Metal/yalıtkan/yarıiletken (MIS) yapıların farklı frekanslar altında elektriksel özelliklerinin belirlenmesi
Determination of electrical properties of metal/insulator/semiconductor (MIS) structures under different frequencies
- Tez No: 840855
- Danışmanlar: PROF. DR. BEHZAD BARIŞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2023
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Giresun Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 85
Özet
Bu tez çalışmasında bor katkılı p-tipi Si kristali kullanılarak Al/SiO2/p-Si MIS yapı hazırlandı. Üretilen diyotun oda sıcaklığında ve karanlık ortamda 4 kHz-1 MHz frekans aralığında 9 farklı frekans için kapasitans-gerilim (C-V) ve iletkenlik-gerilim (G–V) karakteristikleri -4 V ile 4 V aralığındaki farklı gerilim değerlerinde incelendi. Bu ölçümlerden diyotun gerçek fermi enerji seviyesi ile fermi enerji seviyesi arası fark (Vp), engel yüksekliği (b), difüzyon potansiyeli (Vd), Schottky alçalması (Δb), tüketim tabakası genişliği (wD), seri direnç (RS), maksimum elektrik alan (Emax) parametreleri belirlendi. C-f ölçümlerinden iletkenlik metodu ile arayüzey hal yoğunluğu (NSS) hesaplandı. Arayüzey hallerinin yoğunluğu ve seri direnç değerinin artan AC sinyalinin frekansı ile ters orantılı olduğu gözlendi.
Özet (Çeviri)
In this thesis, an Al/SiO2/p-Si MIS structure was prepared using a boron doped p-type Si crystal. Capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G-V) characteristics of the produced diode for 9 different frequencies (in the 4kHz-1MHz frequency range) at room temperature and in the dark environment were examined at different voltage values between -4V and 4V. From these measurements, the difference between actual fermi energy level and fermi energy level (Vp), barrierheight (b), diffusion potential (Vd), Schottky dip (Δb), depletion layer width (wD), series resistance (Rs), maximum electric field (Emax) of the diode parameters were determined. Interfacial state density (NSS) was calculated from the C-f measurements via the conductance method. It was observed that the density of the interface states and the series resistance value were inversely proportional to the frequency of the increased with ac signal.
Benzer Tezler
- Organik ara yüzey tabakalı metal-yarıiletken (MS) yapıların oluşturulması ve frekansa bağlı elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Formation of metal-semiconductor (MS) structures with organic interface layers and examination of frequency-dependent electrical properties
NESLİHAN DELEN
Doktora
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AKİF ÖZBAY
- Metal-organik-yarı iletken yapıların arayüzey özelliklerinin belirlenmesi
Investigation of interface properties of metal-organic semiconductor structures
ARDEN ERKOL
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ÇİĞDEM ORUÇ
- Farklı kalınlıklarda al2o3 arayüzey tabakasının metal-yarıiletken yapılara eklenmesi ile dielektrik özelliklerinin incelenmesi
Dielectric properties investigation of metal-semiconductor structures by adding al2o3 interlayer in different thicknesses
BİLAL ARSLAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKarabük ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SERHAT ORKUN TAN
- Arayüzeyleri farklı kalınlıklarda imal edilmiş Au/Ti/Al2O3/n-GaAs/In Schottky diyotların dielektriksel özelliklerinin ve ac elektriksel iletkenliklerinin frekansa ve sıcaklığa bağlılıkları
The frequency and temperature dependence of the dielectric properties and the ac electrical conductivity of the Au/Ti/Al2O3/n-GaAs/In Schottky diodes are manufactured from interfaces in different thicknesses
ÇİĞDEM ŞÜKRİYE GÜÇLÜ
Doktora
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AHMET FARUK ÖZDEMİR
- Metal/oksit tabaka/silisyum yarıiletken/metal yapıların elektriksel özellikleri
Electrical properties of metal/oxide layer/silicon semiconductor/metal structures
MUHAMMED CAN ÖZDEMİR
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Medeniyet ÜniversitesiNanobilim ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABDULMECİT TURUT