DLTS yöntemi ile n-tipi InP yarıiletkeninde yapı bozukluklarının bulunması
Lattice defects detection in n-type InP semiconductor by DLTS
- Tez No: 128952
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. ADİL CANIMOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: n-tipi İndiyum Fosfat Schottky Diyodu, Derin Seviyelerdeki Spektroskopi Değişimi, Aktivasyon Enerjisi, Elektron Yakalama Tesir Kesiti 111, n-type Indium Phosphide Schottky Diode, Deep Level Transient Spectroscopy Activation Energy, Electron- Capture-Croos-Section
- Yıl: 2002
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Niğde Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 75
Özet
Bu çalışmada n-tipi indiyum fosfat Schottky diyodu oluşturulurken ve radyasyona maruz bırakıldığında meydana gelen yapı bozuklukları, özellikle DLTS tekniğini içeren elektriksel kapasitans teknikleri ile araştırılması sunuldu. Yarıiletkenlerdeki yapı bozukluklarının elektronik seviyelerinin bulunmasında kullanılan DLTS metodu güçlü bir metottur. Bu çalışmada deneysel DLTS datalarının değerlendirilmesi detaylı olarak analiz edildi. Deneyler sonucunda elde edilen teorik DLTS spektraları ile similasyon spektraları karşılaştırıldı. Elde edilen DLTS spektralarının tekli elektronik seviyemi yoksa çoklu elektronik seviyemi olduğu hakkında bilgi verildi.
Özet (Çeviri)
The work described here is an investigation, by electrical capacitance techniques, including especially Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS), of as-grown and irradiation -induced lattice defects in n-type indium phosphide. DLTS is a powerful method used to identify the electronic levels of defects in semiconductors. In this study the experimental DLTS data have been analysed in detail, including by comparing them with theoretical simulated DLTS spectra so as to determine whether each observed DLTS peak is due to a single electronic level or multiple levels.
Benzer Tezler
- CrSi2 filmlerin yapısal ve elektriksel özellikleri
Structural and electrical properties of CrSi2 films
UĞUR DENEB YILMAZER
Yüksek Lisans
Türkçe
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. KUBİLAY KUTLU
- Laplace derin seviye geçiş spektroskopisi (LDLTS) yöntemi ile kusur karakterizasyonu
Defect characterization using laplace deep level transient spectroscopy (LDLTS) technique
ÖMER GÖKSEL ERBAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YAŞAR GÜRKAN ÇELEBİ
- İnvestigation of thin film Cds/CdTe heterojunction devices
İnce film n-cds/p-CdTe heteroeklem aygıtların incelenmesi
HABİBE MAMIKOĞLU
Doktora
İngilizce
1994
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ÇİĞDEM ERÇELEBİ
- Ce katkılı ZnO/Si heteroekleminin üretimi ve ara yüzeyde oluşan kusur seviyelerinin incelenmesi
Fabrication of Ce doped ZnO/Si heterojunction and investigation of the defects at the interface
HALİM ONUR ÖZTEL
Doktora
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. NAMIK AKÇAY
- Çift lümenli endobronşiyal tüp(ÇLT) ile entübe edilen elektif göğüs cerrahisi vakalarında zor emtübasyon skor ve parametrelerinin çlt ile entübasyon zorluğunu öngörmedeki yerinin belirlenmesi
Determining the role of difficult intubation scores and parameters in predicting the difficulty of intubation with double-lumen endobronchial tubes (DLT) in elective thoracic surgery cases
MESHER ENSARİOĞLU
Tıpta Uzmanlık
Türkçe
2025
Anestezi ve ReanimasyonSağlık Bilimleri ÜniversitesiAnesteziyoloji ve Reanimasyon Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MEHTAP TUNÇ