A ku-band pHEMT MMIC high power amplifier design
PHEMT teknolojisi kullanarak yüksek güçlü MMIC yükselteç tasarımı
- Tez No: 360990
- Danışmanlar: PROF. DR. ABDULLAH ATALAR
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2014
- Dil: İngilizce
- Üniversite: İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi
- Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Güç yükselteçleri, radar ve haberleşme sistemlerinin en önemli parçalarından biri olarak gösterilmektedir. Sistem gereksinimlerini sağlamak adına, güç yükselteçleri yüksek güç ve kazancı aynı anda sağlamalıdır. RF ve Mikrodalga frekanslarında, AlGaAs/InGaAs/GaAs tabanlı sahte biçimli yüksek elektron mobiliteli transistorler yüksek güç ve kazancı aynı anda sağlayarak önemli avantajlar sunmaktadır. Elektriksel performans, maliyet ve güvenilirlik açısından bakıldığında, pHEMT MMIC yüksek güç yükselteçleri Ku bant frekansları için en iyi alternatiflerden birisi olarak görülmektedir. Bu tezde, 3-katlı AlGaAs/InGaAs/GaAs tabanlı, 16-17.5 GHz bandında çalışan bir pHEMT MMIC yüksek güç yükselteci geliştirilmiştir. MMIC, 4 mil kalınlığında bir wafer üzerine 0.25 mikron kapı uzunluğuna sahip bir pHEMT prosesi kullanılarak 5.5x5.7 mm^2 büyüklüğünde ürettirilmiştir. 8V drain geriliminde, 85°C taban sıcaklığında, 26-24.5 dB küçük sinyal kazancı ile 3 dB doyum noktasında sürekli çalışma modunda 10-W (40 dBm) çıkış gücü, %25-30 drain verimliliği ile birlikte elde edilmiştir.
Özet (Çeviri)
Power amplifiers are regarded as the one of the most important part of the radar and communication systems. In order to satisfy the system specifications, the power amplifiers must provide high output power and high efficiency at the same time. AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic high electron mobility transistors (PHEMT) provide significant advantages offering high output power and high gain at RF and microwave frequencies. Considering the electrical performance, cost and the reliability issues, PHEMT monolithic microwave integrated circuit (MMIC) high power amplifiers are preferable at Ku-band frequencies (12-18 GHz portion of the electromagnetic spectrum in the microwave range of frequencies). In this thesis, a three-stage AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT MMIC high power amplifier is developed which operates between 16-17.5 GHz. Based on 0.25 μm gate-length pHEMT process, the MMIC is fabricated on 4-mil thick wafer with the size of 5.5 x 5.7 mm^2. Under 8V drain voltage operation, 26.5-24 dB small signal gain, 10-W (40 dBm) continuous-wave mode output power at 3 dB compression with %25-30 drain efficiency is achieved when the base temperature of the chip is 85°C.
Benzer Tezler
- Transdermal yolla nitrogliserin salınımında kullanılacak rezervuar tipi cihazlar için polihidroksietilmetakrilat (PHEMA) bazlı membran üretimi
Başlık çevirisi yok
RAMİS TEKİN
Yüksek Lisans
Türkçe
1987
Kimya MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. ERHAN PİŞKİN
- Design of a planner ku band receive antenna array for mobile platforms
Hareketli platformlar için düzlemsel ku bandı alıcı dizi anteni tasarımı
MUSTAFA MURAT BİLGİÇ
Doktora
İngilizce
2014
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYeditepe ÜniversitesiElektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. KORKUT YEĞİN
- A wideband single-channel receiver front-end for C/X/Ku/Ka-band SATCOM systems
C/X/Ku/Ka-bant SATCOM sistemleri için geniş bant tekkanallı alıcı ön ucu
TAHSİN ALPER ÖZKAN
Doktora
İngilizce
2025
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSabancı ÜniversitesiElektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YAŞAR GÜRBÜZ
- Design and manufacturing of a feed system for Ku band satellite communication
Ku bant uydu haberleşme için bir besleme sistemi tasarımı ve üretimi
MUSTAFA EMRE ÇARKACI
Yüksek Lisans
İngilizce
2018
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYaşar ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA SEÇMEN
- A novel miniaturied radar antenna design in ku band for V2X communication
Başlık çevirisi yok
SAIF AL-DEEN KAMAL HEYAD
Yüksek Lisans
İngilizce
2023
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiAltınbaş ÜniversitesiElektrik ve Bilgisayar Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. DOĞU ÇAĞDAŞ ATİLLA