Modüle edilmiş fotoakım yöntemi ile amorf silisyum filmlerde yerleşik durum yoğunluğunun belirlenmesi
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 1722
- Danışmanlar: PROF. DR. HAYATİ BUDAK
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1983
- Dil: Türkçe
- Üniversite: İstanbul Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 71
Özet
ÖZET Amorf yarıiletkenlerin mobilite aralığında sürekli geli şigüzel ağ örgüsünden ve yapısal bozukluklardan ileri gelen yerleşik durumların enerjiye göre dağılışlarının saptanması bu malzemelerin taşıma mekanizmalarının anlaşılması açısın dan çok önemlidir. Yüksek alan:.ya da kapasitans-volta j (C-V) yöntemleri gibi bazı deneysel yöntemler hidro jenlenmiş amorf silisyum filmlerin yerleşik durumlarının dağılımının belirlen mesi için kullanılmıştır. Ancak bu yöntemleri yerleşik durum yoğunluğunun oldukça büyük olduğu buharlaştırılmış amorf film lere uygulamak mümkün değildir. Bu çalışmada buharlaştırma yoluyla hazırlanan filmlerin yerleşik durum yoğunlunluklar mın enerjiye göre dağılımları nın saptanması için yeni bir yöntem uygulanmıştır. Bu yöntem film üzerine gönderilen modüle edilmiş uyarı ışığı ile bu uyarı ışığı tarafından indüklenen fotoakım arasındaki faz kay masının incelenmesine dayanmaktadır. Faz kayması yerleşik du rum yoğunluğu ile doğrudan ilişkilidir. Öncelikle yöntemin geçerliliği kanıtlandıktan sonra iletkenlik bandı ile Fermi seviyesi arasında yaklaşık 300 meV. 'luk bir bölgede yerleşik durum yoğunluğunun enerjiye göre dağılımı belirlenmiştir.
Özet (Çeviri)
SUMMARY Determination of the energetic distribution of localized states due to random network and structural defects within the mobility gap of amorphous semiconductors is of great im portance for understanding the transport properties of these materials. Some experimental techniques like the field effect and capacitance-voltage (C-V) methods have been used for de termining the form of these gap states in hydrogenated amorp hous silicon. However, it is quite impossible to apply these methods to evaporated amorphous silicon films, in which the density of localized gap states is quite high. In the present work a new method is applied on evapora ted amorphous silicon films to determine the distribution of their localized states. This method involves an analysis of the phase shift between the modulated exciting light and the photocurrent induced by it. The phase shift is directly re lated to the density of localized states. The validity of the method is confirmed and the distribution of the localized states is determined for a range of 300 meV. f
Benzer Tezler
- Hidrojenlendirilmiş amorf silisyum filmlerin optik katsayılarını belirlemede kullanılan deneysel yöntemlerin karşılaştırılması
Comparison of experimental methods used for determination of optical constants of hydrogenated amorphous silicon
GÜNGÖR TAYYAR
- Determination of sensity of states of n-type hygrogenated amorphous silicon by phase shift analysis of modulated photocurrent method
Modüle edilmiş fotoakım yöntemi ile hidrojenlendirilmiş amorf silisyumda durum yoğunluğunun belirlenmesi
FERHAT KOCABIYIK
Yüksek Lisans
İngilizce
1995
Fizik ve Fizik MühendisliğiBoğaziçi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. GÜLEN AKTAŞ
- Effects of solar radiation and neutron, gamma material intereaction effects on the solar cells/modules/panels
Güneş ışınımı ve nötron, gama malzeme etkileşiminin güneş hücreleri/modülleri/ panelleri üzerindeki etkileri
İNAL BEGÜM TURNA DEMİREL
Doktora
İngilizce
2021
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ZUHAL ER
- Production and evaluation of conduction mechanisms of the Au/(RuO2:PVC)/n-Si (MPS) structures in a wide range of illumination and frequency using current-voltage and impedance-voltage measurements
Productıon and evaluatıon of conductıon mechanısms of the Au/(RuO2:PVC)/n-Sı (MPS) structures ın a wıde range of ıllumınatıon and frequency usıng current-voltage and ımpedance-voltage measurements
HASAN MELOUD M ELAMEN
Doktora
İngilizce
2023
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKarabük ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUHAMMET TAHİR GÜNEŞER
- Transport properties in amorphous chalcogenide glasses
Amorf halkojenür camlarda iletim özellikleri
ÖZGÜL KURTULUŞ
