Geri Dön

Ce katkılı ZnO filmlerinin elde edilmesi, fiziksel karakterizasyonu ve aygıt uygulamaları

Characterization, deposition of the ce doped ZnO films and its device application

  1. Tez No: 942808
  2. Yazar: FATMA ÜNÜGÜR SAKARYA
  3. Danışmanlar: PROF. DR. YASEMİN ÇAĞLAR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: ZnO, Sol-jel spin kaplama tekniği, Heteroeklem diyot, ZnO, Sol-gel spin coating technique, Heterojunction diode
  7. Yıl: 2025
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Eskişehir Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Fizik Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 75

Özet

Bu tez çalışması kapsamında, sol-jel spin kaplama tekniği ile cam ve p-Si alttaşlar üzerinde katkısız ve seryum (Ce) katkılı çinko oksit (ZnO) filmleri elde edilmiştir. p-Si alttaş üzerine elde edilen filmlerde ısıl buharlaştırma yöntemi kullanılarak p-Si/n-ZnO:Ce heteroeklem diyotları oluşturulmuştur. Elde edilen filmlerin X-ışını kırınım desenlerinden filmlerin yapısal parametreleri olan yarı pik genişliği, örgü sabitleri, yapılanma sabiti ve dislokasyon yoğunlukları hesaplanmıştır. Filmlerin geçirgenlik spektrumlarından % geçirgenlik değerleri, absorpsiyon spektrumlarından optik bant aralığı değerleri bulunmuştur. Filmlerin morfolojik özellikleri incelemek için atomik kuvvet mikroskobu (AFM) ve taramalı elektron mikroskobu (SEM) kullanılmış olup, film pürüzlülük değerlerinin ve tanecik boyutunun Ce katkı oranının artmasıyla birlikte azaldığı görülmüştür. Elementel analiz yapılan filmlerde Zn, O ve Ce varlığı doğrulanmıştır. p-Si/n-ZnO:Ce heteroeklem diyotlarının elektriksel karakterizasyonları için akım-voltaj ölçümleri alınmış ve diyot parametreleri (idealite faktörü ve bariyer yüksekliği) hesaplanmıştır.

Özet (Çeviri)

In this thesis, undoped and Cerium (Ce) doped Zinc oxide (ZnO) films were on glass and p-Si substrates produced by sol-gel spin coating technique. p-Si/n-ZnO:Ce heterojunction diodes were fabricated by using thermal evaporation method. The structural parameters of the films such as full-width of the half maximum, lattice constants, texture coefficient and dislocation densities were calculated from the X-ray diffraction patterns of the films. The percent transmittance values were obtained from transmittance spectra of the films and the optical band gap values were obtained from absorption spectra. Atomic force microscopy (AFM) and scanning electron microscopy (SEM) were used to examine the morphological properties of the films and it was observed that the film roughness values and particle size decreased with the increase of Ce doping ratio. The elemental analysis confirmed the presence of Zn, O and Ce in the films. For electrical characterization of p-Si/n-ZnO:Ce heterojunction diodes, current-voltage measurements were obtained and diode parameters (ideality factor and barrier height) were calculated.

Benzer Tezler

  1. Structural, optical and electrical properties of ce-doped zno films produced by silar method

    Sılar yöntemiyle üretilen ce katkılı zno filmlerin yapısal, optik ve elektriksel özellikleri

    CENGİZHAN BOZER

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2025

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara Yıldırım Beyazıt Üniversitesi

    Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. BEGÜM ÜNVEROĞLU ABDİOĞLU

    DR. ÖĞR. ÜYESİ SEZEN TEKİN

  2. Terleme düzeyini sürekli takip edebilen nadir toprak elementi katkılandırılmış ZnO/CuO kompozit ince filmlerin tasarımı ve üretimi

    Design and production of rare-earth elements doped ZnO/CuO composite thin films for continuous sweat rate monitoring

    NURDAN SELİN KIRIK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    BiyomühendislikHatay Mustafa Kemal Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. BÜNYAMİN ŞAHİN

  3. Ce katkılı nanoyapılı ZnO filmlerinin sentezi ve fotokatalitik aktivitesi

    Synthesis of Ce doped nanostructured ZnO films and photocatalytic activity

    LEYLA KABA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SENİYE KARAKAYA

  4. Ce katkılı ZnO/Si heteroekleminin üretimi ve ara yüzeyde oluşan kusur seviyelerinin incelenmesi

    Fabrication of Ce doped ZnO/Si heterojunction and investigation of the defects at the interface

    HALİM ONUR ÖZTEL

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. NAMIK AKÇAY

  5. Fotovoltaik uygulamalar için Ce katkılı ZnO nanoyapıların sentezi ve UV zırhlama kabiliyetlerinin incelenmesi

    Synthesis and investigation of UV shielding capabilities of Ce doped ZnO nanostructures for photovoltaic applications

    YUSUF ÖZPOLAT

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. GÖKHAN ALGÜN