Metal-kompleks yarıiletgen schottky diyotların elektronik özelliklerinin belirlenmesi
Investigation of the electronic properties of metal-complex semiconductor schottky diodes
- Tez No: 150139
- Danışmanlar: DOÇ.DR. AYŞE AYDOĞDU
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Oxalate complexes, Semiconductor, Band gap, Schottky Diode. rx
- Yıl: 2004
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Fırat Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 84
Özet
ÖZET Doktora Tezi METAL-KOMPLEKS YARIİLETKEN SCHOTTKY DİYOTLARTN ELEKTRONİK ÖZELLİKLERİNİN BELİRLENMESİ Fethi DAĞDELEN Fırat Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı 2004, Sayfa : 75 Bu çalışmada, Fırat Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Kimya Bölümü laboratuarında sentezlenen oksalat ligandı (Na2C204) içeren Cd ve Co komplekslerinin kristal yapı tayini, optik soğurma özellikleri, termal gravimetri (TG) analizi, iletkenliğin sıcaklığa bağlı olarak değişimi incelendi. Farklı metaller (Al, Ni) kompleks malzemeler üzerine buharlaştırılarak metal- yarıiletken kontaklar hazırlanıp bu kontakların Schottky diyot karakteristikleri araştırıldı. Elde edilen Fİ, F2, F3 ve F4 numunelerinin kristal yapıya sahip oldukları X-ışınları toz difraktometresi ile belirlendi. UV-Vis spektrometresi ile optiksel özellikleri incelendi ve numunelerin yasak enerji aralıkları bulundu. Termal Gravimetri ölçümleri alınarak sıcaklığa bağlı kütle kayıpları gözlendi. Numunelerin elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı olarak değişimi incelenerek, yarıiletken özellik sergiledikleri belirlendi ve aktivasyon enerjileri hesaplanıp akım mekanizmaları araştırıldı. Her numunenin bir yüzeyine Ag (gümüş) kaplandı. Diğer yüzeylerine ise ayrı ayrı Al ve Ni metali buharlaştırıldı. Al buharlaştırılan numunelerin omik özellik sergilediği ve Ni buharlaştırılan numunelerin doğrultucu özellik sergilediği gözlendi. Bu diyotlann I-V ölçümlerinden iki farklı metot kullanılarak diyot parametreleri hesaplandı. Bu komplekslerden hazırlanan metal-yarıiletken kontakların uygun üretim şartlan kullanılarak doğrultucu özellik sergileyen diyotlar hazırlanılacağı ve bu diyotlann elektronik devrelerde kullanılabileceği belirlendi. Anahtar kelimeler : Oksalat kompleksleri, Yarıiletken, Yasak enerji aralığı, Schottky diyot. VIII
Özet (Çeviri)
ABSTRACT Ph.D. Thesis INVESTIGATION OF THE ELECTRONIC PROPERTIES OF METAL-COMPLEX SEMICONDUCTOR SCHOTTKY DIODES Fethi DA?DELEN Firat University Graduate School of Natural and Applied Sciences Department of Physics 2004, Page : 75 In this study, the crystal structure determination, optical absorption characteristics, thermal gravimetric analysis and the change of conductivity depending on the temperature of the Cd and Co complex containing oxalate ligand (Na2C204) that synthesed in Chemistry department laboratory of Art and Science Faculty of Firat University, are investigated. Metal- semiconductor contacts were prepared by the evaporation of different metals (Al, Ni) onto complex materials and then the Schottky diode characteristics of these diodes were examined. It was determined by XRD that, the obtained Fl, F2, F3 and F4 samples have crystal structure. The optical properties were observed by UV-Vis and the forbidden energy gaps were found. The mass losses depending on the temperature were observed by taking Thermal Gravimeter measurements. By investigating the change of the electrical characteristics of the samples, depending on temperature were determined and it was observed that they show semiconducting behavior and the activation energies were calculated, current mechanisms were observed. Then, Al, Ni vapor was evaporated on the other surface of the samples. Ag was coated on the each surface of the sample. It was observed that Al vapor was evaporated on samples shows ohmic features and evaporated Ni has Schottky diode characteristics. The I-V characteristics of these diodes were calculated by using two different methods. It was decided that, by using the appropriate production conditions of the metal-semiconductor contacts prepared from these complexes, the diodes showing rectifier characteristics can be prepared and these diodes can be used in electronic devices.
Benzer Tezler
- Organometalik ara katmanlı metal/yarıiletken schottky fotodiyotların elektriksel ve fotoelektriksel karakteristiklerinin deneysel ve optimizasyon teknikleri ile belirlenmesi
Determination of electrical and photoelectrical characteristics of metal/semiconductor schottky photodiodes with organometallic intermediate layer using experimental and optimization techniques
FATMA ZEHRA BAYAT
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSivas Cumhuriyet ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HÜLYA DOĞAN
DOÇ. DR. MUSTAFA ŞEKER
- Organik ara yüzey tabakalı metal-yarıiletken (MS) yapıların oluşturulması ve frekansa bağlı elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Formation of metal-semiconductor (MS) structures with organic interface layers and examination of frequency-dependent electrical properties
NESLİHAN DELEN
Doktora
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AKİF ÖZBAY
- Makrosiklik ligandların geçiş metal kompleksleri ile oluşturulan heteroeklemlerin elektriksel ve optiksel özelliklerinin incelenmesi
Electrical and optical properties of heterojunction formed by metal complexes of macrocyclic ligands
CİHAT ÖZAYDIN
Doktora
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. KEMAL AKKILIÇ
- Metal/oksit tabaka/silisyum yarıiletken/metal yapıların elektriksel özellikleri
Electrical properties of metal/oxide layer/silicon semiconductor/metal structures
MUHAMMED CAN ÖZDEMİR
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Medeniyet ÜniversitesiNanobilim ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABDULMECİT TURUT
- DLC arayüzey tabakalı metal- yarıiletken yapıların üretilmesi ve dielektrik özelliklerinin frekansa bağlı incelenmesi
Production of DLC interface layered metal-semiconductor structures and frequency dependent investigation of dielectric properties
NURAY URGUN
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Mekatronik MühendisliğiKarabük ÜniversitesiMekatronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SERHAT ORKUN TAN