Nötronlarla ışınlamanın ve su vermenin p-tipi silisyumun özdirenci ve taşıyıcı yoğunluğu üzerine etkileri
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 1430
- Danışmanlar: DOÇ.DR. YAHYA KEMAL YOĞURTÇU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1987
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, su verme işleminin ve nötronlarla ışınlamanın p-tipi silisyum kristalinin taşıyıcı yoğunluğu üzerindeki etkilerini 12 2 incelemek için, 0slO n/cm-sn akıya sahip karışık termal ve hızlı nötronlarla 45 dk. ışınlanmış ve 900 °C ye kadar ısıtılıp, sıvı azotta aniden soğutulmuş p-tipi silisyum kristalleri kullanıldı. Kare numunenin köşelerine omik kontak yapmak için hH saflıkta Al buharlaştırıldı ve 580 C de alaşım yapılarak p p yapısı oluşturul du. 1150 -«-cm özdirençli p-tipi silisyumda yapılan Sail ölçümlerinde, 19 -3 taşıyıcı yoğunluğu 1,092 X10 m olarak bulundu ve bu değer kullanı lacak yapılan hesaplamada, özdirenç değeri llA-f -a-cm olarak bulundu, p-tipi silisyumun nötronlarla ışınlanmasında, hızlı nötronlar yeni e- lektron tuzakları oluşturduğundan, özdirencin ll^F-^-cm âen 421-^-cm ye düştüğü ve taşıyıcı yoğunluğunun 1,092 X10 7 m ^ deü 3» 593 *10 m ' e yükseldiği gözlendi. Su verilmiş numunelerde ise yeni boşluk tuzak se viyelerinden dolayı, özdirencin 2580 ^-cm ye yükseldiği ve taşıyıcı yo la - ^ ğunluğunun 6,^14 X10 me düştüğü tesbit edildi. Her iki durumda da bulunan neticeler literatürde verilen farklı özdirençlere sahip silisyumlarda gö2lenen neticelerle paralel lik gösterdi.
Özet (Çeviri)
In this work, p-type silicon crystals are irradiated with 12 2 mixed termal and fast neutrons having a flux of 0=10 n/cm -sn for 4-5 minutes and are quenched in liquid nitrogen after heating up to 900 C are used to study the effects of irradiation and quenching on the carrier concentration of p-type silicon crystals. At 4N purity Al are evaporated to the corners of square sample and the device of p p was formed by alloying at 580 C. The carrier concentration of p-type silicon crystals given resistivity of 19 1150jcz-cm is determined from Hall effect measurements as 1,092 X10 m and by using this value, the resistivity is calculated as 114?.a -cm. Since the fast neotrons irradiation will produce new electrons traps in p-type silicon, in neutron irradiated crystals, the decrease in re sistivity from 1145^-- cm to 421.a-cm and the increase in carrier con- 19 -"? 19 -3 centration from 1,092 X10 7 m J to 3,593 X10 J m ' is observed. In quenched samples, there is increase in resistivity to 2580^-cm and decrease in carrier concentration to 6,414 X10 m, because the qu enching produces new hole traps. In both cases, our results is shown parallellisim with those of p-type silicon having different resistivities given in literature.
Benzer Tezler
- Buğday mutant populasyonlarında çeşitli tarımsal özellikler arasındaki ilişkiler
Başlık çevirisi yok
M. İLHAN ÇAĞIRGAN
Yüksek Lisans
Türkçe
1985
ZiraatEge ÜniversitesiTarla Bitkileri Ana Bilim Dalı
PROF. DR. METİN B. YILDIRIM
- Nötron yakalama gamma-ışın spektroskopisi ile madde analizi
Başlık çevirisi yok
N.FÜSUN ERDİCAN
Yüksek Lisans
Türkçe
1988
Fizik ve Fizik MühendisliğiEge ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. FEVZİ CİĞEROĞLU
- Çift-çift gadolinium izotoplarının geçişlerinin çok kutuplu karışımlarının incelenmesi
Başlık çevirisi yok
MEHMET ÇİFTÇİ
- Çift-çift bazı Dy izotoplarının elektromanyetik geçişlerin çok-kutupluluklarının incelenmesi
The investigation of the multipolarites of electromangnetic transitions in some even-even Dy isotops
İSMAİL MARAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
1989
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. İHSAN ULUER