Geri Dön

Metal/yalıtkan/yarıiletken (MIS) yapıların farklı frekanslar altında elektriksel özelliklerinin belirlenmesi

Determination of electrical properties of metal/insulator/semiconductor (MIS) structures under different frequencies

PDF İndir

  1. Tez No: 840855
  2. Yazar: DİLEK ŞAHİN CÜCE
  3. Danışmanlar: PROF. DR. BEHZAD BARIŞ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2023
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Giresun Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 85

Özet

Bu tez çalışmasında bor katkılı p-tipi Si kristali kullanılarak Al/SiO2/p-Si MIS yapı hazırlandı. Üretilen diyotun oda sıcaklığında ve karanlık ortamda 4 kHz-1 MHz frekans aralığında 9 farklı frekans için kapasitans-gerilim (C-V) ve iletkenlik-gerilim (G–V) karakteristikleri -4 V ile 4 V aralığındaki farklı gerilim değerlerinde incelendi. Bu ölçümlerden diyotun gerçek fermi enerji seviyesi ile fermi enerji seviyesi arası fark (Vp), engel yüksekliği (b), difüzyon potansiyeli (Vd), Schottky alçalması (Δb), tüketim tabakası genişliği (wD), seri direnç (RS), maksimum elektrik alan (Emax) parametreleri belirlendi. C-f ölçümlerinden iletkenlik metodu ile arayüzey hal yoğunluğu (NSS) hesaplandı. Arayüzey hallerinin yoğunluğu ve seri direnç değerinin artan AC sinyalinin frekansı ile ters orantılı olduğu gözlendi.

Özet (Çeviri)

In this thesis, an Al/SiO2/p-Si MIS structure was prepared using a boron doped p-type Si crystal. Capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G-V) characteristics of the produced diode for 9 different frequencies (in the 4kHz-1MHz frequency range) at room temperature and in the dark environment were examined at different voltage values between -4V and 4V. From these measurements, the difference between actual fermi energy level and fermi energy level (Vp), barrierheight (b), diffusion potential (Vd), Schottky dip (Δb), depletion layer width (wD), series resistance (Rs), maximum electric field (Emax) of the diode parameters were determined. Interfacial state density (NSS) was calculated from the C-f measurements via the conductance method. It was observed that the density of the interface states and the series resistance value were inversely proportional to the frequency of the increased with ac signal.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    843646

    Organik ara yüzey tabakalı metal-yarıiletken (MS) yapıların oluşturulması ve frekansa bağlı elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    Formation of metal-semiconductor (MS) structures with organic interface layers and examination of frequency-dependent electrical properties

    NESLİHAN DELEN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. AKİF ÖZBAY

  2. Tez No

    432009

    Metal-organik-yarı iletken yapıların arayüzey özelliklerinin belirlenmesi

    Investigation of interface properties of metal-organic semiconductor structures

    ARDEN ERKOL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ÇİĞDEM ORUÇ

  3. Tez No

    562480

    Farklı kalınlıklarda al2o3 arayüzey tabakasının metal-yarıiletken yapılara eklenmesi ile dielektrik özelliklerinin incelenmesi

    Dielectric properties investigation of metal-semiconductor structures by adding al2o3 interlayer in different thicknesses

    BİLAL ARSLAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKarabük Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SERHAT ORKUN TAN

  4. Tez No

    522770

    Arayüzeyleri farklı kalınlıklarda imal edilmiş Au/Ti/Al2O3/n-GaAs/In Schottky diyotların dielektriksel özelliklerinin ve ac elektriksel iletkenliklerinin frekansa ve sıcaklığa bağlılıkları

    The frequency and temperature dependence of the dielectric properties and the ac electrical conductivity of the Au/Ti/Al2O3/n-GaAs/In Schottky diodes are manufactured from interfaces in different thicknesses

    ÇİĞDEM ŞÜKRİYE GÜÇLÜ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AHMET FARUK ÖZDEMİR

  5. Tez No

    554273

    Metal/oksit tabaka/silisyum yarıiletken/metal yapıların elektriksel özellikleri

    Electrical properties of metal/oxide layer/silicon semiconductor/metal structures

    MUHAMMED CAN ÖZDEMİR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Medeniyet Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ABDULMECİT TURUT

Geri Dön