Si tabanlı Sn metali ile oluşturulan ince arayüzey doğal oksit tabakalı ve tabakasız schottky diyotların idealite faktörleri ile engel yükseklikleri arasındaki lineer ilişkinin araştırılması
The Investigation of the linear correlation between barrier heights and ideality factors of Si based Sn schottky diodes with and without native interfacial oxide layer
- Tez No: 123527
- Danışmanlar: PROF. DR. TAHSİN KILIÇOĞLU
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2002
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Dicle Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 88
Özet
îti ÖZET Bu çalışmada, (100) doğrultusunda büyütülmüş, 400 um kalınlıklı ve direnci 5- 10 Q.cm arasında olan n ve p-tipi Silisyum kullanıldı. Çalışmadaki amacımız, engel yüksekliğinin uzaysal inhomojenliğinin neden olduğu etkin engel yüksekliği ile idealite faktörleri arasındaki lineer ilişkiyi deneysel olarak göstermektir. Bu amaç için, ince arayüzey doğal oksit tabakalı ve tabakasız Sn/n-Si ve Sn/p- Si (n-MS, n-MIS, p-MS ve p-MIS) diyotlarını kendi araştırma laboratuvarımızda imal ettik. Diyotların karakteristik parametreleri, akım-gerilim (I-V), kapasite-gerilim (C- V) ve iletkenlik gerilim (G-V) ölçümlerinden belirlendi. İnce arayüzey doğal oksit tabakasız, n-MS için engel yüksekliği 0.60 eV ile 0.67 eV arasında ve idealite faktörleri 1.349 ile 2.557 arasında, ince arayüzey doğal oksit tabakalı, n-MIS için ise engel yükseklikleri 0.56 eV ile 0.65 eV arasında idealite faktörleri ise 1.381 ile 2.777 arasında sıralandı. İnce arayüzey doğal oksit tabakasız p-MS için engel yüksekliği 0.70 eV İle 0.73 eV ile arasında ve idealite faktörleri 1.002 ile 1.189 arasında, p-MIS için ise engel yükseklikleri 0.77 eV ile 0.80 eV arasında idealite faktörleri ise 1.051 ile 1.199 eV arasında sıralandı. Bunun yanı sıra, deneysel engel yüksekliklerine karşı çizilen doğrusal grafiklerinin ekstrapolasyonuyla, imaj kuvvet azaltma değeri eklenerek, uzaysal homojen engel yüksekliklerini sırasıyla ince arayüzey tabakalı ve tabakasız n-MS için yaklaşık olarak 0.665eV ve 0.692 eV olarak bulundu.
Özet (Çeviri)
IV SUMMARY In this study, we have used n-Si and p-Si with (100) orientation, 400um thickness and resistivity between 5-10 Cl.cm. Our purpose is experimentally to confirm the linear relationship between effective barrier heights and ideality factors for Schottky diodes that can result from lateral inhomogeneities of the barrier height. For this, we have prepared the Sn/n-Si and Sn/p-Si (n-MS, n-MIS, p-MS and p- MIS) diodes with and without the native oxide layer in our research laboratory. The characteristics parameters of diodes using current-voltage (I-V), capacitance-voltage (C- V) and conductance-voltage (G-V) measurements has been determined. The Schottky barrier height for the n-MS without thin native interfacial oxide layer ranged from 0.60 eV to 0.67 eV, and ideality factor n from 1.349 to 2.557, for the n-MIS ranged from 0.56 eV to 0.65 eV, and ideality factor n value from 1.381 to 2.777. The Schottky barrier height, for the p-MS without thin native interfacial oxide layer ranged from 0.70 eV to 0.73 eV and ideality factor n from 1.002 to 1.189, for the p-MIS ranged from 0.77 eV to 0.80 eV and ideality factor n value from 1.051 to 1.199. Furthermore, the extrapolation of the linear plot of the experimental barrier heights versus ideality factors gives the laterally homogeneous barrier heights of approximately 0.665eV and 0.692 eV for the n-MS with and without the interfacial oxide layer, respectively, adding the image force lowering values.
Benzer Tezler
- Au/Fe2-xSnxO3/n-Si/Al heteroeklem yapıların üretimi ve güneş pili potansiyelinin değerlendirilmesi
Fabrication of Au/Fe2-xSnxO3/n-Si/Al heterojunction structures andevaluation of their solar cell potential
HALIT TERMAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUHAMMET YILDIRIM
- Ağır metallerle kirlenmiş toprakta doğal ve dc elektrik alanı ile desteklenmiş fitoremediasyon tekniklerinin karşılaştırılması
Comparison of natural and dc electric field amended phytoremediation techniques in heavy metal polluted soil
TUBA NUR KABAKÇI
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
BotanikMarmara ÜniversitesiÇevre Bilimleri Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SIDDIK SİNAN KESKİN
- Fotovoltaik uygulamalar için CZTS (Cu2SnZnS4) ince filmlerin sentezi ve karakterizasyonu
Synthesis and characterization of CZTS (Cu2SnZnS4) thin films for photovoltaic applications
ALİ RIZA YILDIRIM
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
EnerjiHacettepe ÜniversitesiNanoteknoloji ve Nanotıp Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABDULLAH CEYLAN
- Concurrent operation of wireless power transfer based contactless slip ring and motor drive system with a single converter
Kablosuz güç aktarım tabanlı temassız kayma halkası ve motor sürücü sisteminin tek bir dönüştürücü ile eş zamanlı çalışması
ENES AYAZ
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. OZAN KEYSAN
- Synthesis of ZnO and Si nanowires for the fabrication of 3rd generation solar cells
Üçüncü nesil güneş pillerinin üretimi için ZnO ve Si nanotellerin sentezlenmesi
ELİF PEKSU
Doktora
İngilizce
2019
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HAKAN KARAAĞAÇ