Sol-gel yöntemiyle büyütülen Cu2CoSnS4 filmlerin optiksel ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Investigation of optical and electrical properties of Cu2CoSnS4 films grown by sol-gel method
- Tez No: 747656
- Danışmanlar: PROF. DR. SALİHA TÜLAY SERİN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2022
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Ankara Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 67
Özet
Bu çalışmada sol gel daldırma tekniği ile büyütülen Cu2CoSnS4 filmlerin optiksel ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi amaçlanmıştır. CCTS ince filminin büyütüldüğü çözelti içindeki tiyoüre molaritesi (0,3 M, 0,4 M, 0,5 M ve 0,6 M) ve numunelerin son tavlama sıcaklıkları (200 oC ve 500 oC) değiştirilerek numuneler elde edilmiştir. Elde edilen Cu2CoSnS4 filmlerin optiksel ve elektriksel özelliklerinin tiyoüre molaritesi ve tavlama sıcaklığına bağlılığı incelenmiştir. Tauc bağıntısından numunelerin Eg optiksel enerji bant değerleri bulunmuştur. 500 oC'de tavlanan filmler için tiyoüre oranı 0,3 M'dan 0,6 M'a arttıkça Eg değerinin 1,64 eV'tan 1,36 eV'a azaldığı bulunmuştur. 200 oC'de tavlanan filmler için ise tiyoüre molaritesi artarken Eg değeri 1,32 eV'tan 1,12 eV'a azalmıştır. Artan tiyoüre molaritesi ile optiksel enerji bant aralığı Eg azalırken, son tavlama sıcaklığının artmasının Eg değerini artırdığı görülmüştür. Filmlerin Urbach enerjileri ve kırılma indisleri hesaplanmıştır. Filmlerin iki nokta yöntemiyle sabit gerilim altında sıcaklığa bağlı akım değerleri 300-400oC sıcaklık aralığında karanlıkta ölçülerek filmlerin sıcaklığa bağlı iletkenlik değerleri belirlenmiş ve Arhenius çizimlerinden aktivasyon enerjileri hesaplanmıştır. Tiyoüre oranının ve son tavlama sıcaklığının aktivasyon enerjisine etkisi incelenmiştir.
Özet (Çeviri)
In this study, it was aimed to examine the optical and electrical properties of Cu2CoSnS4 films grown by sol gel dipping technique. Samples were obtained by varying the thiourea molarity (0.3 M, 0.4 M, 0.5 M and 0.6 M) and the final annealing temperatures (200 C and 500 C) of the samples in the solution in which the CCTS thin film was grown. The optical and electrical properties of obtained Cu2CoSnS4 films were ininvestigated depending on the thiourea molarity and annealing temperature. The Eg optical energy band values of the samples were found from the Tauc relation. It was found that for films annealed at 500 oC, as the thiourea ratio increased from 0.3 M to 0.6 M, the Eg value decreased from 1.64 eV to 1.36 eV. For films annealed at 200 oC, the thiourea molarity increased, while the Eg decreased from 1.32 eV to 1.12 eV. It was observed that the optical energy band gap Eg decreased with increasing thiourea molarity, while the increase in the final annealing temperature increasing the Eg value. Urbach energies and refractive indices of the films were calculated. The temperature-dependent current values of the films under constant voltage were measured in the dark at a temperature range of 300-400 oC using the two-point method and the temperature -dependent conductivity values of the films were determined and the activation energies were calculated from the Arhenius drawings. The effects of thiourea ratio and final annealing temperatures on activation enegry were investigated.
Benzer Tezler
- Synthesis of ZnO and Si nanowires for the fabrication of 3rd generation solar cells
Üçüncü nesil güneş pillerinin üretimi için ZnO ve Si nanotellerin sentezlenmesi
ELİF PEKSU
Doktora
İngilizce
2019
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HAKAN KARAAĞAÇ
- ZNS ve Cu2ZNS4(CZTS) ince filmlerin sentezi, karakterizasyonu ve optoelektronik uygulamaları
Synthesis, characterization and optoelectronic applications of ZNSand Cu2ZNS4(CZTS) thin films
ZEKİYE ABA
Doktora
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiHarran ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABDULLAH GÖKTAŞ
- Growth, characterization and solar cell potential of Cu2ZnSn4 thin films
Cu2ZnSnS4 ince filmlerin büyütülmesi, karakterizasyonu ve güneş pili potansiyeli
SÜLEYMAN KAHRAMAN
- Sol-gel yöntemiyle büyütülen indiyum katkılı çinko oksit filmlerin elektriksel ve optiksel özelliklerinin incelenmesi
The electrical and optical properties of in-doped zinc oxide films by sol-gel method
ŞİRİN UZUN
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TÜLAY SERİN
- Sol-jel yöntemiyle büyütülen ZnO ince filmlerinin optik, yapısal ve morfolojik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of optic, structural and morphological properties of ZnO thin films deposited by sol-gel technique
EYÜP FAHRİ KESKENLER