Power amplification in radio frequency systems: Design of a single-stage class j power amplifier for particle accelerators
Radyo frekans sistemlerinde güç amplifikasyonu: Parçacık hızlandırıcıları için tek aşamalı j-sınıfı güç amplifikatörü tasarımı
- Tez No: 1022452
- Danışmanlar: PROF. DR. KEVİN MORRİS
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Nükleer Mühendislik, Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Nuclear Engineering, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2019
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Unıversıty Of Brıstol
- Enstitü: Yurtdışı Enstitü
- Ana Bilim Dalı: Nükleer Mühendislik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Nükleer Bilimler Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Vakumlu tüplü amplifikatörlerden yarı iletken (solid-state) muadillerine geçiş süreci, yüksek güçlü radyo frekans sinyallerinin kullanıldığı diğer tüm alanlarda olduğu gibi parçacık hızlandırıcı çalışmalarında da belirgin etkiler yaratmıştır. Bunun yanı sıra, yeni amplifikasyon yöntemleri ve sürekli gelişen transistör teknolojisi, yüksek nitelikli yarı iletken amplifikatörler elde etmek için sürekli bir gelişim fırsatının önünü açmıştır. Bu nedenle, bu çalışma parçacık hızlandırıcılarını ve bunların güç kullanım karakteristiklerini incelemiş, ayrıca farklı amplifikatör türlerindeki güç amplifikasyonuna dair içgörüler sunmuştur. Elektron hızlandırıcıları için tek aşamalı sürekli dalga amplifikatör adayı olarak; 2,8 GHz frekansında çalışan, 200W güç çıkışına ve %61 eklenmiş güç verimliliğine (PAE) sahip bir J sınıfı amplifikatör tasarlanmıştır. Ek olarak, beklenmedik derecede düşük olan verimlilik seviyesinin bir sonucu olarak J sınıfı metodolojisi; seçilen frekans için piyasada bulunan mevcut yüksek güç kapasiteli transistörlerle uyumluluğu açısından ayrıntılı olarak incelenmiştir. Son olarak, incelenen cihazların düşük“genişlik”(largeness) eğilimi nedeniyle belirli uygulama sorunlarının olduğu sonucuna varılmıştır.
Özet (Çeviri)
The transition process from tube amplifiers to solid-state counterparts had distinct effects on the particle accelerator studies as well as all the other fields that use high power radio frequency signals. Besides, new amplifying methods and ever-developing transistor technology were paved a way for a perpetual enhancement opportunity to achieve highly-qualified solid-state amplifiers. Therefore, this study analysed the particle accelerators and their power usage characteristics as well as giving the insight of the power amplification in the different amplifier types. As a single-stage continuous wave amplifier candidate for the electron accelerators, a class J amplifier that operates at 2.8 GHz with 200W power output and 61% power-added efficiency was designed. In addition, as a result of the efficiency level, which is unexpectedly low, the class J methodology was examined in detail in terms of their compatibility with the current high power capable transistors in the market for the opted frequency. Finally, it was achieved that there were certain implementation issues due to the low“largeness”tendency of the examined devices.
Benzer Tezler
- Geliştirilmiş bir ultrasonik darbeli doppler kan akış ölçme düzeninde hata kaynaklarının analizi
The Analysis of error sources at a developed pulsed doppler blood flowmeter
İNAN GÜLER
Doktora
Türkçe
1990
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. ERTUĞRUL YAZGAN
- Kablo TV sistemi koaksiyonel dağıtım elemanlarında işaret seviyelerinin bulunması
Başlık çevirisi yok
AYTEN KARAHAN
Yüksek Lisans
Türkçe
1998
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Yüksek dinamik aralıklı, Si-Ge tranzistorlu, 8-11GHz simetrik sürümlü B sınıfı kuvvetlendirici tasarımı
High dynamic range 8-11GHz push-pull class B amplifier with SiGe transistor technology
HİLAL HİLYE CANBEY
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MÜRVET KIRCI
- Power amplifier improvement techniques/circuits in 0.35 micron sige SiGe HBT Technology for 5 GHz wireless LAN band
0.35 mikron SiGe HBT Teknolojisi ile, 5 GHz kablosuz iletisim bandinda güç amfisi gelistirme teknikleri ve devreleri
CANAN KAVLAK
Yüksek Lisans
İngilizce
2006
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSabancı ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. İBRAHİM TEKİN
- Eşikaltı çalışan otaların iyileştirilmesi ve tip elektroniği alanına uygulanması
Başlık çevirisi yok
GÜRSEL DÜZENLİ
Yüksek Lisans
Türkçe
1996
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. H. HAKAN KUNTMAN