MOS transistörlerdeki sıcak taşıyıcı etkisinin modellenmesi
The Modelling of hot carrier effect in MOS transistors
- Tez No: 121075
- Danışmanlar: PROF. DR. AYTEN KUNTMAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2002
- Dil: Türkçe
- Üniversite: İstanbul Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 76
Özet
ÖZET... MOS TRANZISTORLERDEKI SICAK TAŞIYICI ETKİSİNİN MODELLENMESİ Bu çalışmada, sıcak taşıyıcıların MOS tranzistörler üzerindeki etkileri teorik ve deneysel olarak incelenmiştir. Deneylerde boyutları birbirinden farklı iki tranzistör kullanılmıştır. Stres uygulaması sonucunda savak akımının arttığı ve buna bağlı olarak eşik geriliminin azaldığı görülmüştür. Deneysel sonuçlardan hareket edilerek, literatürde verilen ve parametrelerin belirlenmesi açısından zorluklar gösteren modellere bir alternatif oluşturmak üzere Weibull dağılımı ile istatistiksel kestirime dayanan parametrik bir yöntem önerilmiştir. Hesaplanan ve ölçülen değerler karşılaştırılmış, elde edilen sonuçlar uyum sağlamış böylelikle önerilen yöntem doğrulanmıştır.
Özet (Çeviri)
SUMMARY THE MODELLING OF HOT CARRIER EFFECT IN MOS TRANSISTORS In this study the degradation in the threshold voltage and the drain current is observed by the operating the MOSFET under voltage stress conditions. Two transistor with different sizes are used for the experiments. The threshold voltage decrease by the increment of the drain current is observed after the experiments. By using the Weibull distribution, a parametric method which depends on statistical estimation, is proper to be an alternative for the given models in the literature whose parameters are difficult to determine. The observed and the estimated values of the degradation are compared with each other. It is verified with the method that estimated and the observed results are compatible. XI
Benzer Tezler
- Modeling statistical variations in MOS transistors
MOS transistörlerde istatistiksel değişimlerin modellenmesi
GÜLİN TULUNAY
Yüksek Lisans
İngilizce
2001
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiPROF. DR. ATİLLA ATAMAN
- FGMOS tabanlı akım kontrollü difreansiyel fark gerilimli akım taşıyıcı tasarımı ve uygulamaları
Design and applications of FGMOS based current controlled differential differerence current conveyor
ÖKKEŞ GÖKALP SÖKMEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA ALÇI
- Nöromorfik devre tasarımı ve yeni uygulamaları
Neuromorphic circuit design and its new applications
MELİH YILDIRIM
Doktora
Türkçe
2018
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi-CerrahpaşaElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FIRAT KAÇAR
- Comparisons of sige active downconversion mixers and a high performance sige active mixer design for s-band applications
Sige aktif alt çeviren karıştırıcıların karşılaştırılması ve s-band uygulamaları için yüksek başarımlı bir aktif karıştırıcı tasarımı
METE COŞKUN
Yüksek Lisans
İngilizce
2016
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. METİN YAZGI
- A 16-b 32 MSPS CMOS voltage output DAC in 0.18 um with 80+ dB simulated SFDR at 1 MHz output frequency
1 MHz çıkış frekansında 80+ dB SFDR başarımı elde eden 0.18 um 16-b 32 MSPS CMOS gerilim çıkışlı sayısal-analog çevirici tasarımı
ÇAĞLAR ÖZDAĞ
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. TÜRKER KÜYEL