Metal/yalıtkan/yarıiletken (MIS) yapıların farklı frekanslar altında elektriksel özelliklerinin belirlenmesi
Determination of electrical properties of metal/insulator/semiconductor (MIS) structures under different frequencies
- Tez No: 840855
- Danışmanlar: PROF. DR. BEHZAD BARIŞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Schottky diyodları, Schottky diodes
- Yıl: 2023
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Giresun Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu tez çalışmasında bor katkılı p-tipi Si kristali kullanılarak Al/SiO2/p-Si MIS yapı hazırlandı. Üretilen diyotun oda sıcaklığında ve karanlık ortamda 4 kHz-1 MHz frekans aralığında 9 farklı frekans için kapasitans-gerilim (C-V) ve iletkenlik-gerilim (G–V) karakteristikleri -4 V ile 4 V aralığındaki farklı gerilim değerlerinde incelendi. Bu ölçümlerden diyotun gerçek fermi enerji seviyesi ile fermi enerji seviyesi arası fark (Vp), engel yüksekliği (b), difüzyon potansiyeli (Vd), Schottky alçalması (Δb), tüketim tabakası genişliği (wD), seri direnç (RS), maksimum elektrik alan (Emax) parametreleri belirlendi. C-f ölçümlerinden iletkenlik metodu ile arayüzey hal yoğunluğu (NSS) hesaplandı. Arayüzey hallerinin yoğunluğu ve seri direnç değerinin artan AC sinyalinin frekansı ile ters orantılı olduğu gözlendi.
Özet (Çeviri)
In this thesis, an Al/SiO2/p-Si MIS structure was prepared using a boron doped p-type Si crystal. Capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G-V) characteristics of the produced diode for 9 different frequencies (in the 4kHz-1MHz frequency range) at room temperature and in the dark environment were examined at different voltage values between -4V and 4V. From these measurements, the difference between actual fermi energy level and fermi energy level (Vp), barrierheight (b), diffusion potential (Vd), Schottky dip (Δb), depletion layer width (wD), series resistance (Rs), maximum electric field (Emax) of the diode parameters were determined. Interfacial state density (NSS) was calculated from the C-f measurements via the conductance method. It was observed that the density of the interface states and the series resistance value were inversely proportional to the frequency of the increased with ac signal.
Benzer Tezler
- Metal-yalıtkan-yarıiletken (Al/SiO2/p-Si) yapıların elektrik ve dielektrik özelliklerinin frekans ve potansiyele bağlı incelenmesi
The investigation of frequency and voltage dependent electrical and dielectric properties of metal-insulator-semiconductor (Al/SiO2/p-Si) structures
ZEKAYİ SÖNMEZ
Doktora
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Metal-organik-yarı iletken yapıların arayüzey özelliklerinin belirlenmesi
Investigation of interface properties of metal-organic semiconductor structures
ARDEN ERKOL
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ÇİĞDEM ORUÇ
- Organik ara yüzey tabakalı metal-yarıiletken (MS) yapıların oluşturulması ve frekansa bağlı elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Formation of metal-semiconductor (MS) structures with organic interface layers and examination of frequency-dependent electrical properties
NESLİHAN DELEN
Doktora
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AKİF ÖZBAY
- Bazı esterlerin kinetik incelenmesi ve termodinamik parametrelerin belirlenmesi
Kinetic study and detesmination of thermodnamic parameters of some esters
İBRAHİM TAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
1986
Kimya MühendisliğiUludağ ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA CEBE
- Adolesan intihar girişimlerinin psiko-sosyal nedenleriyle ilgili araştırma
Başlık çevirisi yok
NAZMİYE YÜKSEL