Geri Dön

p-i-n eklem optoelektronik aygıtlarda negatif kapasitans olgusu

Negative capacitance phenomena on p-i-n junction optoelectronic devices

  1. Tez No: 780785
  2. Yazar: AYDIN MASOUMİ
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. FAHRETTİN SARCAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2023
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: İstanbul Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 51

Özet

Bu tez çalışmasında 9 kuantum kuyulu ve 20 kuantum kuyulu p-n eklem optoelektronik aygıtların kapasitans-voltaj ölçümleri incelenmiş ve negatif kapasitans olgusu araştırılmıştır. Bu aygıtlarda oluşan kapasitans türleri ve bunların nedenleriyle ilgili detaylı bilgi verilmiştir. Optoelektronik aygıtlar ışık yayan aygıtlar ve dedektörler olarak ikiye ayrılarak yapıları ve özellikleriyle ilgili bilgi verilmiştir. Işık yayan aygıtlarda ideal kapasitans ve daha sonra negatif kapasitans anlatılmıştır ve negatif kapasitansa neden olan olaylarla ilgili bilgi verilmiştir. Fotodedektörlerde ideal kapasitans ve negatif kapasitans anlatılmıştır ve negatif kapasitansa neden olan olaylarla ilgili bilgi verilmiştir. Aygıtların yapısı ve karakterizasyon süreçleriyle ilgili özet olarak bilgi verilmiştir. Akım-voltaj, fotoışıma ve elektro-ışıma ölçümleri gibi aygıtların karakterizasyonunda kullanılan metotlarla ilgili bilgi verilmiştir. p-n eklem aygıtların empedans spektroskopisi denklemler vasıtasıyla detaylı bir şekilde anlatılmıştır. 9 ve 20 KK, (kuantum kuyulu) aygıtlarda oda sıcaklığında ve farklı frekanslarda kapasitans-voltaj ölçümleri alınmıştır ve gözlemlenen negatif kapasitans olgusunun nedenleri araştırılmıştır. 9 ve 20 KK aygıtlarda fotoışıma ve elektro-ışıma spektrumları alınmış olup bu sonuçlardan aygıtların ileri beslemede LED karakteristiği sergilediği kanıtlanmıştır. 9 ve 20 KK örneklerin sıcaklığa bağlı kapasitans-voltaj ölçümleri alınmış ve sıcaklığın negatif kapasitanstaki etkisi araştırılmıştır.

Özet (Çeviri)

In this thesis, the capacitive behaviors of p-n junction optoelectronic devices with 9 quantum wells and 20 quantum wells were investigated and the phenomenon of negative capacitance was discussed. Information about the physics of p-n junction semiconductors devices is given and, detailed information is provided about the types of capacitances that occur in these devices with the physics behind them. Optoelectronic devices are separated into the categories which are light emitting devices and detectors and, information related to their structure and properties is given. Ideal capacitance and negative capacitance in photodetectors are explained and information is given about the events that cause negative capacitance. Information is given about the methods used in the characterization of devices such as current-voltage, photoluminescence and electro-luminescence measurements. Impedance spectroscopy of p-n junction devices is explained in detail by the means of equations. Capacitance-voltage measurements were carried out at room temperature and at different frequencies on devices with 9 and 20 quantum wells, and the reasons for the observed negative capacitance phenomenon are explained. Photoluminescence and electro-luminescence spectra were taken from 9 and 20 quantum well devices and it was proved from these results that the devices exhibit LED characteristics under forward bias

Benzer Tezler

  1. Investigation of the photo-response of graphene/silicon photodetector in the ultraviolet region

    Morötesi bölgede grafen/silikon fotodedektörün foto-tepkisinin araştırılması

    ÇİÇEK KAPLAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2024

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. CEM ÇELEBİ

    DR. ÖĞR. ÜYESİ ÖZHAN ÜNVERDİ

  2. Synthesis of TiO2 nanorods by hydrothermal method and their opto-electronic device applications

    TiO2 nanoçubukların hidrotermal yöntemiyle sentezi ve opto-elektronik aygıt uygulamaları

    ÖZGE GÜLLER

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2018

    Enerjiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. HAKAN KARAAĞAÇ

  3. Fabrication and characterization of graphene/silicon based Schottky photodiode

    Grafen/silikon tabanlı Schottky fotodiyotun fabrikasyon ve karakterizasyonu

    GÜLÇİN DÖNMEZ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fotonik Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. CEM ÇELEBİ

    DR. EMRE SARI

  4. Rezonans kaviteli ve iç kazançlı GaInNas-tabanlı IR fotodedektör

    Resonant cavity enhanced GaInNAs-based IR photodetector with gain

    FAHRETTİN SARCAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AYŞE EROL

  5. III-V grubu yarıiletkenlere dayalı aygıt üretimi ve karakterizasyonu

    Fabrication and characterization of devices based on III-V group semiconductors

    BURAK KAY

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AYŞE EROL

    PROF. DR. TOLGA GÜVER