Silisyum karbür yarıiletken güç elemanları için aktif kapı sürücü devrelerinin incelenmesi
Investigation of active gate drive circuits for silicon carbide semiconductor power devices
- Tez No: 822597
- Danışmanlar: PROF. DR. AHMET FARUK BAKAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2023
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Yıldız Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Elektrik Makinaları ve Güç Elektroniği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 93
Özet
Geniş bant aralıklı yarıiletken güç elemanları rakiplerine göre daha düşük iletim direncine ve daha yüksek anahtarlama frekanslarında çalışma kabiliyetine sahiptir. Bu sebeplerle güç elektroniği uygulamalarında güç yoğunluğunu arttırmak ve verimi iyileştirmek için sıklıkla tercih edilir hale gelmiştir. Artan anahtarlama hızı ile birlikte anahtar üzerindeki osilasyonlar artmakta ve anahtarın maruz kaldığı pik gerilim yükselmektedir. Bu olumsuz etkiler temelde devre üzerindeki parazitik elemanlardan kaynaklanır. Bu olumsuz etkilerden dolayı geniş bant aralıklı güç elemanları tam performanslarında kullanılamaz. Bu çalışmada SiC MOSFET'in anahtarlama performansını iyileştirmek için kullanılan aktif kapı sürücü devreleri incelenmiştir. Önerilen kapalı çevrim kesime girme aktif kapı sürücü devresi, benzetim çalışmalarıyla doğrulanmış ve sonuçlar klasik kapı sürücü devreleri ile karşılaştırılmıştır.
Özet (Çeviri)
Wide bandgap semiconductor power devices have lower conduction resistance and the ability to operate at higher switching frequencies than their competitors. For these reasons, they have become frequently preferred in power electronics applications to increase power density and improve efficiency. With increasing switching speed, oscillations at the switch can become a problem and voltage peaks increase. These negative effects are mainly caused by parasitic elements on the circuit. Due to these negative effects, wide bandgap power devices cannot be used at their full performance. In this study, recently used active gate driver circuits are investigated to improve the switching performance of SiC MOSFET. The proposed closed-loop turn-off active gate driver circuit is verified by simulation studies and the results are compared with conventional gate driver circuits.
Benzer Tezler
- Çamaşır makinası uygulamasında gan yarı iletkenanahtarlar ile yüksek güç yoğunluklu ve verimlievirici tasarımı
Design of high efficiency and high power densityinverter using gan semiconductors for washing machine
TANER YAZICI
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ MURAT YILMAZ
- Yeni nesil yarıiletken güç elemanlarının endüksiyonlu ocaklarda kullanımının incelenmesi
Research of new generation of power devices usage in induction cookers
SEZER ASLAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiElektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. NİHAN ALTINTAŞ
- Contributions to short-circuit protection of electric vehicle battery systems by implementing SiC switches
SiC anahtar uygulaması ile elektrikli araç batarya sistemlerinin kısa devre korumasına katkılar
MURAT KUBİLAY ÖZGÜÇ
Yüksek Lisans
İngilizce
2021
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ DERYA AHMET KOCABAŞ
- Performance evaluation and comparison of low voltage grid-tied three-phase AC/DC converter configurations with SIi and SiC semiconductor switches
Si ve SiC yarı iletken anahtarlı, alçak gerilim 3 faz şebeke bağlantılı AC/DC güç dönüştürücü topolojilerinin performans değerlendirmesi ve karşılaştırılması
OĞUZHAN ÖZTOPRAK
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AHMET MASUM HAVA
- IGBT tabanlı çift yönlü çevirgece dayalı süperkapasitör enerji depolama sistemi geliştirilmesi
Implementation of an IGBT based bidirectional converter for supercapacitor energy storage systems
GÖKHAN GÖÇMEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. IŞIK ÇADIRCI