2.4 ve 5 GHz frekansları için RF yükselteç tasarımında empedans uyumlamanın kararlılık ve bant genişliğine etkisinin incelenmesi
Investigation of the effect of impedance matching on stability and bandwidth in RF amplifier design for 2.4 and 5 GHz frequencies
- Tez No: 914924
- Danışmanlar: PROF. DR. ERCAN YALDIZ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2024
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Konya Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 100
Özet
Düşük frekanslarda çalışan analog devreler admitans, empedans, gerilim ve akım gibi ölçülebilir büyüklükler ile ifade edilebilirken, RF/mikrodalga frekanslarda çalışan devreleri doğrudan bu değişkenlerle ölçmek mümkün değildir. Daha kolay ölçülebilen ve güç akışıyla ilgili olan gerilim yansıma ve iletim katsayıları gibi değişkenleri kullanmak daha elverişlidir. Bu çalışmada RF/mikrodalga için 2,4 ve 5 GHz merkez frekansı temel alınarak küçük sinyaller için A sınıfı bir yükselteç tasarlanmış ve simülasyonda incelenmiştir. Bunun için kolay erişilebilir olan ve AWR Design Environment yazılımında gerekli verileri bütünleşik halde bulunan BFP540 transistöründen yararlanılmıştır. Devrede bant genişliğinin yüksek olması için L-tipi uyumlama devreleri kullanılmıştır. Devrenin yüksek çalışma frekansından dolayı, giriş ve çıkış uyumlama devrelerinin toplu elemanlar yerine dağıtık elemanlarla tasarımı tercih edilmiştir. Saplamalar uyumlama devreleri için simetrik ve asimetrik, açık ve kısa-devre olarak tasarlanmışlardır. Sonra kendi aralarında bant genişliği bakımından tekrar incelenmişlerdir. Koşulsuz kararlılığı sağlamak ve bant genişliğini artırmak için negatif geribesleme ve çıkışta şönt direnç kullanma gibi kazanç düşürücü yöntemler de test edilmiştir. Uyumlama devreleri için iletim hatları ve saplamalar hesaplanırken Smith grafiğinden yararlanılmıştır. Birinci ve ikinci kesişim noktalarına ait çözümler ve tasarlanan saplama çeşitleri ile kendi aralarında kombinasyonlarının kullanımının etkileri, spektrumdaki bant genişliğine etkileri tekrar incelenmiştir. Devre sonra daha düşük collector akımı ile tasarlanmış, karşılaştırmaya dahil edilmiştir. Tasarım yapılırken üreticiden alınan saçılma (S) parametrelerinden yararlanılmış, bir hesaplama yazılımı oluşturularak yansıma katsayıları ve empedans/admitans değişkenleri hesaplatılmıştır. Bu değerler kullanılarak Smith grafiği yardımı ile iletim hatlarına eklenecek saplama konumları ve uzunlukları bulunmuş, ilgili yazılım ile yapılan simülasyon çalışmalarında bu değerler kullanılmıştır. İlgili yazılımla elde edilen tasarıma ait simülasyon sonuçları kazanç, kararlılık, gürültü figürü, bant genişliği ve uyumluluk bakımından incelenmiş ve sonuçlar arasındaki farklılıklar tartışılmıştır. Ayrıca, bu değişkenlerin hesabı, konuya yeni başlayan öğrenci ve araştırmacılara yararlı olması amacı ile bir örnek üzerinde açıklanmıştır
Özet (Çeviri)
While analog circuits operating at low frequencies can be expressed with measurable quantities such as admittance, impedance, voltage and current, it is not possible to measure circuits operating at RF/microwave frequencies directly with these variables. It is more convenient to use variables such as voltage reflection and transmission coefficients, which are easier to measure and related to power flow. In this study, a class A amplifier for small signals has been designed and examined in simulation based on the center frequency of 2.4 and 5 GHz for RF/microwave. For this purpose, the BFP540 transistor, which is easily accessible and has the necessary data integrated in the AWR Design Environment software, has been used. L-type matching circuits have been used in order to have a high bandwidth in the circuit. Due to the high operating frequency of the circuit, it has been preferred to design the input and output matching circuits with distributed elements instead of lumped elements. The stubs have been designed as symmetrical and asymmetrical, open and short-circuit for matching circuits. Then, they have been examined again in terms of bandwidth among themselves. Gain reduction methods such as using negative feedback and shunt resistance at the output have been also tested to provide unconditional stability and increase bandwidth. Smith chart has been used while calculating transmission lines and stubs for matching circuits. The effects of the solutions for the first and second intersection points and the designed stub types and their combinations among themselves, and their effects on the bandwidth in the spectrum have been re-examined. The circuit has been then designed with lower collector current and included in the comparison. While designing, scattering (S) parameters received from the manufacturer have been used, a calculation software has been implemented and reflection coefficients and impedance/admittance variables have been calculated. Using these values, the stub positions and lengths to be added to the transmission lines have been found with the help of the Smith chart, and these values have been used in the simulation studies conducted with the relevant software. The simulation results of the design obtained with the relevant software have been examined in terms of gain, stability, noise figure, bandwidth and compatibility, and the differences between the results have been discussed. In addition, the calculation of these variables has been explained on an example in order to be useful for students and researchers who are new to the subject.
Benzer Tezler
- A design of sub-mW-power 2.4 GHz CMOS cascode low noise amplifier with high linearity
Yüksek doğrusallığa sahip mW altı güç ile çalışan 2.4 GHz CMOS kaskod düşük gürültülü kuvvetlendirici
DİDEM EROL AS
Yüksek Lisans
İngilizce
2021
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA BERKE YELTEN
- A doherty power amplifier for 5G applications
5G uygulamaları için bir doherty güç yükselteci
HASAN KONANÇ
Yüksek Lisans
İngilizce
2023
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MEHMET NURİ AKINCI
DR. ÖĞR. ÜYESİ HÜSEYİN ŞERİF SAVCI
- A compact two stage GaN power amplifier design for sub-6GHz 5G base stations
6GHz altı 5G baz istasyonuları için kompakt iki katlı GaN güç yükselteç tasarımı
BURAK BERK TÜRK
Yüksek Lisans
İngilizce
2023
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SERKAN ŞİMŞEK
DR. ÖĞR. ÜYESİ HÜSEYİN ŞERİF SAVCI
- Design of an X-band GaN based microstrip MMIC power amplifier
X-bant GaN tabanlı mikroşerit MMIC güç yükselteci
ULAŞ ÖZİPEK
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EKMEL ÖZBAY
- A ku-band pHEMT MMIC high power amplifier design
PHEMT teknolojisi kullanarak yüksek güçlü MMIC yükselteç tasarımı
AHMET DEĞİRMENCİ
Yüksek Lisans
İngilizce
2014
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABDULLAH ATALAR