Geri Dön

Modüle edilmiş fotoakım yöntemi ile amorf silisyum filmlerde yerleşik durum yoğunluğunun belirlenmesi

Başlık çevirisi mevcut değil.

  1. Tez No: 1722
  2. Yazar: GÜLEN AKTAŞ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. HAYATİ BUDAK
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 1983
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: İstanbul Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 71

Özet

ÖZET Amorf yarıiletkenlerin mobilite aralığında sürekli geli şigüzel ağ örgüsünden ve yapısal bozukluklardan ileri gelen yerleşik durumların enerjiye göre dağılışlarının saptanması bu malzemelerin taşıma mekanizmalarının anlaşılması açısın dan çok önemlidir. Yüksek alan:.ya da kapasitans-volta j (C-V) yöntemleri gibi bazı deneysel yöntemler hidro jenlenmiş amorf silisyum filmlerin yerleşik durumlarının dağılımının belirlen mesi için kullanılmıştır. Ancak bu yöntemleri yerleşik durum yoğunluğunun oldukça büyük olduğu buharlaştırılmış amorf film lere uygulamak mümkün değildir. Bu çalışmada buharlaştırma yoluyla hazırlanan filmlerin yerleşik durum yoğunlunluklar mın enerjiye göre dağılımları nın saptanması için yeni bir yöntem uygulanmıştır. Bu yöntem film üzerine gönderilen modüle edilmiş uyarı ışığı ile bu uyarı ışığı tarafından indüklenen fotoakım arasındaki faz kay masının incelenmesine dayanmaktadır. Faz kayması yerleşik du rum yoğunluğu ile doğrudan ilişkilidir. Öncelikle yöntemin geçerliliği kanıtlandıktan sonra iletkenlik bandı ile Fermi seviyesi arasında yaklaşık 300 meV. 'luk bir bölgede yerleşik durum yoğunluğunun enerjiye göre dağılımı belirlenmiştir.

Özet (Çeviri)

SUMMARY Determination of the energetic distribution of localized states due to random network and structural defects within the mobility gap of amorphous semiconductors is of great im portance for understanding the transport properties of these materials. Some experimental techniques like the field effect and capacitance-voltage (C-V) methods have been used for de termining the form of these gap states in hydrogenated amorp hous silicon. However, it is quite impossible to apply these methods to evaporated amorphous silicon films, in which the density of localized gap states is quite high. In the present work a new method is applied on evapora ted amorphous silicon films to determine the distribution of their localized states. This method involves an analysis of the phase shift between the modulated exciting light and the photocurrent induced by it. The phase shift is directly re lated to the density of localized states. The validity of the method is confirmed and the distribution of the localized states is determined for a range of 300 meV. f

Benzer Tezler

  1. Tez No

    411659

    Endüstriyel çalışma ortamlarında otomatik aydınlık kontrolü

    Automatic lighting control on industry

    METİN ORTATAŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Mühendislik BilimleriBozok Üniversitesi

    Mekatronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ORHAN ER

  2. Tez No

    411802

    Müşteri ilişkileri yönetiminde süreç, proje yönetimi yaklaşımı ve emlak sektöründe uygulaması

    Process, project management approach of customer relationship management and application in real estate sector

    OĞUZHAN UĞUR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Endüstri ve Endüstri MühendisliğiHaliç Üniversitesi

    Endüstri Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. KENAN ÖZDEN

  3. Tez No

    411831

    Serebral palsi'li çocuklarda su içi egzersizlerin spastisite ve motor fonksiyonlar üzerine etkisi

    EFFECTİVENESS OF AQUATİC EXERCİSES ON SPASTİCİTY AND MOTOR FUNCTİONS OF CHİLDREN WİTH CEREBRAL PALSY

    SEVDA ADAR

    Tıpta Uzmanlık

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fiziksel Tıp ve RehabilitasyonAfyon Kocatepe Üniversitesi

    Fiziksel Tıp ve Rehabilitasyon Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ÜMİT DÜNDAR

  4. Tez No

    411857

    High pressure diffusion coefficients of carbon dıoxide in the ionic liquid [bmim][bf4

    Karbondi̇oksi̇ti̇n [bmim][bf4] i̇yoni̇k sıvısı i̇çeri̇si̇ndeki̇ yüksek basınç yayınım katsayıları

    ÖMER BARIŞ EMEK

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2014

    Kimya MühendisliğiYeditepe Üniversitesi

    Kimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. BETÜL ÜNLÜSÜ

  5. Tez No

    411879

    Numerical modeling of the bosphorus exchange flow dynamics

    İstanbul Boğazı değişim akımlarının sayısal modellenmesi

    ADİL SÖZER

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2013

    Deniz BilimleriOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Oşinografi Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. EMİN ÖZSOY

Geri Dön