Geri Dön

CMOS RF passive components modelling and low noise amplifier design

CMOS RF pasif eleman modelleme ve düşük gürültülü yükselteç tasarımı

  1. Tez No: 116446
  2. Yazar: ALİ TELLİ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. MURAT AŞKAR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2001
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 184

Özet

oz CMOS RF PASİF ELEMAN MODELLEME VE DÜŞÜK GÜRÜLTÜLÜ YÜKSELTEÇ TASARIMI Telli, Ali Yüksek Lisans, Elektrik - Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı Tez Yöneticisi : Prof. Dr. Murat AŞKAR Aralık 2001, 167 sayfa Bu tezde, RF CMOS pasif, aktif eleman modelleri ve farklı LNA topolojileri araştırılmış, simüle edilmiş ve karşılaştırılmışlardır. Sonuçta, Mietec CMOS 0.7um prosesi kullanılarak ve parazitik etkiler düşünülerek 2210 MHz'de çalışan bir LNA dizayn edilmiştir. Tezde, ilk olarak literatürdeki pasif eleman modelleri araştırılmış yeni olanlar toplanmıştır. Sonra, pasif eleman modelleri, başlıca kapasitörler ve bobinler, simüle edilmiş ve karşılaştırılmışlardır. Bundan başka, bobinler için, simülasyon sonuçları çip bobin ölçüm sonuçlarıyla da karşılaştırılmışlardır. Daha sonra MOSFET için gürültü modelleri incelenmiştir. Sonuçta, literatürdeki LNA topolojileri araştırılmış Cadence/BSIM3v3 kullanılarak farklı LNATer 900 MHz, 2025 MHz ve 2210 MHz de dizayn edilip simüle edilmişlerdir.2210 MHz'de çalışan bir tasarım için, pasif ve aktif elemanlara bağlı parazitik etkiler de göz önüne alınarak, layout çizilmiştir. Tasarlanan yükselteç parasitik etkilerin eklenmediği durumda 3V'luk kaynaktan 18mW güç tüketirken 2dB NF ile 18 dB kazanç sağlamaktadır. Parasitik etkiler eklendiğinde kazanç 9 dB'ye düşerken NF 4.5 dB'ye çıkmaktadır. Bu çalışmanın sonuçları gösteriyor ki teknoloji küçüldükçe ve doğru eleman modelleri kullanıldıkça CMOS prosesiyle RF devreler dizayn etmek olasıdır. Anahtar Kelimeler : RF ASIC, RF CMOS, RF Pasif Eleman, Bobin, Direnç, Kapasitör, RF MOS, Düşük Gürültülü Yükselteç, Empedans Uyumlama. vı

Özet (Çeviri)

ABSTRACT CMOS RF PASSIVE COMPONENTS MODELLING AND LOW NOISE AMPLIFIER DESIGN Telli, Ali M.S. in Electrical - Electronics Engineering Supervisor : Prof. Dr. Murat AŞKAR December 2001, 167 pages In this thesis, RF CMOS passive, active element models and different LNA topologies are investigated, simulated and compared. At the end, LNA that works at 2210 MHz is designed by using Mietec CMOS 0.7um process considering the parasitic effects. In the thesis, passive element models are searched throughout the literature and new models are collected firstly. Next, passive element models, mainly capacitors and inductors, are simulated and compared. Moreover, for inductors, simulation results are compared with on-chip inductor measurement results. Afterwards, noise models for MOSFET are investigated. Finally, LNA topologies are searched throughout the literature and different LNAs at 900 MHz, 2025 MHz, and 2210 MHz are designed and simulated using Cadence/BSIM3v3. inFor one of the design that works at 2210 MHz, the layout was drawn by considering parasitic effects due to passive and active elements. The designed amplifier, with no parasitic effects, provides a forward gain of 18.5 dB with a noise figure of 2 dB while drawing 18mW from 3V supply at 2210 MHz. When the parasitic effects are included, a forward gain decreases to 9 dB while NF increases to 4.5 dB. The results of this study show that it is possible to design RF circuits using CMOS process with technology scaling and correct element modelling. Keywords : RF ASIC, RF CMOS, RF Passive Element, Inductor, Resistor, Capacitor, RF MOS, Low Noise Amplifier, Impedance Matching. IV

Benzer Tezler

  1. Tez No

    815676

    Design of wide-band milimeter-wave passive MMIC control products on gaas based processes

    Gaas bazlı proseslerde geniş bant milimetre dalga pasif MMIC kontrol ürünleri tasarımı

    HARUN TEKİN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Medipol Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği ve Siber Sistemler Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ HÜSEYİN ŞERİF SAVCI

  2. Tez No

    541887

    RF-MEMS switch module in a 0.25 μm SiGe:C BiCMOS process

    Başlık çevirisi yok

    MEHMET KAYNAK

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2013

    Bilim ve TeknolojiTechnische Universität Berlin

    Prof. BERND TILLACK

  3. Tez No

    536264

    Differential K-band vector modulator ic design at 180 NM CMOS SOI process

    180 NM CMOS SOI prosesinde farksal K-band vektör modülatör entegre devre tasarımı

    ÖMER FEVZİ GÜNGÖR

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2018

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HATİCE ÖZLEM AYDIN ÇİVİ

    DR. FATİH KOÇER

  4. Tez No

    439672

    High performance tunable active inductors for microwave circuits

    Mikrodalga devreleri için yüksek başarımlı ayarlanabilir aktif endüktörler

    HADI GHASEMZADEH MOMEN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2016

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. METİN YAZGI

    YRD. DOÇ. DR. RAMAZAN KÖPRÜ

  5. Tez No

    400816

    Analysis and design of RF CMOS attenuators

    Başlık çevirisi yok

    HAKAN DOĞAN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2005

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiUniversity of California Berkeley

    PROF. ROBERT G. MEYER

Geri Dön