Geri Dön

Determination of sensity of states of n-type hygrogenated amorphous silicon by phase shift analysis of modulated photocurrent method

Modüle edilmiş fotoakım yöntemi ile hidrojenlendirilmiş amorf silisyumda durum yoğunluğunun belirlenmesi

  1. Tez No: 47501
  2. Yazar: FERHAT KOCABIYIK
  3. Danışmanlar: PROF. DR. GÜLEN AKTAŞ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 1995
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Boğaziçi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 65

Özet

KISA ÖZET Amorf yan iletkenlerin mobilite aralığında gelişi güzel ağ örgüsünden ve yapısal bozuklardan ileri gelen yerleşik durumların enerjiye göre dağılışlarının saptanması bu malzemelerin taşıma mekanizmalarının anlaşılması açısından çok önemlidir. Yapısal bir düzen olmadığından bu yerleşik durumlar deney yoluyla belirlenmelidir. Bu çalışmada, n- tipi hidrojenlendirilmiş amorf silisyum ince filimin enerji bant aralığındaki durum yoğunluğu araştınlmştır. Bu amaçla module edilmiş foto-akım faz analizi metodundan yararlanılmış ve teoremin geçerliliği tartışılmıştır. Teoremin bu tip yan-iletkenler için uygun olduğu gözlemlenmiş ve yerleşik durum yoğunluğu 400 meV lik bir bölgede belirlenmiştir.

Özet (Çeviri)

IV ABSTRACT Determination of the energetic distribution of localized states due to random network and structural defects within the mobility gap of amorphous semi conductors is of great importance for understanding the transport properties of these materials. Since there is no structural order, the band states can be only determined experimentally. In this thesis, the density of states (DOS) distribution in the energy gap of Hydrogenated n-type amorphous silicon is determined. For this purpose a The Phase shift analysis of modulated photocurrent (PSAMP) method is studied. The validity of the PSAMP theorem for the doped a-H:Si is discussed. The theorem is verified for this type of semiconductors and the distribution of the states is determined for a range of 400 meV.

Benzer Tezler

  1. Oral glukoz tolerans testine bir alternatif olarak 1,5-anhidroglusitolün değerlendirilmesi

    The Evaluation 1,5-anhydroglucitol as an alternative to the oral glucose tolerance test

    CANAN HALICI

    Tıpta Uzmanlık

    Türkçe

    Türkçe

    1999

    BiyokimyaErciyes Üniversitesi

    Biyokimya Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SABAHATTİN MUHTAROĞLU

  2. Thermoluminescence of colourles geological quartz

    Renksiz jeolojik kuvarsın termoluminesansı

    VAROL YILMAZ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1994

    Bilim ve TeknolojiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Eğitim Bilimleri Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SELAHATTİN ÖZDEMİR

  3. Beyaz peynir üretim aşamasında kontaminasyon kaynaklarının belirlenmesi ve önleme yollarının araştırılması

    Determination of the contamination sources during manufacturing stage of white cheese and studies on the prevention of the contaminations

    AYLİN KASIMOĞLU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1998

    Besin Hijyeni ve TeknolojisiAnkara Üniversitesi

    Besin Hijyeni ve Teknolojisi Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SADİ AKGÜN

  4. Sağlıklı ve hasta piliçlerden izole edilen stafilokok suşlarının çeşitli özelliklerinin belirlenmesi

    Determination of various properties of staphylococcus strains isolated from healthy and disease broiler chickens

    FARUK KÖKSALDI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1997

    MikrobiyolojiAnkara Üniversitesi

    Mikrobiyoloji Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ÖMER AKAR