DLTS yöntemi ile n-tipi InP yarıiletkeninde yapı bozukluklarının bulunması
Lattice defects detection in n-type InP semiconductor by DLTS
- Tez No: 128952
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. ADİL CANIMOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: n-tipi İndiyum Fosfat Schottky Diyodu, Derin Seviyelerdeki Spektroskopi Değişimi, Aktivasyon Enerjisi, Elektron Yakalama Tesir Kesiti 111, DLTS tekniği, Schottky diyodları, Yarı iletkenler, n-type Indium Phosphide Schottky Diode, Deep Level Transient Spectroscopy Activation Energy, Electron- Capture-Croos-Section, DLTS technique, Schottky diodes, Semiconductors
- Yıl: 2002
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Niğde Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada n-tipi indiyum fosfat Schottky diyodu oluşturulurken ve radyasyona maruz bırakıldığında meydana gelen yapı bozuklukları, özellikle DLTS tekniğini içeren elektriksel kapasitans teknikleri ile araştırılması sunuldu. Yarıiletkenlerdeki yapı bozukluklarının elektronik seviyelerinin bulunmasında kullanılan DLTS metodu güçlü bir metottur. Bu çalışmada deneysel DLTS datalarının değerlendirilmesi detaylı olarak analiz edildi. Deneyler sonucunda elde edilen teorik DLTS spektraları ile similasyon spektraları karşılaştırıldı. Elde edilen DLTS spektralarının tekli elektronik seviyemi yoksa çoklu elektronik seviyemi olduğu hakkında bilgi verildi.
Özet (Çeviri)
The work described here is an investigation, by electrical capacitance techniques, including especially Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS), of as-grown and irradiation -induced lattice defects in n-type indium phosphide. DLTS is a powerful method used to identify the electronic levels of defects in semiconductors. In this study the experimental DLTS data have been analysed in detail, including by comparing them with theoretical simulated DLTS spectra so as to determine whether each observed DLTS peak is due to a single electronic level or multiple levels.
Benzer Tezler
- CrSi2 filmlerin yapısal ve elektriksel özellikleri
Structural and electrical properties of CrSi2 films
UĞUR DENEB YILMAZER
- Laplace derin seviye geçiş spektroskopisi (LDLTS) yöntemi ile kusur karakterizasyonu
Defect characterization using laplace deep level transient spectroscopy (LDLTS) technique
ÖMER GÖKSEL ERBAŞ
- İnvestigation of thin film Cds/CdTe heterojunction devices
İnce film n-cds/p-CdTe heteroeklem aygıtların incelenmesi
HABİBE MAMIKOĞLU
- Ce katkılı ZnO/Si heteroekleminin üretimi ve ara yüzeyde oluşan kusur seviyelerinin incelenmesi
Fabrication of Ce doped ZnO/Si heterojunction and investigation of the defects at the interface
HALİM ONUR ÖZTEL
