Yarıiletken ince filmlerin iç yapılarının incelenmesi
Microstructural investigation of semiconductor thin films
- Tez No: 114306
- Danışmanlar: DOÇ. DR. YUSUF ATICI
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: GaAs/Si İnce Filmleri, Uyumsuzluk ve Tırmanıcı Dislokasyonlar, Dislokasyon Yoğunluğu, Ara Yüzeyler, GaAs/Si Thin Films, Misfit and Threading Dislocations, Dislocation Density, Interfaces
- Yıl: 2001
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Fırat Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 49
Özet
Ill ÖZET YÜKSEK LİSANS TEZİ YARIİLETKEN İNCE FİLMLERİN İÇ YAPILARININ İNCELENMESİ Mehmet KAYA Fırat Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı 2001, sayfa : 103. Bu tezde, moleküler ışın epitaksi (MBE) yöntemi ile büyütülen GaAs/Si(001) filmlerinin mikroyapılan geçirmeli elektron mikroskopisi (TEM) ile incelendi. Büyütülen GaAs/Si filmleri, yaklaşık 1 nm kalınlığında 6 tane Si ara tabakalarını içermektedir. İnceleme işlemlerinde kesit-alan ve düzlem-görüntü numuneleri kullanıldı. GaAs/Si(001) kesit-alan görüntülerinde, Si(001) alt tabakası ile GaAs üst tabakası arasında düzgün bir ara yüzeyin oluştuğu ve burada çok sayıda kristal kusurlarının meydana geldiği gözlendi. Ayrıca GaAs yapısında bulunan Si ara tabakalarının dalgalı bir görünüm oluşturdukları gözlendi. Ara yüzeyde oluşan uyumsuzluk dislokasyonlarının, ara yüzeydeki zorlanmayı azalttığı ve bu dislokasyonların bazılarının üst tabakaya çıkarak tırmanıcı dislokasyonları oluşturdukları belirlendi. Tırmanıcı dislokasyonlardan bazılarının birbirleri ile etkileştiği ve bazılarının da Si ara tabakaları tarafından engellendiği gözlendi. Ayrıca tırmanıcı dislokasyonların Si ara tabakası-GaAs ara yüzeylerinde hareket ederek yeniden uyumsuzluk kusurlarını oluşturduğu tespit edildi. Böylece, dislokasyon yoğunluğunun ara yüzeyden yukarı doğru azaldığı belirlendi. Buna rağmen Si ara tabakalarında çok az sayıda uyumsuzluk dislokasyonlarının meydana geldiği fark edildi. GaAs/Si(001) kesit-alan ve düzlem-görüntü numunelerinin her ikisinde de uyumsuzluk ve tırmanıcı dislokasyonların oluştuğu gözlendi. Bu dislokasyonların 60° uyumsuzluk dislokasyonları ve kayma sistemlerinin 1/2 {111} olduğu belirlendi. GaAs/Si(001) kesit-alan numunelerinden alınan elektron difraksiyon desenleri, GaAs tabakasının örgü sabitinin küçüldüğünü gösterdi. Yine difraksiyon desenlerinden ara yüzeyde bir miktar zorun kaldığı anlaşıldı.
Özet (Çeviri)
IV ABSTRACT M. Sc. Thesis MICROSTRUCTURAL INVESTIGATION OF SEMICONDUCTOR THIN FILMS Mehmet KAYA Fırat University Graduate School of Natural and Applied Sciences Department of Physics 2001, Page: 103, In this thesis, microstructures of GaAs/Si(001) films grown by molecular beam epitaxy (MBE) were examined by transmission electron microscopy (TEM). The GaAs/Si films subjected to this study have 6 Si interlayers of ~1 nm in thickness. Cross-sectional and plan-view samples were used to examine the microstructure of the films. It was seen that the structures have a smooth interface associating with misfit and threading dislocations between GaAs epilayer and Si substrate. Undulated Si interlayers were also observed in the structures, g.b contrast experiments were performed to find the dislocations slip systems and 60° type misfit dislocations with a/2 {111} slip system were observed in GaAs/Si heterostructures. It was obtained that the strain relaxation at the interfaces occurs by the presence of misfit and threading dislcations. The misfit dislocations run along the interfaces and some of them thread up through the epilayers producing the threading dislocations in the films. Si interlayers were found to be very effective on the threading dislocations. Consequently it was observed that the dislocation density decreases at the upper part of films due to the Si interlayers. Electron diffraction experiments were also performed to find out the strain left in the structures using the coss-sectional GaAs/Si(001) samples.
Benzer Tezler
- Investigation of structural, optical and electrical properties of MBE grown Si-Ge thin films
MBE ile büyütülmüş Si-Ge ince filmlerin yapısal, optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
İSA ŞEKER
Doktora
İngilizce
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiFatih ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BAYRAM ÜNAL
- Organik yarıiletken tabanlı fotovoltaik aygıtlar için şekilli ince film altlıkların kullanımı ve etkilerinin incelenmesi
The effect of the usage of sculptured thin film substrates for organic semiconductor based photovoltaic devices
DİLEK DEMİROĞLU
Doktora
Türkçe
2019
Enerjiİstanbul Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA KAMİL ÜRGEN
DR. ÖĞR. ÜYESİ BEYHAN TATAR
- PECVD yöntemiyle büyütülmüş BN filmlerin opto-elektronik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of PECVD grown BN thin films opto-electronic properties
BORA BOZKURT
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ORHAN ÖZDEMİR
- Nano-scale chemically modified thin film characterization for chemical mechanical planarization applications
Nano-boyutta kimyasal modifiye edilmiş ince filmlerin kimyasal-mekanik düzleştirme uygulamaları için karakterizasyonu
AYŞE KARAGÖZ
Doktora
İngilizce
2015
Mühendislik BilimleriÖzyeğin ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. GÜL BAHAR BAŞIM DOĞAN
- The growth of doped ZnO thin films by the silar method and investigation of structural, optical and electrical properties
Büyütülen katkılı ZnO filmlerin sılar yöntemiyle ve yapısal, optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
DHEYAALDAIN MOHAMMED HUSSEIN ALHASANI
Yüksek Lisans
İngilizce
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇankırı Karatekin ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ İLKER KARA