composites
ZAFER YENİER
Doktora
Türkçe
2022
Polimer Bilim ve TeknolojisiEge ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MEHMET SARIKANAT
DOÇ. DR. LÜTFİYE ALTAY
- Pcessureless sintering of silcon nitride with yttrium oxide as sintering additives
Silisyum nitrür tozlarının ytrium oksit ve aluminyum oksit katkıları ile basınçsız sinterlenme özellikleri
MURAT SİLAN
Yüksek Lisans
İngilizce
1993
Metalurji MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMetalurji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUHARREM TİMUÇİN
- Silisyum katkılı Al-Ti-N solar soğurucu kaplamaların üretimi ve karakterizasyonu
Characterization and production of silicon doped Al-Ti-N solar absorber coatings
SERDAR SONAY ÖZBAY
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUHAMMET KÜRŞAT KAZMANLI
- Thermolumınescence characterızatıon of group III–nıtrıde wıde bandgap semıconductors
Grup III-nitrür geniş bant aralikli yari i̇letkenleri̇n termolümi̇nesans karakteri̇zasyonu
MUHAMMED HATİB
Doktora
İngilizce
2026
Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HÜSEYİN TOKTAMIŞ